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公开(公告)号：KR1020160053162A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140150078
申请日：2014-10-31
Applicant: 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G06N99/002 , H01J3/00 , H01J49/0018 , H01L49/006 , H01J9/14 , H01J49/0013 , H01J49/422 , H04B10/70
Abstract: 본발명의실시예는, 반도체기판상에 DC 연결패드, 및상기 DC 연결패드에연결된 DC 레일을포함하는하나이상의중앙 DC전극; 상기 DC 레일에인접하여위치하는하나이상의 RF 레일, 및상기하나이상의 RF 레일에연결된 RF 패드를포함하는 RF 전극; 상기 RF 전극을기준으로상기 DC전극반대측에위치하는하나이상의측방전극패드를포함하는하나이상의측방전극; 및상기반도체기판상부에각 전극중에서적어도하나의전극을지지하는절연층을포함하고, 상기절연층은제1 절연층과상기제1 절연층의상부에위치하는제2 절연층을포함하고, 상기제2 절연층은폭 방향으로상기제1 절연층보다돌출된돌출부(Overhang)를갖는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例的主要目的是设计一种离子阱芯片结构的形状及其工艺方法，该方法防止离子阱芯片结构中包含的绝缘层暴露于离子阱位置，以便 提高俘获带电粒子如离子的性能。 根据本发明的实施例，离子俘获装置包括：至少一个中心DC电极，其包括半导体衬底上的DC连接焊盘和连接到DC连接焊盘的DC导轨; RF电极，其包括邻近所述DC导轨设置的至少一个RF轨，以及连接到所述至少一个RF轨的RF焊盘; 至少一个横向电极，其包括相对于所述RF电极与所述中心DC电极相对设置的至少一个横向电极; 以及绝缘层，其在半导体衬底上支撑中心DC电极，RF电极和横向电极中的至少一个。 绝缘层包括设置在第一绝缘层上的第一绝缘层和第二绝缘层，并且第二绝缘层具有在宽度方向上比第一绝缘层进一步突出的突出端。
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公开(公告)号：KR1020160053115A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140149616
申请日：2014-10-30
Applicant: 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01J49/42
CPC classification number: H01J49/0018 , H01J49/42
Abstract: 본발명의실시예는반도체기판상에 DC 연결패드, 및상기 DC 연결패드에연결된 DC 레일을포함하는하나이상의중앙 DC전극; 상기 DC 레일에인접하여위치하는하나이상의 RF 레일, 및상기하나이상의 RF 레일에연결된 RF 패드를포함하는 RF 전극; 상기 RF 전극을기준으로상기 DC전극반대측에위치하는하나이상의측방전극패드를포함하는하나이상의측방전극; 및각 전극과상기반도체기판사이에상기각 전극을지지하는절연층을포함하고, 상기각 전극중에서적어도하나의전극은상기절연층으로부터폭 방향으로돌출된돌출부(Overhang)를갖는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明的目的是通过在离子捕获电极上实现具有均匀且准确的长度的电极悬垂，通过牺牲来制造最小化绝缘层的侧壁暴露于离子捕获位置的区域的离子捕获结构 并且是提高通过离子捕获结构捕获的性能和稳定性。 本发明的实施例提供了一种通过使用牺牲层捕获离子的装置及其制造方法。 用于捕获离子的装置包括：一个或多个中心DC电极，包括半导体衬底上的DC连接焊盘和连接到DC连接焊盘的DC导轨; RF电极，其包括邻近所述DC导轨设置的至少一个RF轨和连接到所述至少一个RF轨的RF焊盘; 至少一个横向电极，其包括相对于所述RF电极与所述中心DC电极相对设置的至少一个横向电极焊盘; 以及设置在各个电极和半导体衬底之间并且支撑各个电极的绝缘层。 各个电极中的至少一个具有从宽度方向从绝缘层突出的突出端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120063171A
公开(公告)日：2012-06-15
申请号：KR1020100124241
申请日：2010-12-07
Applicant: 코웨이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: C02F1/325 , B01D53/88 , B01D2255/20707 , B01D2255/802 , B01D2257/90 , B01D2258/06 , B01J19/123 , B01J35/004 , B01J2219/0875 , B01J2219/0877 , B01J2219/0892 , C02F1/725 , C02F2201/3223 , C02F2305/10
Abstract: PURPOSE: A photo-catalytic apparatus is provided to increase the reactivity of photo-catalytic reaction by forming a pollutant inlet for forming turbulence in a reacting path. CONSTITUTION: A photo-catalytic apparatus includes an ultraviolet light source(1), non-woven fabric(6), and a reacting path(10). The non-woven fabric surrounds the ultraviolet light source. A photo-catalyst is applied on the non-woven fabric. The reactive path is formed between the ultraviolet light source and the non-woven fabric. Polluted fluid flows along the reacting path to be purified based on photo-catalytic reaction. The ultraviolet light source is cylindrically shaped. The non-woven fabric is cylindrically arranged at the external side of the ultraviolet light source.
Abstract translation: 目的：提供光催化装置，通过形成反应路径中形成湍流的污染物入口来提高光催化反应的反应性。 构成：光催化装置包括紫外光源（1），无纺布（6）和反应路径（10）。 无纺布围绕着紫外光源。 将光催化剂涂布在无纺布上。 紫外光源和无纺布之间形成反应路径。 污染流体沿着反应路径流动，基于光催化反应进行纯化。 紫外光源为圆柱形。 无纺布在紫外线光源的外侧是圆筒状的。
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公开(公告)号：KR1020170051835A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150153238
申请日：2015-11-02
Applicant: 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/768
Abstract: 본실시예는복수의희생층을이용함으로써구조층과희생층간의상호작용을조절하고구조층이받는영향을최소화할수 있는멤스구조물및 그제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本实施例提供了一种MEMS结构及其制造方法，其可以通过使用多个牺牲层来控制结构层和牺牲层之间的相互作用并且使结构层的影响最小化。
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公开(公告)号：KR101725793B1
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：KR1020140149552
申请日：2014-10-30
Applicant: 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01J49/424 , G06N99/00 , G06N99/002 , H01J3/40 , H01J9/14
Abstract: 본발명의실시예는기판의상측또는하측에제1 RF 전극레일, 제2 RF 전극레일, 하나이상의제1 DC 전극및 하나이상의제2 DC 전극을포함하는이온트랩장치에있어서, 상기기판은상기이온트랩장치의폭 방향을기준으로일측과타측이일정거리이격되어분리된공간에이온트랩영역을형성하고, 상기제1 RF 전극레일및 상기제2 RF 전극레일은상기이온트랩장치의길이방향으로나란하게배치되고, 상기일측상부에상기제1 RF 전극레일이위치하고, 상기일측하부에상기하나이상의제2 DC 전극이위치하고, 상기타측상부에상기하나이상의제1 DC 전극이위치하고, 상기타측하부에상기제2 RF 전극레일이위치하고, 상기기판의일측또는타측의외측면에서상기트랩영역으로연결된레이저관통로를구비하는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101725788B1
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：KR1020140150078
申请日：2014-10-31
Applicant: 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G06N99/002 , H01J3/00 , H01J49/0018 , H01L49/006
Abstract: 본발명의실시예는, 반도체기판상에 DC 연결패드, 및상기 DC 연결패드에연결된 DC 레일을포함하는하나이상의중앙 DC전극; 상기 DC 레일에인접하여위치하는하나이상의 RF 레일, 및상기하나이상의 RF 레일에연결된 RF 패드를포함하는 RF 전극; 상기 RF 전극을기준으로상기 DC전극반대측에위치하는하나이상의측방전극패드를포함하는하나이상의측방전극; 및상기반도체기판상부에각 전극중에서적어도하나의전극을지지하는절연층을포함하고, 상기절연층은제1 절연층과상기제1 절연층의상부에위치하는제2 절연층을포함하고, 상기제2 절연층은폭 방향으로상기제1 절연층보다돌출된돌출부(Overhang)를갖는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160053099A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140149552
申请日：2014-10-30
Applicant: 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01J49/424 , G06N99/00 , G06N99/002 , H01J3/40 , H01J9/14 , H01J3/00 , H01J49/0018 , H01J49/422 , H04B10/70 , H04L9/12
Abstract: 본발명의실시예는기판의상측또는하측에제1 RF 전극레일, 제2 RF 전극레일, 하나이상의제1 DC 전극및 하나이상의제2 DC 전극을포함하는이온트랩장치에있어서, 상기기판은상기이온트랩장치의폭 방향을기준으로일측과타측이일정거리이격되어분리된공간에이온트랩영역을형성하고, 상기제1 RF 전극레일및 상기제2 RF 전극레일은상기이온트랩장치의길이방향으로나란하게배치되고, 상기일측상부에상기제1 RF 전극레일이위치하고, 상기일측하부에상기하나이상의제2 DC 전극이위치하고, 상기타측상부에상기하나이상의제1 DC 전극이위치하고, 상기타측하부에상기제2 RF 전극레일이위치하고, 상기기판의일측또는타측의외측면에서상기트랩영역으로연결된레이저관통로를구비하는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明的实施例提供一种离子阱装置及其制造方法。 离子阱装置包括第一RF电极轨，第二RF电极轨，至少一个第一DC电极和至少一个第二DC电极，位于衬底之上或之下。 离子阱区域形成在由离子阱装置的宽度方向彼此隔开一定距离的衬底的一侧和另一侧限定的分离空间中。 第一RF电极轨道和第二RF电极轨道在离子阱装置的长度方向上彼此平行地设置。 第一RF电极轨设置在衬底的一侧之上。 所述至少一个第二直流电极设置在所述基板的一侧的下方。 所述至少一个第一DC电极设置在所述衬底的另一侧之上，并且所述第二RF电极轨设置在所述衬底的另一侧下方。 激光穿透路径从衬底的一侧或另一侧的外表面延伸到离子阱区域。
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