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公开(公告)号：KR102237113B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020140104605A
申请日：2014-08-12
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/14
Abstract: 실시 예는, 제1 반도체층, 제2 반도체층, 상기 제1, 2 반도체층 사이에 배치된 활성층 및 상기 제1 반도체층과 상기 활성층 사이에 배치된 전류분산주입층;을 포함하고, 상기 전류분산주입층은, 상기 제1 반도체층 상에 배치되며, 제1 에너지밴드갭을 갖는 전류분산층 및 상기 전류분산층 상에 배치되며 상기 제1 에너지밴드갭보다 작은 제2 에너지배드갭을 갖는 전류주입우물층 및 상기 전류주입우물층 상에 배치되며 상기 제1, 2 에너지 밴드갭 사이의 제3 에너지 배드갭을 갖는 전류주입장벽층을 포함하는 전류주입층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
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公开(公告)号：WO2019108038A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：PCT/KR2018/015146
申请日：2018-11-30
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시 예는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층은 교대로 배치되는 복수 개의 제1 서브층과 복수 개의 제2 서브층을 포함하는 제1 초격자층을 포함하고, 상기 반도체 구조물은 1차 이온 조사시 인듐, 알루미늄, 제1 도펀트 및 제2 도펀트의 이온을 방출하고, 상기 활성층에서 방출된 인듐의 이온강도는 최대 인듐 강도 피크를 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층에서 방출된 제1 도펀트의 도핑 농도는 최대 농도 피크를 포함하고, 상기 최대 인듐 강도 피크는 상기 최대 농도 피크에서 제1 방향으로 이격 배치되고, 상기 복수 개의 제1 서브층에서 방출된 인듐의 이온강도는 복수 개의 제1 인듐 강도 피크를 갖고, 상기 복수 개의 제1 서브층에서 방출된 제1 도펀트의 도핑농도는 복수 개의 제1 농도 피크를 갖고, 상기 복수 개의 제1 인듐 강도 피크와 상기 복수 개의 제1 농도 피크는 상기 최대 인듐 강도 피크와 상기 최대 농도 피크 사이에 배치되는 반도체 소자를 개시한다.
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公开(公告)号：KR102199983B1
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：KR1020140009606
申请日：2014-01-27
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예에따른발광소자는기판과, 상기기판상에배치된제1 도전형반도체층과, 상기제1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제2 도전형반도체층과, 상기활성층과제2 도전형반도체층사이에배치되며, InAIN:Mg층을포함하는전자차단층(EBL: Electron Blocking layer)을포함할수 있다. 실시예는전자차단층을 InAIN:Mg으로형성함으로써, 활성층의스트레인을완화하여내부양자효율(IQE: Internal Quantum Efficiency)을개선할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170105942A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160029364
申请日：2016-03-11
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예에따른발광소자는기판과, 상기기판상에버퍼층과, 상기버퍼층상에제1 GaN층및 제1 도전형제2 GaN층을포함하는제1 GaN 계열초격자층과, 상기제1 GaN계열초격자층상에제3 GaN층및 제1 도전형제4 GaN층을포함하는제2 GaN계열초격자층과, 상기제2 GaN계열초격자층상에제1 도전형반도체층과, 상기제1 도전형반도체층상에활성층및 상기활성층상에제2 도전형반도체층을포함할수 있다.
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明器件。 根据实施例的发光器件包括衬底，在衬底上的缓冲层，在缓冲层上的包括第一GaN层和第一GaN基第二GaN层的第一GaN基超晶格层， 第二GaN基超晶格层，包括超晶格层上的第三GaN层和第一导电类型-4 GaN层;第二GaN基超晶格层上的第一导电类型半导体层; 半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型半导体层。
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公开(公告)号：KR1020160086603A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：KR1020150004137
申请日：2015-01-12
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Inventor： 임재구
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06
Abstract: 실시예는발광소자에관한것이다. 실시예에개시된발광소자는, 제1 도전형반도체층및 제2 도전형반도체층; 및상기제1 도전형반도체층및 상기제2 도전형반도체층사이에활성층; 상기활성층과제2도전형반도체층사이에배치된전자차단층을포함하고, 상기활성층은복수의우물층및 복수의장벽층을포함하며, 상기복수의우물층중 적어도하나는, 제1양자점을포함하며, 상기우물층에서상기제1양자점이배치된제1영역의밴드갭은상기우물층의밴드갭보다좁게배치된다.
Abstract translation: 实施例涉及发光器件。 根据实施例的发光器件包括第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层; 所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层; 以及在有源层和第二导电类型半导体层之间的电子阻挡层。 有源层包括多个阱层和多个势垒层。 多个阱层中的至少一个阱层包括第一量子点。 具有布置在阱层中的第一量子点的第一区域的带隙比阱层的带隙窄。 因此，可以提供具有新活性层的阱结构的发光器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150102197A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：KR1020140023771
申请日：2014-02-28
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Inventor： 임재구
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , F21Y2115/10 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 실시예에 따른 발광소자는 기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층과 활성층 사이에 배치되며, 제1층 및 상기 제1층 상에 이격 배치된 제2층을 포함하는 스트레인 제어층을 포함하고, 상기 제2층은 InN 나노층 또는 InAs 나노층을 포함할 수 있다.
실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층 사이에 InN 나노층을 형성함으로써, 제1 도전형 반도체층과 활성층 사이의 큰 격자 상수로 인해 발생될 수 있는 활성층의 스트레인을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.Abstract translation: 根据本发明的实施例，发光器件包括：基板; 布置在所述基板上的第一导电类型半导体层; 布置在所述第一导电类型半导体层上的有源层; 布置在所述有源层上的第二导电类型半导体层; 以及应变控制层，其布置在所述第一导电类型半导体层和所述有源层之间，并且包括与所述第一层间隔开的第一层和第二层。 第二层包括InN纳米层或InAs纳米层。 本实施例在第一导电型半导体层和有源层之间形成InN纳米层，从而具有减小有源层的应变的作用，由第一导电类型半导体层和有源层之间的大晶格常数 活动层
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公开(公告)号：KR102212739B1
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：KR1020140023771
申请日：2014-02-28
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Inventor： 임재구
IPC: H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/20 , F21Y115/10
Abstract: 실시예에따른발광소자는기판과, 상기기판상에배치된제1 도전형반도체층과, 상기제1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제2 도전형반도체층과, 상기제1 도전형반도체층과활성층사이에배치되며, 제1층및 상기제1층상에이격배치된제2층을포함하는스트레인제어층을포함하고, 상기제2층은 InN 나노층또는 InAs 나노층을포함할수 있다. 실시예는제1 도전형반도체층과활성층사이에 InN 나노층을형성함으로써, 제1 도전형반도체층과활성층사이의큰 격자상수로인해발생될수 있는활성층의스트레인을감소시킬수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020170088059A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：KR1020160007930
申请日：2016-01-22
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 본발명은전류확산이개선된질화물반도체발광소자에관한발명이다. 본발명의실시예에따른질화물반도체발광소자는 p형질화물반도체층; 상기 p형질화물반도체층의아래에형성된활성층; 상기활성층의아래에형성된다중구조체를포함하는 n형질화물반도체층; 및상기 n형질화물반도체층의아래에형성된버퍼층을포함하되, 상기다중구조체는, 제1 도핑층과상기제1 도핑층의도핑(dorping) 농도보다낮은도핑농도를가지는제2 도핑층이교번적으로적층된구조를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有改善的电流扩散的氮化物半导体发光器件。 根据本发明实施例的氮化物半导体发光器件包括：p型氮化物半导体层; 形成在p型半导体层下面的有源层; 包括在有源层下方形成的多结构的n型氮化物半导体层; 以及形成在所述n型半导体层下方的缓冲层，其中所述多层结构包括第一掺杂层和掺杂浓度低于所述第一掺杂层的掺杂浓度的第二掺杂层， 如图所示。
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公开(公告)号：KR1020140056929A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020120123414
申请日：2012-11-02
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/06
Abstract: According to an embodiment of the present invention, a light emitting device includes: a first conductive semiconductor layer; and a second conductive semiconductor layer having the second conductive semiconductor layer, and an electron blocking layer which is disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer and adjacent to the active layer, wherein the electron blocking layer comprises a barrier layer and a plurality of pairs structure of a well layer having a smaller energy band gap than the barrier layer. The electron blocking layer includes: a first region which is adjacent to the active layer and contains at least one pair structure of the well layer and the barrier layer; and a second region which is disposed on the first region and contains at least one pair structure of the well layer and the barrier layer. The thickness of the well layer belonging to the first region is thicker than the thickness of the well layer belonging to the second region.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，发光器件包括：第一导电半导体层; 以及具有所述第二导电半导体层的第二导电半导体层以及设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间并且与所述有源层相邻的电子阻挡层，其中所述电子阻挡层包括阻挡层和 具有比阻挡层更小的能带隙的阱层的多对对结构。 电子阻挡层包括：与有源层相邻并且包含阱层和势垒层的至少一对结构的第一区域; 以及第二区域，其设置在所述第一区域上并且包含所述阱层和所述阻挡层的至少一对结构。 属于第一区域的阱层的厚度比属于第二区域的阱层的厚度厚。
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公开(公告)号：KR102251237B1
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：KR1020150004137
申请日：2015-01-12
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Inventor： 임재구
Abstract: 실시예는발광소자에관한것이다. 실시예에개시된발광소자는, 제1 도전형반도체층및 제2 도전형반도체층; 및상기제1 도전형반도체층및 상기제2 도전형반도체층사이에활성층; 상기활성층과제2도전형반도체층사이에배치된전자차단층을포함하고, 상기활성층은복수의우물층및 복수의장벽층을포함하며, 상기복수의우물층중 적어도하나는, 제1양자점을포함하며, 상기우물층에서상기제1양자점이배치된제1영역의밴드갭은상기우물층의밴드갭보다좁게배치된다.
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