투과도가 조절된 태양전지 및 이의 제조 방법
    12.
    发明公开
    투과도가 조절된 태양전지 및 이의 제조 방법 有权
    具有可控透光率的太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR20180037901A

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:KR20170126357

    申请日:2017-09-28

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본발명의일 실시예는, 결정질실리콘반도체기판; 상기결정질실리콘반도체기판의제1 면상에위치하고, 상기결정질실리콘반도체기판과 P-N접합을이루는제1 층; 상기제1 층상에위치하고, 상기제1 층과접속된제1 전극부; 상기제1 면과반대면인상기결정질실리콘반도체기판의제2 면상에위치하는제2 층; 및상기제2 층상에위치하고, 상기제2 층과접속된제2 전극부;를포함하고, 상기결정질실리콘반도체기판은, 상기제1 면에서부터상기제2 면까지상기결정질실리콘반도체기판을관통하는복수의홀들을포함하고, 상기복수의홀들은상기제1 층, 상기제2 층, 및상기제2 전극부를관통하도록연장되어, 적어도가시광영역의모든광들을통과시키며, 상기제1 전극부는마이크로그리드패턴으로이루어지고, 상기마이크로그리드패턴은상기복수의홀들을복수의그룹으로구획하며, 상기복수의그룹에각각속하는상기복수의홀들은일정한패턴을형성하고서로일정간격이격된태양전지를개시한다.

    Abstract translation: 本发明的一个实施例是一种半导体器件,包括:晶体硅半导体衬底; 位于晶体硅半导体衬底的第一侧上并与晶体硅半导体衬底形成P-N结的第一层; 位于第一层上并连接到第一层的第一电极; 设置在晶体硅半导体衬底的与第一表面相对的第二表面上的第二层; 以及第二电极部分,位于所述第二层上并连接至所述第二层,其中所述晶体硅半导体基板具有多个贯穿所述晶体硅半导体基板的从所述第一表面至所述第二表面的通孔, 其中所述多个孔延伸穿过所述第一层,所述第二层和所述第二电极部分以在至少可见光区域中通过所有光,并且所述第一电极部分包括微栅格图案 微电网图案由,并且被限定的多个孔为多个组,每个公开了在图案形成并隔开预定间隔彼此属于该组的多个所述多个孔的一个太阳能电池。

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