公开(公告)号：KR101956277B1

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：KR1020180034648

申请日：2018-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  박지훈 ,  안종렬

IPC: C01B32/188 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

公开(公告)号：KR101919423B1

公开(公告)日：2018-11-19

申请号：KR1020120084578

申请日：2012-08-01

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종렬 ,  서정탁 ,  박지훈 ,  전철호

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y99/00 ,  C23C18/08 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/778

Abstract: 그래핀에금속원자층을흡착시킴으로써비화학적결합에의한전자의편재화로인해상기그래핀에밴드갭을형성하여반도체화를달성할수 있다. 이와같은금속함유그래핀은센서, 트랜지스터와같은다양한전기소자에활용할수 있다.

公开(公告)号：KR101878750B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020110059746

申请日：2011-06-20

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  안종렬 ,  전철호

IPC: C01B31/02 ,  B82B1/00 ,  H01L21/328 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/778 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/78684 ,  Y10T428/30

Abstract: 단일층그라펜에알칼리금속을함유시킴으로써비화학적결합에의한전자의편재화로인해상기단일층그라펜에밴드갭을형성하여반도체화를달성할수 있다. 이와같은알칼리금속함유단일층그라펜은센서, 트랜지스터와같은다양한전기소자에활용할수 있다.

公开(公告)号：KR101878730B1

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：KR1020110029848

申请日：2011-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  박지훈 ,  안종렬

IPC: C01B31/02 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/02587 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/188 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606

Abstract: 3차원그래핀구조체, 그의제조방법및 전사방법이제공된다. 3차원형태의기판상에서 3차원그래핀구조체를형성한후, 이를가스삽입후 분리하여원하는다른절연성필름상에손상없이전사할수 있는방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020130006869A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020110061796

申请日：2011-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  안종렬 ,  서정탁

IPC: C01B31/02 ,  B32B18/00 ,  H01B1/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: B32B9/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02656 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/778 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01M4/96 ,  H01M8/0234 ,  H01M8/086 ,  H01M8/1007 ,  H01M8/1011 ,  H01M8/103 ,  H01M8/1041 ,  Y02E10/50 ,  Y02E60/523 ,  Y02P70/56 ,  C01B32/184

Abstract: PURPOSE: A graphene layered structure, a manufacturing method thereof and a transparent electrode and transistor comprising the same are provided to not need separate transcription process and to prevent damages of graphene by directly growing the graphene on an insulator. CONSTITUTION: A manufacturing method of a graphene layered structure comprises: a step of injecting at least one kind of gas ions selected from a nitrogen ion(2) and an oxygen ion, into the surface of a silicon carbide thin film(1) to forming an ion injection layer inside the silicon carbide thin film; a step of heat-treating the silicon carbide thin film for graphenization of the carbide thin film surface layer. The ion injection layer is a nitride silicon layer. The thickness of the ion injection layer is 230 nm or less. The heat-treatment is conducted at 1,000-2,000°C for 0.001-10 hours.

Abstract translation: 目的：提供石墨烯层状结构，其制造方法以及包含该石墨烯层状结构的透明电极和晶体管，以便不需要单独的转录过程，并且通过在绝缘体上直接生长石墨烯来防止石墨烯损坏。 构成：石墨烯层状结构的制造方法包括：将从氮离子（2）和氧离子中选择的至少一种气体离子注入碳化硅薄膜（1）的表面的步骤，以形成 碳化硅薄膜内的离子注入层; 对用于碳化物薄膜表面层的石墨化的碳化硅薄膜进行热处理的步骤。 离子注入层是氮化硅层。 离子注入层的厚度为230nm以下。 热处理在1000〜2000℃进行0.001-10小时。