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公开(公告)号：KR101922572B1
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：KR1020170038565
申请日：2017-03-27
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본발명의이온성젤 미세패턴형성방법은기판에포토레지스트층을형성하는단계; 패터닝공정을통해포토레지스트층에소정패턴을가진몰드를형성하는단계; 몰드에형성된공동에이온성젤 전구체를충진하는단계; 및이온성젤 전구체를경화시키는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101785508B1
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：KR1020160132263
申请日：2016-10-12
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본발명의능동형메타물질어레이는기판; 기판상에서로이격하여배치된복수의메타물질구조체; 복수의메타물질구조체사이에형성되어메타물질구조체들을선택적으로연결하는전도도가변물질층; 메타물질구조체와전도도가변물질층 상에형성되는전해질물질층; 및기판의일단에배치되어전해질물질층의일 영역과접촉하는게이트전극을포함하되, 게이트전극은, 게이트전극에외부전압이인가될경우, 전해질물질층에포함된이온의이동을제어하여전도도가변물질층의전도도를가변시킨다.
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公开(公告)号：KR1020170112935A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160132263
申请日：2016-10-12
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본발명의능동형메타물질어레이는기판; 기판상에서로이격하여배치된복수의메타물질구조체; 복수의메타물질구조체사이에형성되어메타물질구조체들을선택적으로연결하는전도도가변물질층; 메타물질구조체와전도도가변물질층 상에형성되는전해질물질층; 및기판의일단에배치되어전해질물질층의일 영역과접촉하는게이트전극을포함하되, 게이트전극은, 게이트전극에외부전압이인가될경우, 전해질물질층에포함된이온의이동을제어하여전도도가변물질층의전도도를가변시킨다.
Abstract translation: 本发明的活性超材料阵列包括基底; 在衬底上间隔开的多个超材料结构; 导电可变材料层，形成在所述多个异材处理结构之间以选择性地连接所述异材处理结构; 形成在所述特异材料结构和所述导电率可变材料层上的电解质材料层; 和一个端部被设置在一个基片，其包括：其在与电解质材料层，栅电极的区域接触，如果施加到栅极电极上的外部电压的栅极电极，以控制包含在电解质材料层的导电可变的离子的移动 材料层的电导率是变化的。
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公开(公告)号：KR101744231B1
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：KR1020150113682
申请日：2015-08-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 숭실대학교산학협력단
Abstract: 그래핀-유기반도체수직형트랜지스터, 및상기그래핀-유기반도체수직형트랜지스터의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170019626A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：KR1020150113682
申请日：2015-08-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 숭실대학교산학협력단
Abstract: 그래핀-유기반도체수직형트랜지스터, 및상기그래핀-유기반도체수직형트랜지스터의제조방법에관한것이다.
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