公开(公告)号：KR101702991B1

公开(公告)日：2017-02-10

申请号：KR1020150105724

申请日：2015-07-27

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 조창희 ,  고민지 ,  백성호 ,  송보경

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/311 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 반도체나노월 구조의제조방법이개시된다. 본발명은기판을준비하는단계(단계 1); 상기기판상에감광제를스핀코팅하여감광제층을형성하는단계(단계 2); 상기감광제층의일부를노광하여복수의홀 어레이를형성하는단계(단계 3); 상기형성된복수의홀 하부를식각하는단계(단계 4); 상기식각된홀 하부의표면및 측면을고분자물질로코팅하는단계(단계 5); 상기코팅된홀 하부의기판일부를식각하는단계 (단계 6); 상기단계 5의고분자코팅과상기단계 6의식각을반복수행하여월의깊이및 깊이방향형태를조절하는단계(단계 7); 상기감광제층을제거하고, 건식산화공정및 BOE를사용한습식식각을수행하여 3차원주기성을갖는나노월 구조의반도체를제조하는단계(단계 8)를포함하는 3차원주기성을갖는반도체나노월 구조의제조방법을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种半导体纳米壁结构的制造方法。 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：准备衬底（步骤1）; 通过在衬底上旋涂光刻胶来形成光刻胶层（步骤2）; 暴露一部分光敏剂层以形成多个孔阵列（步骤3）; 蚀刻多个孔的底部（步骤4）; 用聚合物材料涂覆蚀刻孔的表面和侧面（步骤5）; 在涂覆的孔下方蚀刻一部分基板（步骤6）; 重复步骤5的聚合物涂层和步骤6的意识以调整深度和深度方向的壁的形状（步骤7）; 除去光敏材料层，具有三维周期性，包括：制造通过使用干法氧化工艺和BOE执行湿蚀刻具有三维周期性的半导体纳米月结构的步骤的半导体纳米月结构（步骤8） ＆lt;

公开(公告)号：KR1020170013439A

公开(公告)日：2017-02-07

申请号：KR1020150105724

申请日：2015-07-27

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 조창희 ,  고민지 ,  백성호 ,  송보경

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/311 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 반도체나노월 구조의제조방법이개시된다. 본발명은기판을준비하는단계(단계 1); 상기기판상에감광제를스핀코팅하여감광제층을형성하는단계(단계 2); 상기감광제층의일부를노광하여복수의홀 어레이를형성하는단계(단계 3); 상기형성된복수의홀 하부를식각하는단계(단계 4); 상기식각된홀 하부의표면및 측면을고분자물질로코팅하는단계(단계 5); 상기코팅된홀 하부의기판일부를식각하는단계 (단계 6); 상기단계 5의고분자코팅과상기단계 6의식각을반복수행하여월의깊이및 깊이방향형태를조절하는단계(단계 7); 상기감광제층을제거하고, 건식산화공정및 BOE를사용한습식식각을수행하여 3차원주기성을갖는나노월 구조의반도체를제조하는단계(단계 8)를포함하는 3차원주기성을갖는반도체나노월 구조의제조방법을포함한다.

公开(公告)号：KR1020160107747A

公开(公告)日：2016-09-19

申请号：KR1020150030962

申请日：2015-03-05

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 조창희 ,  송보경 ,  한승훈 ,  홍정일 ,  송현석

IPC: H01F10/08 ,  H01F10/12 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F10/08 ,  H01F10/12 ,  H01F41/02

Abstract: 금속나노홀 어레이에의한표면플라즈몬현상을이용한금속막 구조투명자석및 금속막 구조투명자석제작방법이개시된다. 본발명의일실시예에따른금속막 구조투명자석은, 적어도하나의나노홀 어레이가형성되는한층이상의금속막을포함하고, 상기한층이상의금속막은, 상기나노홀 어레이로광이입사됨에따라, 표면플라즈몬(Surface Plasmon)을발생하여광투과성을갖는다.

Abstract translation: 公开了使用通过金属纳米孔阵列产生表面等离子体的金属膜结构的透明磁体及其制造方法。 根据本发明的实施例，具有金属膜结构的透明磁体包括形成有至少一个纳米孔阵列的一层或多层金属膜，其中一层或多层金属膜根据光产生表面等离子体 进入纳米孔阵列以具有透光能力。