무색 투명 반도체 기판 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:WO2020111422A1

    公开(公告)日:2020-06-04

    申请号:PCT/KR2019/007221

    申请日:2019-06-14

    Inventor: 서관용 이강민

    Abstract: 본 발명은 제1면 및 상기 제1면의 반대측의 제2면을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판을 관통하는 관통홀을 포함하고, 상기 관통홀은 상기 제1면 및 제2면에 대하여 경사진 경사부를 포함하는 투명 반도체 기판 및 이의 제조방법으로, 가시광 영역의 모든 광을 투과하여 무색 투명성을 보이고 시야각이 향상된 무색 투명 반도체를 제공한다.

    태양 전지 모듈
    2.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022196995A1

    公开(公告)日:2022-09-22

    申请号:PCT/KR2022/003201

    申请日:2022-03-07

    Abstract: 본 발명의 일 실시예는, 제1 상부 전극 및 제1 하부 전극를 포함하는 1 이상의 제1 태양 전지, 제2 상부 전극 및 제2 하부 전극를 포함하는 1 이상의 제2 태양 전지, 제1 상부 전극 및 제2 상부 전극를 연결하는 상부 연결 전극, 및 제1 하부 전극 및 제2 하부 전극를 연결하는 하부 연결 전극을 포함하고, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지는 서로 교대로 배치되어, 심미성 및 투과성이 향상된 태양전지를 개시한다.

    전자 발열 기판 및 그 제조 방법

    公开(公告)号:KR1020180105904A

    公开(公告)日:2018-10-01

    申请号:KR1020170033204

    申请日:2017-03-16

    Abstract: 본발명은배선의부식을최소화하여내구성이향상됨과동시에전기전도도및 열전도도가우수한전자발열기판및 그제조방법을위하여, 제1 면및 상기제1 면과반대되는제2 면을갖는, 플렉서블기판; 상기플렉서블기판에적어도일부가매립된제1 금속층; 및상기제1 금속층과컨택하도록상기제1 금속층상에배치되는제2 금속층;을구비하는, 전자발열기판을제공한다.

    전자 발열 기판 및 그 제조 방법

    公开(公告)号:KR101926711B1

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:KR1020170033204

    申请日:2017-03-16

    Abstract: 본 발명은 배선의 부식을 최소화하여 내구성이 향상됨과 동시에 전기 전도도 및 열 전도도가 우수한 전자 발열 기판 및 그 제조 방법을 위하여, 제1 면 및 상기 제1 면과 반대되는 제2 면을 갖는, 플렉서블 기판; 상기 플렉서블 기판에 적어도 일부가 매립된 제1 금속층; 및 상기 제1 금속층과 컨택하도록 상기 제1 금속층 상에 배치되는 제2 금속층;을 구비하는, 전자 발열 기판을 제공한다.

    실리콘 태양 전지 및 실리콘 태양 전지의 제조방법

    公开(公告)号:KR101914385B1

    公开(公告)日:2018-11-01

    申请号:KR1020170104562

    申请日:2017-08-18

    Abstract: 본발명은실리콘태양전지및 실리콘태양전지의제조방법기술에관한것으로, 본발명의실리콘태양전지는, 이리듐복합체; 및고분자;를포함하는코팅층을포함한다. [화학식 1](여기서, R내지 R는, 서로동일하거나또는각각독립적으로수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환또는비치환된 C~C의알킬기, 치환또는비치환된 C~C의알케닐기, 치환또는비치환된 C~C의알키닐기, 치환또는비치환된 C~C의아릴기, 치환또는탄소수 5 내지 40의헤테로아릴기, 치환또는비치환된 C~C의아릴옥시기, 치환또는비치환된 C~C의알킬옥시기, 치환또는비치환된 C~C의아릴아민기, 치환또는비치환된 C~C의사이클로알킬기, 치환또는비치환된탄소수 3 내지 40의헤테로사이클로알킬기에서선택되거나또는인접한기와결합하여치환또는비치환된 C~C의축합고리를형성하고, R내지 R은, 서로동일하거나또는각각독립적으로수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환또는비치환된 C~C의알킬기, 치환또는비치환된 C~C의알케닐기, 치환또는비치환된 C~C의알키닐기, 치환또는비치환된 C~C의아릴기, 치환또는탄소수 5 내지 40의헤테로아릴기, 치환또는비치환된 C~C의아릴옥시기, 치환또는비치환된 C~C의알킬옥시기, 치환또는비치환된 C~C의아릴아민기, 치환또는비치환된 C~C의사이클로알킬기, 치환또는비치환된탄소수 3 내지 40의헤테로사이클로알킬기에서선택되고, R내지 R는, 서로동일하거나또는각각독립적으로수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환또는비치환된 C~C의알킬기, 치환또는비치환된 C~C의알케닐기, 치환또는비치환된 C~C의알키닐기, 치환또는비치환된 C~C의아릴기, 치환또는탄소수 5 내지 40의헤테로아릴기, 치환또는비치환된 C~C의아릴옥시기, 치환또는비치환된 C~C의알킬옥시기, 치환또는비치환된 C~C의아릴아민기, 치환또는비치환된 C~C의사이클로알킬기, 치환또는비치환된탄소수 3 내지 40의헤테로사이클로알킬기에서선택된다.)

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