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公开(公告)号：WO2013032268A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/KR2012/006984
申请日：2012-08-31
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 이철호
IPC: H01L29/786 , H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/02444 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02527 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/263 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/225 , H01L29/24 , H01L29/66015 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/66742 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/78603 , H01L29/78684
Abstract: 본 발명의 일실시예는, 그래핀(graphene)을 포함하는 탄소층; 상기 탄소층 상에 형성된 박막층; 상기 박막층 상에 형성된 채널층; 상기 박막층과 상기 채널층 사이에 형성되며, 상기 박막층과 상기 채널층 사이의 전류 흐름을 차단하는 전류 차단층; 및 상기 채널층 상에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자를 제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例，电子设备的特征在于包括：包括石墨烯的碳层; 形成在所述碳层上的薄膜层; 形成在所述薄膜层上的沟道层; 形成在所述薄膜层和所述沟道层之间的电流截止层，以切断所述薄膜层和所述沟道层之间的电流; 以及形成在沟道层上的源电极和漏电极。
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公开(公告)号：WO2012057506A2
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/KR2011/007995
申请日：2011-10-25
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 허재혁 , 김용진
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/0392 , H01L31/07 , H01L31/072 , H01L31/073 , H01L31/0735 , H01L31/075 , H01L31/1892 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02E10/548
Abstract: 본원은, 탄소구조체층과, 상기 탄소구조체층 상에 형성되어 있는 미세 구조물과, 상기 미세 구조물을 덮어 형성되며, 전하분리접합부를 포함하는 박막층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池，其包括碳结构层，形成在所述碳结构层上的微结构，以及覆盖所述微结构并包括电荷分离结的薄膜层， 和一种生产它的方法。
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公开(公告)号：WO2021246595A1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：PCT/KR2020/017136
申请日：2020-11-27
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/193 , H01L41/35 , H01L41/25
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 나노 압전소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 탄소원자가 서로 연결되어 벌집모양의 평면구조를 갖는 그래핀으로 형성된 탄소층; 상기 탄소층의 일면에서 수직으로 성장한 하나 이상의 나노 구조물; 상기 하나 이상의 나노 구조물의 상부에 배치되는 제 1 전극; 상기 탄소층 타면 상에 배치되는 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 충진되는 절연체;를 포함하는, 나노 압전소자가 제공된다.
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公开(公告)号：WO2013025043A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2012/006484
申请日：2012-08-14
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 정건욱
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/32
Abstract: 본 발명에 따른 광소자는 투명한 비정질의 기판; 상기 기판 상에 형성된전류주입층; 상기 전류주입층 상에 형성된 흑연층; 및 상기 흑연층 상에 형성된 반도체부를 포함하고, 비정질 기판에 흑연층을 형성한 후 반도체부를 형성함으로써, 종래의 비정질 기판에 반도체부 형성의 문제점을 보완할 수 있으며, 우수한 결정성을 갖는 반도체부를 형성할 수 있는 광소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 提供了一种光学器件及其制造方法。 根据本发明的光学装置包括：透明非晶基板; 形成在所述基板上的电流注入层; 形成在电流注入层上的石墨层; 以及形成在所述石墨层上的半导体单元，其中，在所述非晶基板上形成所述石墨层之后形成所述半导体单元，从而克服了涉及在非晶基板上形成半导体单元的常规方法的问题，以及所述半导体单元 本发明具有优异的结晶度。
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公开(公告)号：WO2012047069A2
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/KR2011/007461
申请日：2011-10-07
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 정건욱 , 이철호
Abstract: 본 발명은, 그래핀을 포함하는 탄소층; 상기 탄소층에서 상측으로 성장된 복수의 미세 구조체; 상기 미세 구조체를 피복하는 박막층; 및 상기 박막층 상에 형성된 발광 구조층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及包含石墨烯的碳层; 在碳层中向上生长的多个微结构; 覆盖微结构的薄膜层; 并且在薄膜层上形成发光结构层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2022215891A1
公开(公告)日：2022-10-13
申请号：PCT/KR2022/003701
申请日：2022-03-16
Applicant: 주식회사 디플랫 , 성균관대학교산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 전사없이, 기재 상에 그래핀층을 직접 합성하는 단계; 및 상기 그래핀층 상에 LED층을 합성하는 단계를 포함하는, 쉽게 분리 가능한 LED 구조체 제조방법 및 상기 제조방법으로 제조된 LED 구조체가 제공된다. (대표도 : 도 1)
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公开(公告)号：WO2012141561A2
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/KR2012/002886
申请日：2012-04-16
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 정건욱 , 이철호
IPC: B82B1/00 , H01L29/786
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/182 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 전자소자와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 그래핀(graphene) 또는 그래파이트(graphite)를 포함하는 탄소층 및 이 탄소층 위에 형성된 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자가 제공된다.
Abstract translation: 电子装置及其制造方法技术领域本发明涉及电子装置及其制造方法。 根据本发明，提供一种电子器件，其包括碳层，所述碳层包括石墨烯或石墨和形成在碳层上的薄膜。
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公开(公告)号：WO2012047068A2
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/KR2011/007460
申请日：2011-10-07
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 이철호 , 김용진
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y20/00 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/641
Abstract: 본 발명은, 그래핀을 포함하는 탄소층; 상기 탄소층에서 상측으로 성장된 복수의 미세 구조체; 및 상기 미세 구조체의 표면 상에 형성된 발광 구조층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种发光元件，包括：包含石墨烯的碳层; 多个精细结构朝向碳层的上侧生长; 以及形成在精细结构的表面上的发光结构层。
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公开(公告)号：WO2012057504A3
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/KR2011/007993
申请日：2011-10-25
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 김용진 , 이철호
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236
Abstract: 본원은 탄소구조체층과, 상기 탄소구조체층 상에 형성되어 있는 미세 구조물과, 상기 미세 구조물 표면에 형성되어 있는, 전하분리접합부를 포함하는 전하분리층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101790614B1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020160057600
申请日：2016-05-11
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 실시예는, 제1방향으로이격된복수개의제1전극라인; 상기제1전극라인의상부에배치되고, 제2방향으로이격된복수개의제2전극라인; 및상기제1전극라인과제2전극라인사이에배치되는반도체소자를포함하고, 상기제1방향과제2방향은교차하고, 상기복수개의제1전극라인은상기제2방향으로연장되고, 상기복수개의제2전극라인은상기제1방향으로연장되고, 상기반도체소자는상기복수개의제1전극라인을따라연장되는복수개의제1반도체라인을포함하는촉각정보제공장치를개시한다.
Abstract translation: 实施例包括：沿第一方向间隔开的多个第一电极线; 多条第二电极线，设置在第一电极线上并且在第二方向上彼此间隔开; 并且设置在第一电极线任务两电极线之间的半导体元件，其中第一方向任务2方向相交，多个第一电极线沿第二方向延伸，并且多个 第二电极线沿第一方向延伸，并且半导体器件包括沿着多个第一电极线延伸的多个第一半导体线。
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