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公开(公告)号：KR101749067B1
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020150189348
申请日：2015-12-30
Applicant: 울산과학기술원
Abstract: 본발명에따른박막형이종접합메타구조체는유리기판, 상기유리기판상에증착된하부전극, 상기하부전극상에증착된 n-형반도체박막, 상기 n-형반도체박막상에증착된 p-형반도체박막, 상기 p-형반도체박막상에형성된금속박막및 상기금속박막상에형성된금속나노입자를포함하여, 메타구조체에의한가시광영역의빛 흡수율증가에따른광전류변환효율상승이가능하고, p-n 접합부에서생성되는전기장에의해정공과전자를각각의표면으로이동시켜수소및 산소생산효율을상승시킬수 있는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明的薄膜异质结结构包括玻璃基板，沉积在玻璃基板上的下电极，沉积在下电极上的n型半导体薄膜，沉积在n型半导体薄膜上的p型半导体薄膜， 形成在p型半导体薄膜上的金属薄膜和形成在金属薄膜上的金属纳米颗粒可以根据由元结构引起的可见光区域的光吸收率的增加来增加光电流转换效率， 通过电场将空穴和电子移动到各个表面，可以提高氢气和氧气的生产效率。
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公开(公告)号：KR1020160122340A
公开(公告)日：2016-10-24
申请号：KR1020150051985
申请日：2015-04-13
Applicant: 울산과학기술원
IPC: H01L33/20 , H01L33/36 , H01L21/027
Abstract: 본발명에따른플렉시블질화갈륨발광다이오드제조방법은 (a) p-형질화갈륨박막층과 n-형질화갈륨박막층을사파이어층에증착하는단계; (b) p-형질화갈륨박막층에하부전극을형성시키고, 하부전극에구리판을도금하는단계; (c) 사파이어층으로부터레이저리프트-오프공법을통해 p-n 접합질화갈륨박막을분리하는단계; (d) 분리된 p-n 접합질화갈륨박막에포토레지스트와트렌치에칭마스크를이용하여트렌치에칭패턴을제작하는단계; (e) 트렌치에칭패턴대로분리된 p-n 접합질화갈륨박막에트렌치에칭을하는단계; (f) 분리된 p-n 접합질화갈륨박막에포토레지스트와포토리소그래피공정을이용하여상부전극및 상부전극패턴을부착형성하는단계; 및 (g) 분리된 p-n 접합질화갈륨박막으로제작된질화갈륨발광다이오드에서포토레지스트를제거하는단계;를포함하여, 스트레인에따른출력전류와전자발광효율상승이가능하고, 벤딩에따른에너지밴드휨 현상을이용함으로써전자와정공의재결합률을상승시킬수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101654075B1
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020140057855
申请日：2014-05-14
Applicant: 울산과학기술원
Abstract: 본발명에따른케이블구조의정전기기반소형발전기는케이블의중심에배치되는제1 금속전극; 제1 금속전극외주면에복수의돌기가돌출되어형성된금속나노선배열; 내주면에부도체나노선배열이형성되고제1 금속전극과소정거리만큼이격되게결합되어외압에의해전류또는전압을발생시키는부도체케이블; 부도체케이블의외주면에결합되어형성되는제2 금속전극; 및제2 금속전극의외주면에적층되어습도를차단하는방습막;를포함하여주변의모든기계적인에너지를전기에너지로변환할수 있다는장점을가지고있는정전기를활용하여고출력의에너지를수확할수 있는효과가있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160098661A
公开(公告)日：2016-08-19
申请号：KR1020150020279
申请日：2015-02-10
Applicant: 울산과학기술원
CPC classification number: H01L33/36 , H01L21/0262 , H01L33/20 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명에따른선택적전극형성을이용한피라미드형발광다이오드제조방법은 (A) GaN 층이적층된기판상의홀 패턴을형성하는단계; (B) 패턴이형성된기판을금속유기화학증착장비(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)에넣어, 홀패턴의개구부에서 n-GaN, MQWs, p-GaN이성장되도록하는단계; (C) 기판에서피라미드형태로성장된피라미드형발광다이오드에 PR(Photoresist:광경화성수지)로코팅후, 에싱(Ashing)을실시하는단계; (D) 피라미드형발광다이오드의첨단부만을절개하여오픈(open)한후, 스퍼터(SPUTTER) 방식을이용하여마스크층를층착하는단계; 및 (E) SiO이증착된피라미드형발광다이오드에 E-beam을이용하여 ITO를증착하여투명전극을형성하는단계;를포함하여, 발광구조체의첨단부또는단부를덮는누설전류방지층을형성시킴으로써, 발광소자의누설전류발생을최소화할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明，通过形成选择性电极制造棱锥形发光二极管的方法包括：（A）在叠氮化镓（GaB）层的衬底上形成孔图案的步骤; （B）将形成有孔图案的基板插入金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备中以允许正氮化镓（GaN），多量子阱（MQW）和p-GaN在开口中生长的步骤 孔图案的一部分; （C）用光致抗蚀剂（PR）在基板上涂覆金字塔形发光二极管的步骤，并进行等离子体灰化; （D）仅去除待打开的棱锥形发光二极管的尖端部分，然后使用溅射法沉积掩模层的步骤; 以及（E）通过使用电子束在沉积有二氧化硅（SiO 2）的金字塔形发光二极管上沉积氧化铟锡（ITO）形成透明电极的步骤。 形成漏电流保护层以覆盖发光结构的末端部分或端部，从而最小化发光二极管的漏电流的产生。
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公开(公告)号：KR101455130B1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：KR1020130040801
申请日：2013-04-15
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
IPC: G01N27/12
Abstract: 본 발명에 따르면, 반도체기판(10); 및 상기 반도체기판(10) 상에 일정간격 이격되어 각각 증착된 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)과, 상기 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)으로부터 각각 성장되어 형성된 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)와, 상기 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)의 표면에 증착된 촉매층(50)을 포함하는 접합센서소자(100);를 포함하는 금속산화물 반도체를 이용한 접합센서 어레이를 개시한다.
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公开(公告)号：KR1020140094740A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020130006823
申请日：2013-01-22
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/02601 , H01L2933/0008
Abstract: A method for manufacturing a nitride-based light emitting diode according to the present invention comprises the steps of depositing an IZO layer on the surface of a TCO layer of a nitride-based semiconductor layer; surface-treating the top of the nitride-based semiconductor layer with zinc oxide to form a nanomaterial; and forming the nanomaterial consisting of the zinc oxide on the surface of the surface-treated semiconductor layer. The present invention can grow a ZnO nanostructure having high density without a seed layer and also improve light extraction efficiency of the light emitting diode by growing the ZnO nanostructure at a lower temperature than 90 degrees to enable the growth without an LED heat shock.
Abstract translation: 根据本发明的制造氮化物系发光二极管的方法包括以下步骤：在氮化物基半导体层的TCO层的表面上沉积IZO层; 用氧化锌对氮化物基半导体层的顶部进行表面处理以形成纳米材料; 以及在表面处理的半导体层的表面上形成由氧化锌组成的纳米材料。 本发明可以生长具有高密度的ZnO纳米结构，而没有种子层，并且还通过在低于90度的温度下生长ZnO纳米结构来提高发光二极管的光提取效率，以使得能够在没有LED热冲击的情况下生长。
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公开(公告)号：KR101367694B1
公开(公告)日：2014-03-03
申请号：KR1020110115572
申请日：2011-11-08
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
Abstract: 본 발명에 따르면, 기판(10)의 상부면에 복수의 나노스피어(20)를 단일층으로 배열하는 나노스피어 배열단계(S110); 상기 복수의 나노스피어(20)들 간의 간격에 실리카졸 용액을 스며들게 하여, 상기 기판(10)의 상부면에 내측으로 오목한 복수의 반구홈(31)을 갖는 나노패턴(30)을 형성하는 나노패턴 형성단계(S120); 화학적 용해방식 또는 연소방식을 통해 상기 나노스피어(20)를 제거하는 나노스피어 제거단계(S130); 나노스피어(20)가 제거된 나노패턴(30)을 일정온도로 가열하여 나노패턴(30)을 결정화시키는 열처리단계(S140); 결정화된 나노패턴(30)의 각 반구홈(31) 내부에 상부방향으로 성장된 로드(Rod) 형태의 산화아연 나노구조체(40)를 형성하는 산화아연 나노구조체 형성단계(S150); 및 상기 산화아연 나노구조체(40)의 외부면에 질화갈륨(GaN)을 이종결합시켜 질화갈륨 나노구조체(50)를 형성하는 질화갈륨 나노구조체 형성단계(S160);를 포함하는 나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성방법이 개시된다.
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