실리콘 분자 클러스터를 포함하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법
    11.
    发明公开
    실리콘 분자 클러스터를 포함하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법 有权
    生产含有硅分子簇的硅量子薄片的方法

    公开(公告)号:KR1020110092894A

    公开(公告)日:2011-08-18

    申请号:KR1020100012580

    申请日:2010-02-10

    Inventor: 정현담 손홍래

    CPC classification number: H01L33/06 H01L21/02282 H01L21/324 H01L29/122

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon quantum dot thin film containing silicon molecule cluster is provided to obtain the silicon quantum dot thin film by applying partially oxidized silicon quantum dot on a substrate and thermally processing the silicon quantum dot. CONSTITUTION: Silicon nanoparticles are dissolved in an organic solvent. Alkyl group caps the silicon nanoparticles. The organic solvent is an ether-based solvent or tetrahydrofuran. A silicon nanoparticles solution is applied on a silicon substrate. A thermal process is implemented under a vacuum condition to obtain a silicon quantum dot thin film with silicon molecule cluster. The concentration of the silicon nanoparticles solution is between 1 and 20 weight%.

    Abstract translation: 目的:提供一种含有硅分子簇的硅量子点薄膜的制造方法,通过在基板上施加部分氧化的硅量子点并热处理硅量子点来获得硅量子点薄膜。 构成:将硅纳米颗粒溶解在有机溶剂中。 烷基封端硅纳米粒子。 有机溶剂是醚类溶剂或四氢呋喃。 将硅纳米颗粒溶液施加在硅衬底上。 在真空条件下进行热处理以获得具有硅分子簇的硅量子点薄膜。 硅纳米颗粒溶液的浓度为1至20重量%。

    밴드갭 조절 가능한 나노포러스 TiO2-ZrO2하이브리드 박막의 제조방법
    12.
    发明授权
    밴드갭 조절 가능한 나노포러스 TiO2-ZrO2하이브리드 박막의 제조방법 失效
    具有控制带隙能量的纳米多孔TiO2-ZrO2混合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:KR100914449B1

    公开(公告)日:2009-08-28

    申请号:KR1020070121358

    申请日:2007-11-27

    Inventor: 정현담

    Abstract: 본 발명은 졸-겔(sol-gel)법을 이용하여 밴드갭 에너지(band gap energy)가 조절 가능하며 나노 크기의 미세 기공이 형성된 TiO
    2 -ZrO
    2 하이브리드(hybrid) 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 상세하게 본 발명의 제조방법은 지르코늄 전구체 100 중량부에 대하여 상기 지르코늄 전구체의 활성도를 낮추는 안정화제 15 내지 25 중량부, 알콜 70 내지 90 중량부 및 티타늄 전구체 60 내지 100 중량부을 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계; (b) 상기 혼합용액에 지르코늄 전구체 100 중량부에 대하여 산 20 내지 30 중량부 및 10 내지 20 중량%의 유기고분자 알콜용액 250 내지 400 중량부를 첨가하여 지르코늄-티타늄 전구체 용액을 제조하는 단계; 및 (c) 상기 지르코늄-티타늄 전구체 용액을 기판위에 코팅한 후 건조 및 열처리하는 단계;를 포함하는 특징을 갖는다.
    다공성 박막, 금속산화물, 고유전율, 밴드갭, 하이브리드 박막

    실리콘 전구체의 방사선 조사 환원반응을 이용한 실리콘 나노 결정체 합성방법
    13.
    发明公开
    실리콘 전구체의 방사선 조사 환원반응을 이용한 실리콘 나노 결정체 합성방법 有权
    从使用辐射的硅前驱体合成的硅纳米晶体

    公开(公告)号:KR1020160095348A

    公开(公告)日:2016-08-11

    申请号:KR1020150016505

    申请日:2015-02-03

    CPC classification number: C01B33/021 C01P2004/64

    Abstract: 본발명은방사선조사환원반응을이용한실리콘나노결정체의합성방법에관한것으로, 보다구체적으로는용매에실리콘전구체를분산시키고, 상기분산용액에 2차알코올을첨가하여반응시킨후 상기반응물에방사선을조사함으로써실리콘나노결정체를합성하는방법에관한것이다. 본발명의방사선조사환원반응을이용한실리콘나노결정체합성방법은특수한반응조건이필요없는상온ㆍ상압하에부가적인화학적환원제를사용하지않는친환경공정으로써연속적합성을통한대량생산이가능하므로실리콘나노결정체합성방법으로유용하게이용할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用电子束还原反应的硅纳米晶体的合成方法。 更具体地,本发明涉及一种通过将硅前体分散在溶剂中以获得分散溶液来合成硅纳米晶体的方法,向分散溶液中加入仲醇,引起反应获得反应产物,并照射反应 产品。 根据本发明,使用电子束还原反应的硅纳米晶体的合成方法是环境友好的方法,其在室温和常压下不使用额外的化学还原剂,而不需要特殊的反应条件。 因此,可以通过连续合成工艺大量生产硅纳米晶体,因此该工艺可以实际用作硅纳米晶体的合成方法。

    알킬치환된 방향족 탄화수소와 유기실록산 단량체를 이용한 신규한 유기실록산 고분자 및 이의 제조방법
    15.
    发明授权
    알킬치환된 방향족 탄화수소와 유기실록산 단량체를 이용한 신규한 유기실록산 고분자 및 이의 제조방법 有权
    使用烷基取代的芳烃和有机硅氧烷单体的新型有机硅氧烷聚合物及其制备

    公开(公告)号:KR101512622B1

    公开(公告)日:2015-04-16

    申请号:KR1020130119372

    申请日:2013-10-07

    Inventor: 정현담 최진규

    Abstract: 본 발명은 유기실록산 단량체와 용매로서의 역할을 함께 할 수 있는 알킬치환된 방향족 탄화수소를 이용하여 전이금속 촉매 존재하 탈수소화 커플링 반응을 유도함으로써 제조되는 신규한 유기실록산 고분자에 관한 것이다.
    또한, 본 발명은 단량체의 수를 최소화 하고 제조방법이 단순하며 저가 생산이 가능한 유기실록산 고분자의 제조방법에 관한 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及新的有机硅氧烷聚合物,以通过与溶剂的过渡金属催化剂和使用烷基取代的芳族烃,其可以一起用作脱氢偶合反应诱导的有机硅氧烷单体来制备。

    알킬치환된 방향족 탄화수소와 유기실록산 단량체를 이용한 신규한 유기실록산 고분자 및 이의 제조방법
    16.
    发明公开
    알킬치환된 방향족 탄화수소와 유기실록산 단량체를 이용한 신규한 유기실록산 고분자 및 이의 제조방법 有权
    从烷基取代的芳族烃和有机硅氧烷单体生产新的有机硅氧烷聚合物的方法

    公开(公告)号:KR1020150040620A

    公开(公告)日:2015-04-15

    申请号:KR1020130119372

    申请日:2013-10-07

    Inventor: 정현담 최진규

    Abstract: 본발명은유기실록산단량체와용매로서의역할을함께할 수있는알킬치환된방향족탄화수소를이용하여전이금속촉매존재하탈수소화커플링반응을유도함으로써제조되는신규한유기실록산고분자에관한것이다. 또한, 본발명은단량체의수를최소화하고제조방법이단순하며저가생산이가능한유기실록산고분자의제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用可以起到有机硅氧烷聚合物和溶剂的作用的烷基取代的芳族烃和在过渡金属催化剂的存在下引起脱氢偶联反应而制造的新的有机硅氧烷聚合物。 此外,本发明可以使多个单体最小化,简化制造方法,并且可以以低成本生产。

    실리콘 분자 클러스터를 포함하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법
    17.
    发明授权
    실리콘 분자 클러스터를 포함하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법 有权
    含有硅分子簇的硅量子点薄膜的制造方法

    公开(公告)号:KR101133444B1

    公开(公告)日:2012-04-09

    申请号:KR1020100012580

    申请日:2010-02-10

    Inventor: 정현담 손홍래

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon quantum dot thin film containing silicon molecule cluster is provided to obtain the silicon quantum dot thin film by applying partially oxidized silicon quantum dot on a substrate and thermally processing the silicon quantum dot. CONSTITUTION: Silicon nanoparticles are dissolved in an organic solvent. Alkyl group caps the silicon nanoparticles. The organic solvent is an ether-based solvent or tetrahydrofuran. A silicon nanoparticles solution is applied on a silicon substrate. A thermal process is implemented under a vacuum condition to obtain a silicon quantum dot thin film with silicon molecule cluster. The concentration of the silicon nanoparticles solution is between 1 and 20 weight%.

    굴절률 조절 가능한 메틸렌-비페닐렌-브리지드 실세스퀴옥산 백색 엘이디 봉지재 재료
    18.
    发明公开
    굴절률 조절 가능한 메틸렌-비페닐렌-브리지드 실세스퀴옥산 백색 엘이디 봉지재 재료 无效
    具有控制折射指数的甲基 - 联苯乙烯基硅氧烷白色LED封装材料

    公开(公告)号:KR1020110092893A

    公开(公告)日:2011-08-18

    申请号:KR1020100012579

    申请日:2010-02-10

    Inventor: 정현담 최진규

    Abstract: PURPOSE: A methylene-biphenyl-bridged silsesquioxane white LED encapsulant material is provided to obtain a silicon compound with excellent thermal stability, no yellowing, and high refractive index. CONSTITUTION: A method for preparing a methylene-biphenyl-bridged silsesquioxane white LED encapsulant material comprise the steps of: mixing a methylene-biphenyl-bridged compound of chemical formula 3, an organic solvent and a hydrochloric acid solution; and polymerizing the mixture to prepare the methylene-biphenyl-bridged silsesquioxane of chemical formula 1. In chemical formulas 1 and 3, R is -CH2-(C6H4)2-CH2-, R11 and R31~R36 are independently (C1-C4) alkyl group, and m is the integer of 2~1000.

    Abstract translation: 目的:提供亚甲基 - 联苯桥联倍半硅氧烷白色LED封装材料,以获得具有优异热稳定性,无黄变和高折射率的硅化合物。 构成:制备亚甲基 - 联苯基桥联倍半硅氧烷白色LED封装材料的方法包括以下步骤:将化学式3的亚甲基 - 联苯桥联化合物,有机溶剂和盐酸溶液混合; 在化学式1和3中,R是-CH 2 - (C 6 H 4)2 -CH 2 - ,R 11和R 31〜R 36独立地是(C 1 -C 4)烷基, 烷基,m为2〜1000的整数。

    풀러렌을 포함하는 굴절율 조절 가능한 유기실록산 고분자 및 이의 제조방법
    20.
    发明授权
    풀러렌을 포함하는 굴절율 조절 가능한 유기실록산 고분자 및 이의 제조방법 有权
    具有控制折射指数的全镶嵌有机硅氧烷聚合物及其制造方法

    公开(公告)号:KR101499144B1

    公开(公告)日:2015-03-06

    申请号:KR1020130121123

    申请日:2013-10-11

    Abstract: The present invention relates to an organosiloxane polymer including fullerene of high refractive index capable of controlling refractive index, and to a manufacturing method thereof, and more specifically, to an organosiloxane polymer which secures stability and can be produced at low cost because of a simple manufacturing cost by comprising fullerene and an organosiloxane monomer having excellent stability, and to a manufacturing method thereof. Also, a thin film manufactured from the organosiloxane polymer controls refractive index according to heat treatment temperature conditions, and can be applied for an excellent material for an optoelectronic device demanding high stability.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包含能够控制折射率的高折射率的富勒烯的有机硅氧烷聚合物及其制造方法,更具体地说涉及一种有机硅氧烷聚合物,该有机硅氧烷聚合物由于制造简单而确保了稳定性并且可以以低成本生产 包含富勒烯和稳定性优异的有机硅氧烷单体的成本及其制造方法。 此外,由有机硅氧烷聚合物制成的薄膜根据热处理温度条件控制折射率,并且可以应用于要求高稳定性的光电子器件的优异材料。

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