-
公开(公告)号：WO2023027318A1
公开(公告)日：2023-03-02
申请号：PCT/KR2022/009495
申请日：2022-07-01
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본 발명은 멀티 발광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 일실시예에 따른 멀티 발광체는 고분자 물질 및 발광 물질의 혼합물로 형성된 제1 발광층과, 제1 발광층에 구비된 나노선 영역 내부에 형성되고 서로 중첩없이 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 나노선 전극 및 복수의 제2 나노선 전극을 구비하는 전극층 및 전극층이 형성된 제1 발광층 상에 혼합물로 형성된 제2 발광층을 포함한다.
-
公开(公告)号：KR102004650B1
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：KR1020180024803
申请日：2018-02-28
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/0392
-
公开(公告)号：KR101806024B1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160060629
申请日：2016-05-18
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/10 , H01L31/09 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 소스와연결된그래핀층, 드레인과연결된제 1 층및 그래핀층 및제 1 층을연결하는터널링배리어를포함하는채널을포함하는포토트랜지스터및 이를제작하기위한방법이제공된다. 포토트랜지스터는전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor; FET) 구조를갖는다.
-
公开(公告)号：KR1020170130646A
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020160060629
申请日：2016-05-18
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/10 , H01L31/09 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/10 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 소스와연결된그래핀층, 드레인과연결된제 1 층및 그래핀층 및제 1 층을연결하는터널링배리어를포함하는채널을포함하는포토트랜지스터및 이를제작하기위한방법이제공된다. 포토트랜지스터는전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor; FET) 구조를갖는다.
Abstract translation: 提供了一种光电晶体管及其制造方法，该光电晶体管包括连接到源极的石墨烯层，连接到漏极的第一层以及包括连接石墨烯层和第一层的隧穿势垒的沟道。 光电晶体管具有场效应晶体管（FET）结构。
-
公开(公告)号：KR1020150142098A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020140069947
申请日：2014-06-10
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 기판및 상기기판상부에소정의간격으로복수의나노홀이형성된금속막을포함하며, 상기금속막의나노홀 형태는원 또는다각형으로이루어진것을특징으로하는금속나노홀 어레이가형성된투명전극을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种具有金属纳米孔阵列的透明电极。 具有金属纳米孔的透明电极包括基板和金属膜，在基板的上部上以一定的间隔形成有多个纳米孔。 纳米孔具有圆形或多边形。 透明电极在整个可见光区域可以具有高传输和导电性，以便使用柔性显示屏。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102200765B1
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：KR1020190027916
申请日：2019-03-12
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 유연발광장치가개시된다. 유연발광장치는고분자매트릭스및 이의내부에분산된나노발광체를포함하고, 전계(electric field)의인가에의해광을생성하는발광복합체매질; 발광복합체매질내부에서제1 방향으로연장되고, 동일가상평면에서서로이격되게배치되고, 제1 전압이인가되는복수의제1 섬유전극들; 및발광복합체매질내부에서상기제1 방향으로연장되고, 상기제1 섬유전극들과교대로배치되며, 상기제1 전압과다른제2 전압이인가되는복수의제2 섬유전극들을구비한다.
-
公开(公告)号：KR1020170127088A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020160056907
申请日：2016-05-10
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원 , 광주과학기술원
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명의목적은반사도가우수하면서도반도체층과의오믹컨택을유지할수 있는발광다이오드용반사전극및 이의제조방법을제공하는데있다. 상기목적을달성하기위하여본 발명은반도체층 상에형성되는전도체홀 어레이층; 상기전도체홀 어레이층 상에형성되는도전성층; 및상기도전성층상부에형성되는알루미늄금속층;을포함하는것을특징으로하는발광다이오드용반사전극및 반도체층을형성하는단계; 상기반도체층 상부로전도체홀 어레이층을형성하는단계; 상기전도체홀 어레이층상부로도전성층을형성하는단계; 상기도전성층상부로알루미늄금속층을형성하는단계;를포함하는것을특징으로하는발광다이오드용반사전극의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 반사전극으로본 발명에서제시한구조를사용함으로써가시광영역뿐만아니라자외선영역에서도반사도가우수하여광추출효율이향상되며, 나아가반도체층과의오믹컨택을유지할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 发明内容本发明的目的是提供一种用于发光二极管的反射电极及其制造方法，该反射电极能够保持与半导体层的欧姆接触，同时具有优异的反射率。 根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：形成在半导体层上的导电孔阵列层; 形成在导电孔阵列层上的导电层; 以及形成在所述导电层上的铝金属层，所述方法包括：形成用于发光二极管的反射电极和半导体层; 在半导体层上形成导体孔阵列层; 用导体孔阵列分层部分形成导电层; 7.根据权利要求1所述的制造用于发光二极管的反射电极的方法，其中， 根据本发明，通过使用在本发明中用作反射电极提出的结构，且反射率优于以提高光提取效率，以及在可见光区域，紫外光区域，还有一个进一步的效果，可以维持与半导体层的欧姆接触。
-
公开(公告)号：KR101702991B1
公开(公告)日：2017-02-10
申请号：KR1020150105724
申请日：2015-07-27
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L21/311 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 반도체나노월 구조의제조방법이개시된다. 본발명은기판을준비하는단계(단계 1); 상기기판상에감광제를스핀코팅하여감광제층을형성하는단계(단계 2); 상기감광제층의일부를노광하여복수의홀 어레이를형성하는단계(단계 3); 상기형성된복수의홀 하부를식각하는단계(단계 4); 상기식각된홀 하부의표면및 측면을고분자물질로코팅하는단계(단계 5); 상기코팅된홀 하부의기판일부를식각하는단계 (단계 6); 상기단계 5의고분자코팅과상기단계 6의식각을반복수행하여월의깊이및 깊이방향형태를조절하는단계(단계 7); 상기감광제층을제거하고, 건식산화공정및 BOE를사용한습식식각을수행하여 3차원주기성을갖는나노월 구조의반도체를제조하는단계(단계 8)를포함하는 3차원주기성을갖는반도체나노월 구조의제조방법을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种半导体纳米壁结构的制造方法。 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：准备衬底（步骤1）; 通过在衬底上旋涂光刻胶来形成光刻胶层（步骤2）; 暴露一部分光敏剂层以形成多个孔阵列（步骤3）; 蚀刻多个孔的底部（步骤4）; 用聚合物材料涂覆蚀刻孔的表面和侧面（步骤5）; 在涂覆的孔下方蚀刻一部分基板（步骤6）; 重复步骤5的聚合物涂层和步骤6的意识以调整深度和深度方向的壁的形状（步骤7）; 除去光敏材料层，具有三维周期性，包括：制造通过使用干法氧化工艺和BOE执行湿蚀刻具有三维周期性的半导体纳米月结构的步骤的半导体纳米月结构（步骤8） ＆lt;
-
公开(公告)号：KR1020170013439A
公开(公告)日：2017-02-07
申请号：KR1020150105724
申请日：2015-07-27
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L21/311 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 반도체나노월 구조의제조방법이개시된다. 본발명은기판을준비하는단계(단계 1); 상기기판상에감광제를스핀코팅하여감광제층을형성하는단계(단계 2); 상기감광제층의일부를노광하여복수의홀 어레이를형성하는단계(단계 3); 상기형성된복수의홀 하부를식각하는단계(단계 4); 상기식각된홀 하부의표면및 측면을고분자물질로코팅하는단계(단계 5); 상기코팅된홀 하부의기판일부를식각하는단계 (단계 6); 상기단계 5의고분자코팅과상기단계 6의식각을반복수행하여월의깊이및 깊이방향형태를조절하는단계(단계 7); 상기감광제층을제거하고, 건식산화공정및 BOE를사용한습식식각을수행하여 3차원주기성을갖는나노월 구조의반도체를제조하는단계(단계 8)를포함하는 3차원주기성을갖는반도체나노월 구조의제조방법을포함한다.
-
10.发明公开금속 나노 홀 어레이에 의한 표면 플라즈몬 현상을 이용한 금속 막 구조 투명 자석 및 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법 有权使用金属纳米孔阵列的表面等离子体的金属膜结构的透明磁体和制造透明磁体的方法
公开(公告)号：KR1020160107747A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020150030962
申请日：2015-03-05
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 금속나노홀 어레이에의한표면플라즈몬현상을이용한금속막 구조투명자석및 금속막 구조투명자석제작방법이개시된다. 본발명의일실시예에따른금속막 구조투명자석은, 적어도하나의나노홀 어레이가형성되는한층이상의금속막을포함하고, 상기한층이상의금속막은, 상기나노홀 어레이로광이입사됨에따라, 표면플라즈몬(Surface Plasmon)을발생하여광투과성을갖는다.
Abstract translation: 公开了使用通过金属纳米孔阵列产生表面等离子体的金属膜结构的透明磁体及其制造方法。 根据本发明的实施例，具有金属膜结构的透明磁体包括形成有至少一个纳米孔阵列的一层或多层金属膜，其中一层或多层金属膜根据光产生表面等离子体 进入纳米孔阵列以具有透光能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.029 seconds)
