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公开(公告)号：KR1020130019699A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020110081813
申请日：2011-08-17
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/447 , G01N27/30
Abstract: PURPOSE: An ion device using a nanopore structure on an insulative supporting member is provided to arrange a nanopore film on the insulative supporting member, thereby decreasing a noise level of electrical signals generated by an ion passing through the inside of a nanopore. CONSTITUTION: An ion device using a nanopore structure comprises a chamber(10), a first electrode(30), a second electrode(40), a nanopore film(20), and insulative supporting member(50). The chamber includes first and second areas. The first electrode is arranged on the first area. The second electrode is arranged on the second area facing to the first electrode. The nanopore film is arranged between the first and second electrodes and includes a nanopore placed in the center. The insulative supporting member is arranged around the nanopore in order to support the nanopore film. An ion passes through the nanopore, and the movement of the ion is generated by electrical signals applied to the first and second electrodes.
Abstract translation: 目的：提供在绝缘支撑构件上使用纳米孔结构的离子装置，以在绝缘支撑构件上布置纳米孔膜，从而降低由通过纳米孔内部的离子产生的电信号的噪声水平。 构成：使用纳米孔结构的离子装置包括室（10），第一电极（30），第二电极（40），纳米孔膜（20）和绝缘支撑构件（50）。 该房间包括第一和第二区域。 第一电极布置在第一区域上。 第二电极布置在面向第一电极的第二区域上。 纳米孔膜布置在第一和第二电极之间，并且包括放置在中心的纳米孔。 绝缘支撑构件布置在纳米孔周围以便支撑纳米孔膜。 离子通过纳米孔，并且通过施加到第一和第二电极的电信号产生离子的移动。
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公开(公告)号：KR101209000B1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：KR1020100060665
申请日：2010-06-25
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/414 , C12Q1/68
Abstract: 그래핀나노포어구조를이용한이온소자및 DNA 분석용장치가제공된다. 본발명의일 실시예에따른그래핀나노포어구조를이용한이온소자는, 제1 영역및 제2 영역을포함하는챔버; 제1 영역에위치하는제1 전극; 제1 전극에대향하여제2 영역에위치하는제2 전극; 및제1 전극및 제2 전극의사이에위치하고, 그래핀층으로구성되며, 그래핀층을관통하는나노포어를포함하는나노포어막;을포함하고, 나노포어막, 제1 전극및 제2 전극에인가되는전기적신호에의해나노포어를통과하는이온전류가발생되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020120059095A
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020100120717
申请日：2010-11-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , C30B15/007 , C30B11/00 , C30B15/36 , C30B29/06 , H01L21/02002 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a substrate for a semiconductor device, and a solar battery using the same are provided to improve carrier mobility by making a crystal grow up by using metallurgical-grade silicon. CONSTITUTION: A substrate(610) comprises metallurgical grade silicon. A semiconductor layer(630) is arranged on the substrate. The semiconductor layer forms PN junction with the substrate. A top electrode layer(660) is arranged on the semiconductor layer. A bottom electrode layer(650) is arranged at the lower side of the substrate. The bottom electrode layer comprises conductive material such as aluminum, silver, or an alloy thereof. The bottom electrode layer is formed by a PVD(Physical Vapor Deposition).
Abstract translation: 目的：提供一种半导体装置用基板的制造方法和使用该半导体装置的太阳能电池的制造方法，其通过使用冶金级硅使晶体长大而提高载流子迁移率。 构成：衬底（610）包括冶金级硅。 半导体层（630）布置在衬底上。 半导体层与衬底形成PN结。 顶部电极层（660）布置在半导体层上。 底部电极层（650）布置在衬底的下侧。 底部电极层包括诸如铝，银或其合金的导电材料。 底部电极层由PVD（物理气相沉积）形成。
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公开(公告)号：KR101122676B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020090120638
申请日：2009-12-07
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은소자제작용기판상에직접그래핀을형성할수 있는그래핀제조방법에관한것이다. 본발명에따른그래핀제조방법은그라파이트화촉매박막과그라파이트화촉매박막의상부및 하부중 적어도하나에형성된비정질탄소박막을포함하여이루어진제1 적층구조물을기판상에형성한다. 그리고적층구조물을열처리하여, 기판상에제1 그래핀층, 그라파이트화촉매박막및 제2 그래핀층이순차적으로적층된제2 적층구조물을형성한다.
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公开(公告)号：KR101095365B1
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020090072491
申请日：2009-08-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 하나의 결정질 시편으로부터 여러 형태의 패턴을 형성할 수 있는 패턴 형성장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 패턴 형성장치는 결정질 시편이 위치하는 시편 지지대와, 시편을 통과하는 전자빔이 조사되는 전자빔 조사수단과, 전자빔 조사수단에 의해 조사된 전자빔이 시편을 통과하면서 나뉘어지는 투과빔과 회절빔에 의해 격자이미지를 형성하기 위한 대물렌즈를 구비한다. 그리고 대물렌즈를 통과한 투과빔과 회절빔 각각을 통과시키기 위한 복수의 제1구멍이 형성되어 있는 플레이트와, 복수의 제1구멍 주변에 각각 설치되어 투과빔과 회절빔의 진행 경로를 조절할 수 있는 복수의 전자빔 조절수단을 구비하는 디플렉터(deflector)를 구비한다. 그리고 플레이트를 통과한 투과빔과 회절빔 중 전자빔 조절수단에 의해 진행 경로가 변경되지 않은 투과빔과 회절빔이 통과되도록, 투과빔과 회절빔 각각의 원 경로 상에 형성되어 있는 복수의 제2구멍이 마련되어 있는 조리개(aperture)를 구비한다. 그리고 조리개를 통과한 투과빔과 회절빔에 의해 형성된 격자이미지가 조사됨으로 인해 패턴을 형성할 수 있도록 전자빔 레지스트가 도포되어 있는 기판이 위치하는 기판 지지대를 구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110064162A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090120648
申请日：2009-12-07
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/184 , B32B9/007
Abstract: PURPOSE: A method for preparing graphene is provided to simplify process without a process of moving the graphene to a substrate for producing device. CONSTITUTION: A method for preparing a graphene comprises: a step of forming a first laminate structure comprising a metal thin film(240) and carbon-dissolved silicon thin film(230); and a step of performing thermal treatment of the first laminate structure to form a second laminate structure comprising a first graphene layer(273), a metal silicide thin film(260), and a second graphene layer(275) on a substrate. The method further comprises a step of removing the metal silicide thin film and second graphene layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制备石墨烯的方法，以简化工艺，而不需要将石墨烯移动到用于生产装置的基材上。 构成：制备石墨烯的方法包括：形成包括金属薄膜（240）和碳溶解的硅薄膜（230）的第一层压结构的步骤; 以及对所述第一层压结构进行热处理以形成第二层压结构的步骤，所述第二层压结构包括在基板上的第一石墨烯层（273），金属硅化物薄膜（260）和第二石墨烯层（275）。 该方法还包括去除金属硅化物薄膜和第二石墨烯层的步骤。
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公开(公告)号：KR101226100B1
公开(公告)日：2013-01-25
申请号：KR1020100096910
申请日：2010-10-05
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N33/48 , G01N35/00 , C23C16/455 , C23C16/00
CPC classification number: B81C1/00087
Abstract: 원자층 증착법에 의해 제한된 크기를 갖는 나노 포어의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 포어의 제조 방법은, 멤브레인에 개구부를 형성하는 단계; 및 상기 개구부의 측벽에 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 전구체로부터 커버막을 형성함으로써 나노 포어를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 나노 포어의 크기는 상기 전구체의 크기에 의해 제어되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101174482B1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：KR1020100060663
申请日：2010-06-25
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L51/05
Abstract: 나노포어구조를이용한스위칭소자, 그를포함하는스위칭장치및 그의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른나노포어구조를이용한스위칭소자는, 제1 영역및 제2 영역을포함하는챔버; 제1 영역에위치하는제1 전극; 제1 전극에대향하여제2 영역에위치하는제2 전극; 및제1 전극및 제2 전극의사이에위치하고, 도전층, 상기도전층을관통하는나노포어및 도전층의표면에부착되어나노포어내에위치하는유기화합물을포함하는나노포어막;을포함하고, 유기화합물은도전층에인가되는전압에따라나노포어의채널크기를변화시키는것을특징으로한다.
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