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公开(公告)号：KR101888605B1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：KR1020110131814
申请日：2011-12-09
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Inventor： 한대섭
Abstract: 실시예는제1 도전형반도체층, 상기제1 도전형반도체층상에배치되는제2 도전형반도체층, 상기제1 도전형반도체층및 상기제2 도전형반도체층사이에배치되는활성층, 및상기활성층과상기제2 도전형반도체층사이에배치되는전자차단층을포함하며, 상기전자차단층은적어도하나의제1 수평수송층을포함하며, 상기적어도하나의제1 수평수송층은 AlN의조성을갖는제1층, GaN의조성을갖는제2층, 및 AlGaN(0
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公开(公告)号：KR1020170088059A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：KR1020160007930
申请日：2016-01-22
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 본발명은전류확산이개선된질화물반도체발광소자에관한발명이다. 본발명의실시예에따른질화물반도체발광소자는 p형질화물반도체층; 상기 p형질화물반도체층의아래에형성된활성층; 상기활성층의아래에형성된다중구조체를포함하는 n형질화물반도체층; 및상기 n형질화물반도체층의아래에형성된버퍼층을포함하되, 상기다중구조체는, 제1 도핑층과상기제1 도핑층의도핑(dorping) 농도보다낮은도핑농도를가지는제2 도핑층이교번적으로적층된구조를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有改善的电流扩散的氮化物半导体发光器件。 根据本发明实施例的氮化物半导体发光器件包括：p型氮化物半导体层; 形成在p型半导体层下面的有源层; 包括在有源层下方形成的多结构的n型氮化物半导体层; 以及形成在所述n型半导体层下方的缓冲层，其中所述多层结构包括第一掺杂层和掺杂浓度低于所述第一掺杂层的掺杂浓度的第二掺杂层， 如图所示。
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公开(公告)号：KR1020160075162A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020140184801
申请日：2014-12-19
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/145 , Y10S257/918
Abstract: 실시예는제1 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층상의활성층; 상기활성층상의전자차단층; 상기전자차단층상의스트레인(strain) 강화층; 및상기스트레인강화층상의제2 도전형반도체층을포함하는발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明的目的是平衡发光器件的有源层内的电子和空穴的浓度。 根据本发明的实施例，提供的发光器件包括：第一导电半导体层; 所述第一导电半导体层上的有源层; 有源层上的电子阻挡层; 电子阻挡层上的应变增强层; 以及应变增强层上的第二导电半导体层。
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公开(公告)号：KR1020160041563A
公开(公告)日：2016-04-18
申请号：KR1020140135773
申请日：2014-10-08
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 실시예는제1 도전형반도체층, 상기제1 도전형반도체층상에배치되는활성층, 상기활성층상에배치되는제2 도전형반도체층, 및상기활성층과상기제2 도전형반도체층사이에배치되는전자차단층을포함하며, 상기전자차단층은 1회이상교대로배치되는제1층및 제2층을포함하며상기제1층은인듐을포함하는질화물반도체층이고, 상기제2층은알루미늄을포함하는질화물반도체층이고, 상기제1층은 p형도펀트가도핑된다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，发光器件包括：第一导电半导体层; 布置在所述第一导电半导体层上的有源层; 布置在所述有源层上的第二导电半导体层; 以及布置在有源层和第二导电半导体层之间的电子阻挡层。 电子阻挡层包括布置成交替至少一次的第一层和第二层。 第一层是包含铟的氮化物半导体层，第二层是包含铝的氮化物半导体层。 P型掺杂剂掺杂在第一层上。 本发明的发光器件可以提高发光效率，并可以降低工作电压，同时提高层的质量。
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公开(公告)号：KR1020140096652A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020130009468
申请日：2013-01-28
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/025 , H01L33/30
Abstract: A light emitting device according to an embodiment of the present invention comprises a first semiconductor layer; a second semiconductor layer; an activating layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; and an electron blocking layer disposed between the second semiconductor layer and the activating layer, and including a plurality of layers having distinct aluminum content, wherein the electron blocking layer includes a plurality of step layers having distinct aluminum content and a plurality of intermediate layers which is disposed between the step layers and having less aluminum content than the step layers.
Abstract translation: 根据本发明实施例的发光器件包括第一半导体层; 第二半导体层; 设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的激活层; 以及设置在所述第二半导体层和所述激活层之间的电子阻挡层，并且包括具有不同的铝含量的多个层，其中所述电子阻挡层包括具有不同铝含量的多个阶梯层和多个中间层， 设置在台阶层之间并且具有比步骤层更少的铝含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140050810A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：KR1020120117081
申请日：2012-10-22
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/04 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: An embodiment of the present invention relates to a light emitting device, a method for manufacturing the light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system. The light emitting device according to an embodiment may comprise: a first conductive semiconductor layer (112); a gallium nitride-based super lattice layer (124) on the first conductive semiconductor layer (112); an active layer (114) on the gallium nitride-based super lattice layer (124); a second conductive gallium nitride-based layer on the active layer (114); and a second conductive semiconductor layer (116) on the second conductive gallium nitride-based layer, wherein the second conductive gallium nitride-based layer can include a second conductive Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N super lattice layer (here, 0
Abstract translation: 本发明的实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件可以包括：第一导电半导体层（112）; 在第一导电半导体层（112）上的基于氮化镓的超晶格层（124）; 位于所述氮化镓基超晶格层（124）上的有源层（114）; 在所述有源层（114）上的第二导电氮化镓基层; 以及在所述第二导电氮化镓基层上的第二导电半导体层（116），其中所述第二导电氮化镓基层可以包括第二导电Al_xGa_（1-x）N / Al_yGa_（1-y）N超晶格 （114）上的层（这里为0
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公开(公告)号：KR1020120053190A
公开(公告)日：2012-05-25
申请号：KR1020100114334
申请日：2010-11-17
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/04
Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to increase external extraction efficiency of light generated from an active layer by forming an uneven part on the surface of a first conductive semiconductor layer using a PEC(Photo Enhanced Chemical) etching method. CONSTITUTION: A first conductive semiconductor layer with an open surface is formed on a substrate. A super lattice layer group including two super lattice layers or more is formed on the first conductive semiconductor layer. An active layer is formed on the super lattice layer group. A second conductive semiconductor layer is formed on the active layer. An energy band gap of the super lattice layer near the active layer is smaller than the energy band gap of the super lattice layer near the first conductive semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件，通过使用PEC（Photo Enhanced Chemical）蚀刻方法在第一导电半导体层的表面上形成不均匀部分，以增加由有源层产生的光的外部提取效率。 构成：在基板上形成具有开口表面的第一导电半导体层。 在第一导电半导体层上形成包括两层以上的超晶格层以上的超晶格层组。 在超晶格层组上形成有源层。 在有源层上形成第二导电半导体层。 有源层附近的超晶格层的能带隙比第一导电半导体层附近的超晶格层的能带隙小。
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