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公开(公告)号：KR1019980082969A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970018083
申请日：1997-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 셀프-얼라인 콘택과 버팅 콘택이 혼재하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법이 개시되어 있다. 트랜지스터의 활성 영역 및 게이트용 도전층이 형성되어 있는 반도체 기판의 상부에 제1 절연막 및 식각 저지층을 순차적으로 형성한다. 사진식각 공정으로 버팅 콘택이 형성될 부위의 상기 식각 저지층 및 제1 절연막을 순차적으로 식각한다. 상기 결과물의 상부에 제2 절연막을 형성한 후, 사진식각 공정으로 버팅 콘택이 형성될 부위의 상기 제2 절연막을 식각한다. 상기 결과물의 상부에 제1 전도체를 증착하고 이를 패터닝하여 상기 게이트용 도전층과 활성 영역을 연결시키는 버팅 콘택을 형성한다. 상기 결과물의 상부에 제3 절연막을 형성한 후 사진식각 공정으로 셀프-얼라인 콘택이 형성될 부위의 상기 제3 절연막, 제2 절연막, 식각 저지층 및 제1 절연막을 순차적으로 식각한다. 상기 결과물의 상부에 제2 전도체를 증착하고 이를 패터닝하여 상기 활성 영역에 대한 셀프-얼라인 콘택을 형성한다. 트랜지스터의 특성을 열화시키지 않으면서 버팅 콘택을 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980006257A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960023964
申请日：1996-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김기준
IPC: H01L27/085
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公开(公告)号：KR1019970022766A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950037902
申请日：1995-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김기준
IPC: G06F12/16
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
이이피롬에 기록된 데이타를 보호하기 위한 회로.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 데이타 보호회로는 콘트롤신호를 소프트웨어적인 방법으로 조정하거나, 난수발생회로를 사용함으로써 완벽한 보안성을 유지하기가 어려웠다.
3. 발명의 해결방법의 요지
이이피롬셀에 데이타의 저장과, 상기 저장된 데이타의 확인과정이 완료되면 전기적 합선을 이용한 물리적 방법으로 데이타입력단과 외부 출력단을 차단하는 회로.
4. 발명의 중요한 용도
이이피롬을 메모리로 사용하는 모든 회로.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019890004987B1
公开(公告)日：1989-12-02
申请号：KR1019870009331
申请日：1987-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/00
Abstract: The manufacturing method of the optical device array for a optical printer head has the following steps : (a) forming a mask (2) with oxide or nitride layer formed on GaAs substrate (1); (b) epitaxially growing the P-type AlGaAs active layer (3), the n-type AlGaAs transparent layer (4) and the n-type GaAs cap layer (5) in sequence ; (c) forming an ohmic contact by etching the n-type GaAs cap layer ; (d) depositing the protective film on the epitaxial layer (3,4,5) ; (e) forming an electrode (7) by etching the protective film ; (f) forming a P-type electrode (8) on the backside of the GaAs substrate (1).
Abstract translation: 用于光学打印机头的光学器件阵列的制造方法具有以下步骤：（a）在GaAs衬底（1）上形成具有氧化物或氮化物层的掩模（2）; （b）依次外延生长P型AlGaAs有源层（3），n型AlGaAs透明层（4）和n型GaAs覆盖层（5）; （c）通过蚀刻n型GaAs覆盖层形成欧姆接触; （d）将保护膜沉积在外延层（3,4,5）上; （e）通过蚀刻保护膜形成电极（7）; （f）在GaAs衬底（1）的背面形成P型电极（8）。
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公开(公告)号：KR101890869B1
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：KR1020160141090
申请日：2016-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F24F13/14 , F24F1/0003 , F24F1/0011 , F24F11/74 , F24F2001/0048 , F24F2013/205
Abstract: 공기조화기는송풍팬으로부터송풍되어상기아웃렛으로배출되는공기의방향을제어하는가이드위치와, 상기아웃렛을폐쇄하는폐쇄위치를이동하는토출블레이드로서, 상기폐쇄위치에서상기토출블레이드를통해공기가배출되도록복수의블레이드홀을갖는토출블레이드를포함하며, 토출블레이드의상기가이드위치와상기폐쇄위치간의이동으로, 상기송풍팬으로부터상기토출블레이트또는상기아웃렛으로의공기유동을제어한다. 이러한구성으로토출블레이드의동작을통해하우징의외부로배출되는공기유동을제어할수 있다.
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公开(公告)号：KR20180046168A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：KR20160141090
申请日：2016-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F24F13/14 , F24F1/0003 , F24F1/0011 , F24F11/04 , F24F11/74 , F24F2001/0048 , F24F2013/205
Abstract: 공기조화기는송풍팬으로부터송풍되어상기아웃렛으로배출되는공기의방향을제어하는가이드위치와, 상기아웃렛을폐쇄하는폐쇄위치를이동하는토출블레이드로서, 상기폐쇄위치에서상기토출블레이드를통해공기가배출되도록복수의블레이드홀을갖는토출블레이드를포함하며, 토출블레이드의상기가이드위치와상기폐쇄위치간의이동으로, 상기송풍팬으로부터상기토출블레이트또는상기아웃렛으로의공기유동을제어한다. 이러한구성으로토출블레이드의동작을통해하우징의외부로배출되는공기유동을제어할수 있다.
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