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公开(公告)号：KR101309308B1
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020110034856
申请日：2011-04-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , H01L21/786
Abstract: 본 발명은 전자소자와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 그래핀(graphene) 또는 그래파이트(graphite)를 포함하는 탄소층, 상기 탄소층 위에 형성된 박막, 및 상기 탄소층 상에 마련된 나노 구조물을 포함하며, 상기 박막은 상기 나노 구조물을 덮는 것을 특징으로 하는 전자소자가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020130024052A
公开(公告)日：2013-03-08
申请号：KR1020110087248
申请日：2011-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/22 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to extend a light emission area by forming an active layer on a core part. CONSTITUTION: A core part(500) is formed on a first conductivity type semiconductor layer(300). An active layer(600) surrounds the core part. The active layer has three crystalline planes which have different wavelengths according to the voltage. A second conductive semiconductor layer(700) is formed on the active layer.
Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件，通过在芯部上形成有源层来延伸发光区域。 构成：在第一导电型半导体层（300）上形成芯部（500）。 活性层（600）包围核心部分。 有源层具有根据电压具有不同波长的三个晶面。 在有源层上形成第二导电半导体层（700）。
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公开(公告)号：KR101217209B1
公开(公告)日：2012-12-31
申请号：KR1020100097840
申请日：2010-10-07
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y20/00 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/641
Abstract: 본발명은, 그래핀을포함하는탄소층; 상기탄소층에서상측으로성장된복수의미세구조체; 및상기미세구조체의표면상에형성된발광구조층을포함하는발광소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020120036129A
公开(公告)日：2012-04-17
申请号：KR1020100097840
申请日：2010-10-07
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y20/00 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/641
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to increase the area of a light emitting layer compared to a thin film using a vertically grown microstructure. CONSTITUTION: A carbon layer(20) comprises graphene. A plurality of microstructures(40) is vertically grown from the carbon layer. A light emitting structure layer(50) is arranged on the surface of the microstructure. A first electrode layer(60) is arranged on the light emitting structure layer. An insulating layer(30) is arranged between the first electrode layer and the carbon layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，以增加与使用垂直生长的微结构的薄膜相比发光层的面积。 构成：碳层（20）包括石墨烯。 多个微结构（40）从碳层垂直生长。 发光结构层（50）布置在微结构的表面上。 第一电极层（60）布置在发光结构层上。 绝缘层（30）设置在第一电极层和碳层之间。
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公开(公告)号：KR101882876B1
公开(公告)日：2018-07-30
申请号：KR1020160071734
申请日：2016-06-09
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 한국생명공학연구원
IPC: C07D493/10 , A61K31/34 , A61K36/75
Abstract: 방향족케톤계화합물, 이를생산하는방법, 및이의용도를제공한다. 상기화합물은해열및 통증억제활성이있으므로, 해열및 진통제로서이용가능하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101811048B1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020160117089
申请日：2016-09-12
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 한국생명공학연구원
IPC: A61K36/42 , A61K31/704 , A23L33/105 , A23K20/105 , C07J17/00
CPC classification number: A61K36/42 , A23K20/105 , A23L33/105 , A23V2002/00 , A23V2200/322 , A23V2250/21 , A23V2250/60 , A61K31/704 , C07J17/005
Abstract: 본발명은지노스테마론기페스 VK1(VK1) 추출물또는이로부터분리한론기페노사이드 A(longipenoside A) 화합물을유효성분으로포함하는인지기능장애예방또는치료용조성물에관한것으로, 지노스테마론기페스 VK1 추출물또는이로부터분리한론기페노사이드 A 화합물을기억력감퇴및 인지장애동물모델에투여한결과, 인지능력및 기억력증진효과가있음을확인하였다.
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17.发明公开광추출 향상층의 제조방법, 이에 따라 제조된 광추출 향상층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 조명 및 디스플레이 장치 无效用于制造光提取层的方法，包括光提取层的有机发光二极管以及照明和显示装置
公开(公告)号：KR1020140098687A
公开(公告)日：2014-08-08
申请号：KR1020140009377
申请日：2014-01-27
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5262
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a light extraction improving layer, an organic light emitting diode including the light extraction improving layer manufactured thereby, and a lighting and a display device including the same and, more particularly, to a method for manufacturing a light extraction improving layer using a phase separation principle, an organic light emitting diode including the light extraction improving layer manufactured thereby, and a lighting and a display device including the same.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造光提取改进层的方法，包括由其制造的光提取改善层的有机发光二极管，以及包括该光提取改善层的照明和显示装置，更具体地，涉及一种制造 使用相分离原理的光提取改善层，包含由其制造的光提取改善层的有机发光二极管，以及包括该光源的照明和显示装置。
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公开(公告)号：KR101263286B1
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：KR1020100102068
申请日：2010-10-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은반도체광소자및 그제조방법에관한것으로서, 기판과, 상기기판상에제조된적어도하나의반도체구조물과, 상기적어도하나의반도체구조물상부또는반도체구조물사이에성장된반도체박막과, 상기반도체구조물상부에성장된반도체박막에형성된제 1 전극부와, 상기기판상부또는하부에형성된제 2 전극부를포함하는것으로서, 박막형과나노막대형반도체광소자의우수한특성을유지하면서도간단한공정으로생산이가능한고효율의반도체광소자및 그제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020110117592A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020100102068
申请日：2010-10-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/04 , H01L2924/12041
Abstract: 본 발명은 반도체 광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 제조된 적어도 하나의 반도체 구조물과, 상기 적어도 하나의 반도체 구조물 상부 또는 반도체 구조물 사이에 성장된 반도체 박막과, 상기 반도체 구조물 상부에 성장된 반도체 박막에 형성된 제 1 전극부와, 상기 기판 상부 또는 하부에 형성된 제 2 전극부를 포함하는 것으로서, 박막형과 나노막대형 반도체 광소자의 우수한 특성을 유지하면서도 간단한 공정으로 생산이 가능한 고효율의 반도체 광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020100126103A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：KR1020090045165
申请日：2009-05-22
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A light emission device and a manufacturing method thereof are provided to improve the light emission efficiency and the output efficiency by increasing the contacting area and the light emitting area between an electrode and a nano structure. CONSTITUTION: A mask layer(12) is located on a substrate(10). The mask layer comprises one or more openings(121). A light-emitting structure(16) is formed on the mask layer. A first electrode(18) contacts the exterior of the light-emitting structure. A second electrode(20) contact the inner surface of the light-emitting structure.
Abstract translation: 目的：提供发光器件及其制造方法，通过增加电极和纳米结构之间的接触面积和发光面积来提高发光效率和输出效率。 构成：掩模层（12）位于衬底（10）上。 掩模层包括一个或多个开口（121）。 在掩模层上形成发光结构（16）。 第一电极（18）接触发光结构的外部。 第二电极（20）与发光结构的内表面接触。
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