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公开(公告)号：KR100883642B1
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020077015029
申请日：2005-02-24
Applicant: 소이텍
Inventor： 다발니콜라스
IPC: H01L21/3105 , H01L21/762
Abstract: 본 발명은: 후속적인 제 2단계 도중에 피팅으로부터 하부 SiGe를 보호할 수 있는 캡핑 산화물을 형성하기에 충분히 두껍고, 상기 SiGe 층내에 변위 발생에 해당하는, 한계치 두께 범위 이내로 산화된 표면 영역의 두께를 유기하기에 충분히 얇은, 산화 열처리의 제 1단계; 및 상기 제 1단계 이후에 상기 SiGe 층 상에서 수행되는, 비활성 분위기에서 고온 어닐링하는 제 2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면 영역의 산화를 위한 SiGe 층의 산화 열처리 단계를 포함하는, SiGe 층의 표면 영역 산화 방법에 관한 것이며: 산화 영역을 얻기 위하여 상기 SiGe 층 바로 위에서 수행되며, 상기 SiGe 층은 제 1단계 도중에 형성된 상기 산화된 영역으로 캡트되고, 상기 고온 어닐링은 상기 SiGe 층의 하부내로 Ge-농축 영역으로부터 Ge의 확산을 허용한다.
산화 열처리, 직접 산화, 산화물 층, SiGe 층
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