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公开(公告)号：KR101557246B1
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020140180518
申请日：2014-12-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명에서는마찰전기현상을이용하여 2차원구조물질들(2D metal, 2D semi conductor 등) 표면에높은농도의전하를대전시켜전도도, 도핑프로파일(doping profile) 등의전기적특성을제어할수 있는새로운기술에대해소개하고자한다.
Abstract translation: 本发明通过使用摩擦带电，通过使具有高电荷密度的2D材料（2D金属，2D半导体等）的表面通电来引入用于控制诸如导电性，掺杂分布等的电性能的新技术。
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公开(公告)号：KR1020170071436A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：KR1020160170080
申请日：2016-12-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L31/0547 , H01L41/113 , H01L41/183 , H02S10/10 , Y02E10/52
Abstract: 디스플레이패널표면에배치되는것을특징으로하는디스플레이패널용전기에너지하베스터가개시된다. 디스플레이패널용전기에너지하베스터는투명하고유연한하부전극; 상기하부전극상에배치된투명하고유연한압전물질로이루어져있는압전물질층; 상기압전물질층내부에분산되어있고, 상기압전물질층을통과하는빛을반사하는반사체들; 상기압전물질층의측면들중 하나이상에배치되고, 상기반사체로부터반사되는빛을받아전기에너지를발생하는하나이상의태양전지; 및상기압전물질층상에배치된투명하고유연한상부전극을포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种布置在显示面板的表面上的用于显示面板的电能收集器。 用于显示面板的电能收集器是透明且柔性的下电极; 设置在下电极上的由透明且柔性的压电材料制成的压电材料层; 分散在压电材料层中并反射穿过压电材料层的光的反射器; 至少一个太阳能电池，设置在压电材料层的至少一个侧面中，并适于接收从反射器反射的光以产生电能; 以及设置在压电材料层上的透明且柔性的上电极。
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公开(公告)号：KR1020150073074A
公开(公告)日：2015-06-30
申请号：KR1020140153036
申请日：2014-11-05
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05B3/14
CPC classification number: H05B3/145 , H05B3/03 , H05B2203/01 , H05B2203/017
Abstract: 마이크로히터및 그제조방법이개시된다. 마이크로히터는기판; 상기기판상에위치되고, 패턴이형성된그래핀; 및상기그래핀상에위치되는보호층을포함할수 있다. 마이크로히터의제조방법은기판을준비하는단계; 상기기판상에그래핀을전사하는단계; 상기그래핀에전원공급을위한제1 패턴을형성하는단계; 상기그래핀에열을집속하기위한제2 패턴을형성하는단계; 및상기제1 패턴및 상기제2 패턴이형성된그래핀상에보호층을형성하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种微加热器及其制造方法。 微加热器包括基板，位于基板上并具有图案的石墨烯和位于石墨烯上的保护层。 微加热器的制造方法包括：准备基板; 将石墨烯转移到基底上; 形成用于向所述石墨烯供电的第一图案; 形成用于将热量集中在石墨烯上的第二图案; 以及在其上形成有第二图案的石墨烯上形成保护层。
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公开(公告)号：KR1020150044676A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：KR1020130124018
申请日：2013-10-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/02 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , C01B32/194 , C01B32/186 , C01B2204/02 , H01L31/042
Abstract: 본발명은그래핀구조체에단원자물질을가스도핑한그래핀구조체, 및이러한그래핀구조체를이용한에너지발전소자와그 제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른에너지발전소자를제작하는방법은, CVD 방식으로모노레이어그래핀구조체를성장시키는단계; 상기성장된그래핀구조체를기판상에전사시키는단계; 상기기판상에전사된그래핀구조체상에단원자물질을도핑하는단계로서, 도핑에의해그래핀의탄소원자및 단원자물질간에결합이이루어지는, 단계; 및상기그래핀구조체의양 끝단에전극물질을증착시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及掺杂有单原子气体的石墨烯结构，使用石墨烯结构的发电装置及其制造方法。 根据本发明的实施例，发电装置的制造方法包括以下步骤：通过使用CVD法生长单层石墨烯结构; 将生长的石墨烯结构转移到基底上; 将单原子物质掺杂到转移到衬底的石墨烯结构上，以通过掺杂使得石墨烯结构中的碳原子与单原子物质之间的键合; 以及在所述石墨烯结构的两端上沉积电极材料。
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公开(公告)号：KR1020140052517A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120118666
申请日：2012-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B21/064 , H01L21/203
Abstract: A hexagonal boron nitride sheet and a direct growth method thereof are provided, and according to the direct growth method, by directly growing boron nitride sheets on a substrate and then improving the crystallizability, an additional transcription process is not required thereby minimizing damage of the boron nitride sheet.
Abstract translation: 提供六方氮化硼片及其直接生长方法，根据直接生长法，通过在基片上直接生长氮化硼片，然后提高结晶性，不需要额外的转录过程，从而使硼的损伤最小化 氮化物片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101325575B1
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：KR1020110145045
申请日：2011-12-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 환원 전위차를 이용한 그래핀의 선택적 식각방법으로 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 그래핀 상에 금속 박막을 증착시켜 막 형태의 금속층을 형성하는 제 1 단계; 상기 막 형태의 금속층이 형성된 그래핀을 진공 하에서 열 처리하여 그래핀 상에 입자 형태의 금속층을 형성하는 제 2 단계; 및 상기 입자 형태의 금속층이 형성된 그래핀을 대기 분위기 하에서 열 처리하여 입자 형태의 금속과 접촉된 그래핀 부분을 식각하는 제 3 단계;를 포함하는 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020120081935A
公开(公告)日：2012-07-20
申请号：KR1020110145045
申请日：2011-12-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/184 , B82B3/0009 , B82B3/0038 , C23C16/06
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a graphene film with a porous nano-structure is provided to simply implement manufacturing processes based on a galvanic corrosion phenomenon between a metal film and graphene. CONSTITUTION: A method for manufacturing a graphene film with a porous nano-structure includes the following: a metal thin film is deposited on graphene to form a film-shaped metal layer; the graphene with the film-shaped metal layer is thermally treated under a vacuum state to form a granule-shaped metal layer on the graphene; and the graphene with the granule-shaped metal layer is thermally treated under an atmospheric condition to etch the part of the graphene in contact with a granule-shaped metal. In the film-shaped metal layer forming process, the standard reduction potential of the metal is higher than the standard reduction potential of the graphene; and the metal is Ag or Au.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有多孔纳米结构的石墨烯膜的方法，以简单地实现基于金属膜和石墨烯之间的电偶腐蚀现象的制造工艺。 构成：用于制造具有多孔纳米结构的石墨烯膜的方法包括以下：在石墨烯上沉积金属薄膜以形成膜状金属层; 在真空状态下对具有膜状金属层的石墨烯进行热处理，以在石墨烯上形成颗粒状金属层; 并且在大气条件下对具有颗粒状金属层的石墨烯进行热处理，以蚀刻与颗粒状金属接触的部分石墨烯。 在膜状金属层形成工序中，金属的标准还原电位高于石墨烯的标准还原电位; 金属是Ag或Au。
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公开(公告)号：KR101917743B1
公开(公告)日：2018-11-12
申请号：KR1020120118666
申请日：2012-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/18 , H01L21/02 , C01B21/064 , H01L21/324
Abstract: 육방정계질화붕소시트및 그의직성장방법이제공되며, 상기직성장방법에따르면기판상에서질화붕소시트를직접성장시킨후 그결정성을향상시킴으로써별도의전사공정이요구되지않아질화붕소시트의손상을최소화시키는것이가능해진다.
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公开(公告)号：KR101910278B1
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：KR1020170068478
申请日：2017-06-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G03F1/74 , G03F7/2059 , G03F7/70358 , G03F9/7061
Abstract: 본발명의일실시예인 SPM 탐침을이용한전하주입방식의메모리소자는전도체또는반도체물질로이루어진기판층; 상기기판층의일면에위치된유전체층, 상기유전체층의일면에위치된 2D 물질층, 및상기 2D 물질층에접촉모드(contact mode)에서, 마찰되어전하를전달하여, 상기유전체층으로전하를주입할수 있는주사탐침현미경(Scanning probe microscopy, SPM) 탐침을포함한다.
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