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公开(公告)号：KR102237113B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020140104605
申请日：2014-08-12
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는, 제1 반도체층, 제2 반도체층, 상기제1, 2 반도체층사이에배치된활성층및 상기제1 반도체층과상기활성층사이에배치된전류분산주입층;을포함하고, 상기전류분산주입층은, 상기제1 반도체층상에배치되며, 제1 에너지밴드갭을갖는전류분산층및 상기전류분산층상에배치되며상기제1 에너지밴드갭보다작은제2 에너지배드갭을갖는전류주입우물층및 상기전류주입우물층상에배치되며상기제1, 2 에너지밴드갭사이의제3 에너지배드갭을갖는전류주입장벽층을포함하는전류주입층을포함하는발광소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170109904A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020160034094
申请日：2016-03-22
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예는제1 도전형반도체층과, 양자우물과양자벽을포함하여상기제1 도전형반도체층상에배치되는활성층및 상기활성층상에배치되는제2 도전형반도체층을포함할수 있다. 상기양자우물은상기제1 도전형반도체층상에제1 양자우물과, 상기제1 양자우물상에제2 양자우물을포함할수 있다. 상기제2 양자우물의인듐의조성은상기제1 양자우물의인듐의조성보다높을수 있다.
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明器件。 该实施例可以包括第一导电型半导体层，在第一导电型半导体层上的包括量子阱和量子墙的有源层以及设置在有源层上的第二导电型半导体层。 量子阱可以包括第一导电半导体层上的第一量子阱和第一量子阱上的第二量子阱。 第二量子阱中铟的组成可以高于第一量子阱中铟的组成。
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公开(公告)号：KR1020170109901A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020160034085
申请日：2016-03-22
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/22 , F21K99/00 , F21Y101/02
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예에따른발광소자는기판, 상기기판상에제1 AlN 계열층, 상기제1 AlN 계열층상에제2 AlN 계열층, 상기제2 AlN 계열층상에접하여배치되는제1 도전형반도체층, 상기제1 도전형반도체층상에활성층및 상기활성층상에제2 도전형반도체층을포함할수 있다.
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明器件。 根据本实施例的发光器件可以包括：第一基于AlN的层，所述第二基于AlN的层上的第一基于AlN的层，设置为与基于AlN的层接触的第二个第一导电型半导体层，其中在所述基板上，该基板 第一导电型半导体层上的有源层和有源层上的第二导电型半导体层。
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公开(公告)号：KR1020160019799A
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020140104605
申请日：2014-08-12
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 실시예는, 제1 반도체층, 제2 반도체층, 상기제1, 2 반도체층사이에배치된활성층및 상기제1 반도체층과상기활성층사이에배치된전류분산주입층;을포함하고, 상기전류분산주입층은, 상기제1 반도체층상에배치되며, 제1 에너지밴드갭을갖는전류분산층및 상기전류분산층상에배치되며상기제1 에너지밴드갭보다작은제2 에너지배드갭을갖는전류주입우물층및 상기전류주입우물층상에배치되며상기제1, 2 에너지밴드갭사이의제3 에너지배드갭을갖는전류주입장벽층을포함하는전류주입층을포함하는발광소자를제공한다.
Abstract translation: 实施例提供一种发光器件，包括：第一半导体层; 第二半导体层; 布置在第一和第二半导体层之间的有源层; 以及布置在所述第一半导体层和所述有源层之间的电流扩散注入层，其中所述电流扩散注入层包括电流注入层，所述电流注入层包括：布置在所述第一半导体层上并具有第一能带隙的电流扩散层; 布置在电流扩展层上并具有小于第一能带隙的第二能带隙的电流注入阱层; 电流注入阻挡层，布置在电流注入阱层上并且具有位于第一和第二能带间隙之间的第三能带隙。
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公开(公告)号：KR1020150089231A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020140009606
申请日：2014-01-27
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 실시예에따른발광소자는기판과, 상기기판상에배치된제1 도전형반도체층과, 상기제1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제2 도전형반도체층과, 상기활성층과제2 도전형반도체층사이에배치되며, InAIN:Mg층을포함하는전자차단층(EBL: Electron Blocking layer)을포함할수 있다. 실시예는전자차단층을 InAIN:Mg으로형성함으로써, 활성층의스트레인을완화하여내부양자효율(IQE: Internal Quantum Efficiency)을개선할수 있다.
Abstract translation: 根据实施例的发光器件包括：基板; 设置在所述基板上的第一导电半导体层; 设置在所述第一导电半导体层上的有源层; 设置在所述有源层上的第二导电半导体层; 以及设置在有源层和第二导电层之间并包括InAIN:Mg层的电子阻挡层（EBL）。 该实施方案通过用InAIN：Mg形成电子阻挡层来改善有源层的应变以提高内部量子效率（IQE）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170105941A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160029361
申请日：2016-03-11
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층과, 상기제1 도전형반도체층상에활성층과, 상기활성층상에초격자 AlGaN 계열층과, 상기초격자 AlGaN 계열층상에벌크(bulk) AlGaN 계열층과, 상기벌크 AlGaN 계열층상에제2 도전형반도체층을포함할수 있다. 상기초격자 AlGaN 계열층은상기활성층상에제2 도전형 AlGaN층(단, 0
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明器件。 根据本实施例的发光器件可以包括第一导电类型半导体层，第一导电类型和有源层的半导体层，和所述AlGaN基有源层超晶格层，本体（本体）的AlGaN的AlGaN基基础网格层上串联 以及在块状AlGaN基层上的第二导电半导体层。 基于AlGaN的层的基础网格可以是第二导电类型的AlGaN层（其中，0
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公开(公告)号：KR1020150027536A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020130106022
申请日：2013-09-04
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/025 , H01L33/32
Abstract: 실시예는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층 상에 배치된 전자 차단층; 상기 전자 차단층 상에 배치되고, 에너지 밴드 갭이 상기 전자 차단층보다 작고 하기의 제2 도전형 반도체층보다 큰 계면층; 및 상기 계면층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明的实施例提供了一种发光器件，其包括第一导电半导体层，布置在第一导电半导体层上的有源层，布置在有源层上的电子阻挡层，布置在该有源层上的界面层 在电子阻挡层上，以及布置在界面层上的第二导电半导体层。 其中界面层的能带隙小于电子阻挡层的能带隙，并且大于第二导电半导体层的能带隙。
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公开(公告)号：KR1020170105945A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160029367
申请日：2016-03-11
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층과, 상기제1 도전형반도체층(112) 상에활성층과, 상기활성층상에제2 도전형 AlGaN 계열층과, 상기제2 도전형 AlGaN 계열층상에제2 도전형제1 반도체층과, 상기제2 도전형제1 반도체층상에 AlInGaN 계열층및 상기 AlInGaN 계열층상에제2 도전형제2 반도체층을포함할수 있다.
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明器件。 根据本实施例的发光器件可以包括第一导电类型半导体层，第一导电类型半导体层112，有源层上的第二AlGaN基导电型层，所述有源层和所述第二导电类型的AlGaN系列 第一导电双极层上的第二导电分叉半导体层，第二导电双极半导体层上的AlInGaN串联层以及AlInGaN串联层上的第二半导体双极层。
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公开(公告)号：KR1020150087028A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020140007392
申请日：2014-01-21
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/025 , H01L33/30
Abstract: 실시예에따른발광소자는, 제1 반도체층, 제2 반도체층, 상기제1 반도체층과상기제2 반도체층사이에배치되고, 복수의우물층과, 상기복수의우물층사이에위치하고, 상기우물층보다큰 밴드갭에너지를가지는장벽층을포함하는활성층, 상기제2 반도체층과상기활성층사이에배치되며, 상기활성층의밴드갭에너지보다큰 밴드갭에너지를가지고 InAlGaN을포함하는정공주입층및 상기정공주입층과상기제2반도체층사이에배치되고, InAlGaN을포함하는전자차단층을포함하고, 상기전자차단층은, 복수의제1층과, 복수의제2층이서로교번적으로반복적층되고, 상기복수의제1층의 Al 함량은상기복수의제2층의 Al 함량및 상기홀 주입층의 Al 함량보다클 수있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的发光器件包括：第一半导体层; 第二半导体层; 布置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层，并且包括位于阱层之间的多个阱层和阻挡层，并且具有比阱层更大的带隙能量; 布置在第二半导体层和有源层之间的空穴注入层，并且包括具有比有源层的带隙能量大的带隙能量的InAlGaN; 以及布置在空穴注入层和第二半导体层之间的电子阻挡层，并且包括InAlGaN。 电子阻挡层具有依次重复堆叠的多个第一层和多个第二层，并且第一层的Al含量可能大于第二层的Al含量和空穴注入层的Al含量。
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公开(公告)号：KR1020150032115A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020130112161
申请日：2013-09-17
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/32
Abstract: A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes: a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, an active layer which is arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and an electron blocking layer which is arranged between the second semiconductor layer and the active layer and has band gap energy which is larger than the band gap energy of the active layer. Multiple step layers which include AlGaN and multiple intermediate layers which include GaN are alternately and repetitively stacked on the electron blocking layer. The band gap energy of the step layer near the active layer among the step layers is smaller than the band gap energy of the other step layers.
Abstract translation: 根据本发明实施例的发光器件包括：第一半导体层，第二半导体层，布置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层，以及电子阻挡层，其布置在 第二半导体层和有源层，并且具有比有源层的带隙能量大的带隙能量。 包含AlGaN的多个阶层层和包含GaN的多个中间层在电子阻挡层上交替重复堆叠。 台阶层中有源层附近的台阶层的带隙能量小于其他阶梯层的带隙能量。
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