Abstract:
A dynamic ram according to the present invention comprises: an information storing element which includes a first electrode, a reference electrode, and electrolytes present between the first electrode and the reference electrode; a pass transistor whose one side is connected with the information storing element; a word line driver which controls turn on and/or turn off of the pass transistor by being connected to a gate of the transistor; and a sense amplifier which is connected to the other side of the pass transistor. [Reference numerals] (AA) Reference potential
Abstract:
일 실시 예에 따르는 바이오 센서의 제조 방법에 있어서, 먼저, 전계효과 소자를 포함하는 복수의 단위센서가 배열되는 마이크로어레이 센싱부를 제공한다. 상기 복수의 단위센서의 상기 전계효과 소자를 구동시켜, 상기 복수의 단위센서의 제1 전기적 특성을 확보한다. 상기 마이크로어레이 센싱부 상에 프로브를 포함하는 용액을 스포팅(spotting)하여, 상기 복수의 단위센서 중 적어도 일부의 단위센서에 상기 프로브를 고정한다. 상기 복수의 단위센서의 상기 전계효과 소자를 구동시켜, 상기 복수의 단위센서의 제2 전기적 특성을 확보한다. 상기 제1 전기적 특성과 상기 제2 전기적 특성을 서로 비교하여, 상기 복수의 단위센서 중 상기 프로브가 고정된 단위센서의 위치를 결정한다.
Abstract:
A sensor system of the present invention comprises a sensor unit which tests a subject being monitored. The sensor unit comprises a sensor having a plurality of unit sensors. The unit sensor includes: a substrate; a first electrode arranged on the substrate; a second electrode arranged on the substrate to be separated from the first electrode; and at least one nanostructure which is electrically connected with the first electrode and the second electrode and which has changed electrical properties depending on the subject being monitored. The sensor is arranged so that the unit sensors are arrayed.
Abstract:
일 실시 예에 있어서, 기준 전위 조절 장치가 개시된다. 기준 전위 조절 장치는 용액의 전위를 측정하는 기준전위측정부, 상기 용액 내에 배치되고 상기 용액과의 산화환원반응을 통하여 상기 용액의 전위를 변화시키는 상대전극, 및 상기 기준전위측정부로부터 제공되는 측정전압과 기준전원으로부터 제공되는 기준전압을 서로 비교하여 상대전극과 상기 용액 사이의 반응성을 조절하는 제어신호를 발생시키는 비교기를 포함한다. 상기 기준전위측정부는 기준전극, 상기 기준전극과 이격되어 배치되는 공통전극, 및 상기 기준전극과 상기 공통전극과 접촉하며 상기 용액의 전위에 따라 전기전도도가 변화하는 적어도 하나의 나노구조물을 포함한다.
Abstract:
본 발명에 의한 메모리는 단위 메모리 셀들이 어레이로 배치된 단위 메모리 어레이들이 매트릭스로 배치된 적어도 하나의 제1 기판, 상기 적어도 하나의 제1 기판과 적층되며, 상기 메모리 셀들이 저장한 정보를 감지하는 센스 앰프들이 위치하는 센스 앰프 영역을 포함하는 제2 기판 및 상기 적어도 하나의 제1 기판과 제2 기판을 전기적으로 연결하는 복수의 수직 도전 경로(vertical conduction trace)를 포함하며, 상기 센스 앰프 영역은 제2 기판의 메모리 영역 내에 배치된다.
Abstract:
A bonding stimulating apparatus prepared by the present invention comprises: a first electrode; a second electrode which is separated from the first electrode; a channel unit whose one part is electrically connected with the first electrode and whose the other part is electrically connected with the second electrode; a stimuli source which is electrically connected with the channel unit in order to apply electric stimuli; and a probe which is connected with the channel unit in order to complementarily combined with a target material being sensed.