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公开(公告)号：WO2016076621A2
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：PCT/KR2015/012094
申请日：2015-11-11
Applicant: 울산과학기술원
IPC: H02N1/08
CPC classification number: H02N1/08
Abstract: 본 발명에 따른 전하펌프 기반의 인공 번개 발전기 제조방법은 (a) 준비된 기판에 제2 전극을 형성시키는 단계; (b) 제2 전극의 하부에 스펀지 구조의 음전하 대전체를 형성시키는 단계; (c) 음전하 대전체에서 톨루엔(toluene)용액을 이용하여 폴리머 구형 입자를 제거하는 단계; (d) 음전하 대전체 내부에 금속입자르 침투시키는 단계 (e) 전하 생성을 위해 음전하 대전체 하부로 소정 거리만큼 이격된 위치에 양전하 대전체를 형성시키는 단계; (f) 양전하 대전체 표면을 나노 구조화 하는 단계; (g) 나노 구조화된 양전하 대전체 표면을 제2 금속입자로 코팅하는 단계; (h) 양전하 대전체의 일측 하방으로 일정 거리 유지하여 전하분리를 위한 접지층을 형성시키는 단계; 및 (i) 양전하 대전체 하부로 일정거리만큼 이격된 위치에 전하의 축적을 위한 제1 전극을 형성시키는 단계;를 포함하여 소형화가 가능하고, 바람, 진동, 소리와 같은 미세한 에너지에 의해 고출력 에너지 생산이 가능하고, 에너지 수집에 따른 비용발생을 현저하게 절감시킬 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation:
根据本发明的（a）形成所制备的基板上形成第二电极的基于电荷泵的人工闪电发生器的制造工艺; （b）在第二电极下方的海绵结构中形成负电荷收集器; （c）在整个负电荷载体中用甲苯溶液除去聚合物球形颗粒; （d）阴性用于形成用于以预定距离间隔开的作为一个整体的下负电荷内部至总量用于注入电荷产生在金属乐颗粒的步骤（e）的位置处的全正电荷; （f）纳米结构化正电荷载体的整个表面; （g）用第二金属颗粒涂覆纳米结构化正电荷载体的整个表面; （h）通过在整个正电荷存储层的一侧下方保持一定距离而形成用于电荷分离的接地层; 和（i）对于整个下部的预定距离，以形成用于电荷累积在第一电极在由间隔开的位置上的正电荷;在所述尺寸的减小，包括可能的，并且高功率能量由细能量，例如风能，振动，声音 有可能生产并显着降低能源收集成本。
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公开(公告)号：KR20210020472A
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：KR20190099838
申请日：2019-08-14
Applicant: 울산과학기술원
IPC: G01N27/407 , G01N27/27 , G01N27/30 , G01N27/406
Abstract: 본발명은, 전기화학센서에서전하가이동할수 있는상대전극; 상기상대전극상에, 동일한층에나란히배치된, 제1 고체전해질과제2 고체전해질; 상기제1 고체전해질의상면과상기제2 고체전해질의상면에모두접촉하도록형성된제1 작업전극; 및상기제1 고체전해질의상면과상기제2 고체전해질의상면에모두접촉하도록형성되고상기제1 작업전극과구분되는제2 작업전극;을포함하는, 전기화학센서를제공한다.
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公开(公告)号：KR102206021B1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：KR1020190079698
申请日：2019-07-02
Applicant: 울산과학기술원
Abstract: 본발명은, P형반도체층; 상기 P형반도체층의일 면에배치되는제1 전극; 상기 P형반도체층의반대면에배치되는제2 전극; 상기제1 전극에대하여상기 P형반도체층의반대편에배치되는유전체층; 상기유전체층에대하여상기제1 전극의반대편에, 상기유전체층과이격되도록배치되며, 상기유전체층에단속적으로접촉하는제3 전극;을포함하는, 열전발전소자를제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101749067B1
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020150189348
申请日：2015-12-30
Applicant: 울산과학기술원
Abstract: 본발명에따른박막형이종접합메타구조체는유리기판, 상기유리기판상에증착된하부전극, 상기하부전극상에증착된 n-형반도체박막, 상기 n-형반도체박막상에증착된 p-형반도체박막, 상기 p-형반도체박막상에형성된금속박막및 상기금속박막상에형성된금속나노입자를포함하여, 메타구조체에의한가시광영역의빛 흡수율증가에따른광전류변환효율상승이가능하고, p-n 접합부에서생성되는전기장에의해정공과전자를각각의표면으로이동시켜수소및 산소생산효율을상승시킬수 있는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明的薄膜异质结结构包括玻璃基板，沉积在玻璃基板上的下电极，沉积在下电极上的n型半导体薄膜，沉积在n型半导体薄膜上的p型半导体薄膜， 形成在p型半导体薄膜上的金属薄膜和形成在金属薄膜上的金属纳米颗粒可以根据由元结构引起的可见光区域的光吸收率的增加来增加光电流转换效率， 通过电场将空穴和电子移动到各个表面，可以提高氢气和氧气的生产效率。
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公开(公告)号：KR1020160122340A
公开(公告)日：2016-10-24
申请号：KR1020150051985
申请日：2015-04-13
Applicant: 울산과학기술원
IPC: H01L33/20 , H01L33/36 , H01L21/027
Abstract: 본발명에따른플렉시블질화갈륨발광다이오드제조방법은 (a) p-형질화갈륨박막층과 n-형질화갈륨박막층을사파이어층에증착하는단계; (b) p-형질화갈륨박막층에하부전극을형성시키고, 하부전극에구리판을도금하는단계; (c) 사파이어층으로부터레이저리프트-오프공법을통해 p-n 접합질화갈륨박막을분리하는단계; (d) 분리된 p-n 접합질화갈륨박막에포토레지스트와트렌치에칭마스크를이용하여트렌치에칭패턴을제작하는단계; (e) 트렌치에칭패턴대로분리된 p-n 접합질화갈륨박막에트렌치에칭을하는단계; (f) 분리된 p-n 접합질화갈륨박막에포토레지스트와포토리소그래피공정을이용하여상부전극및 상부전극패턴을부착형성하는단계; 및 (g) 분리된 p-n 접합질화갈륨박막으로제작된질화갈륨발광다이오드에서포토레지스트를제거하는단계;를포함하여, 스트레인에따른출력전류와전자발광효율상승이가능하고, 벤딩에따른에너지밴드휨 현상을이용함으로써전자와정공의재결합률을상승시킬수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101654075B1
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020140057855
申请日：2014-05-14
Applicant: 울산과학기술원
Abstract: 본발명에따른케이블구조의정전기기반소형발전기는케이블의중심에배치되는제1 금속전극; 제1 금속전극외주면에복수의돌기가돌출되어형성된금속나노선배열; 내주면에부도체나노선배열이형성되고제1 금속전극과소정거리만큼이격되게결합되어외압에의해전류또는전압을발생시키는부도체케이블; 부도체케이블의외주면에결합되어형성되는제2 금속전극; 및제2 금속전극의외주면에적층되어습도를차단하는방습막;를포함하여주변의모든기계적인에너지를전기에너지로변환할수 있다는장점을가지고있는정전기를활용하여고출력의에너지를수확할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020160098661A
公开(公告)日：2016-08-19
申请号：KR1020150020279
申请日：2015-02-10
Applicant: 울산과학기술원
CPC classification number: H01L33/36 , H01L21/0262 , H01L33/20 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명에따른선택적전극형성을이용한피라미드형발광다이오드제조방법은 (A) GaN 층이적층된기판상의홀 패턴을형성하는단계; (B) 패턴이형성된기판을금속유기화학증착장비(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)에넣어, 홀패턴의개구부에서 n-GaN, MQWs, p-GaN이성장되도록하는단계; (C) 기판에서피라미드형태로성장된피라미드형발광다이오드에 PR(Photoresist:광경화성수지)로코팅후, 에싱(Ashing)을실시하는단계; (D) 피라미드형발광다이오드의첨단부만을절개하여오픈(open)한후, 스퍼터(SPUTTER) 방식을이용하여마스크층를층착하는단계; 및 (E) SiO이증착된피라미드형발광다이오드에 E-beam을이용하여 ITO를증착하여투명전극을형성하는단계;를포함하여, 발광구조체의첨단부또는단부를덮는누설전류방지층을형성시킴으로써, 발광소자의누설전류발생을최소화할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明，通过形成选择性电极制造棱锥形发光二极管的方法包括：（A）在叠氮化镓（GaB）层的衬底上形成孔图案的步骤; （B）将形成有孔图案的基板插入金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备中以允许正氮化镓（GaN），多量子阱（MQW）和p-GaN在开口中生长的步骤 孔图案的一部分; （C）用光致抗蚀剂（PR）在基板上涂覆金字塔形发光二极管的步骤，并进行等离子体灰化; （D）仅去除待打开的棱锥形发光二极管的尖端部分，然后使用溅射法沉积掩模层的步骤; 以及（E）通过使用电子束在沉积有二氧化硅（SiO 2）的金字塔形发光二极管上沉积氧化铟锡（ITO）形成透明电极的步骤。 形成漏电流保护层以覆盖发光结构的末端部分或端部，从而最小化发光二极管的漏电流的产生。
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公开(公告)号：KR101455130B1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：KR1020130040801
申请日：2013-04-15
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
IPC: G01N27/12
Abstract: 본 발명에 따르면, 반도체기판(10); 및 상기 반도체기판(10) 상에 일정간격 이격되어 각각 증착된 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)과, 상기 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)으로부터 각각 성장되어 형성된 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)와, 상기 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)의 표면에 증착된 촉매층(50)을 포함하는 접합센서소자(100);를 포함하는 금속산화물 반도체를 이용한 접합센서 어레이를 개시한다.
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