BTTS 트랜지스터를 활용한 적층-트랜지스터 전력증폭기
    11.
    发明公开
    BTTS 트랜지스터를 활용한 적층-트랜지스터 전력증폭기 有权
    功率放大器使用CASCODE BTTS晶体管

    公开(公告)号:KR1020160044793A

    公开(公告)日:2016-04-26

    申请号:KR1020140139702

    申请日:2014-10-16

    Inventor: 임동구

    CPC classification number: H03F3/21 H03F3/45179 H03F3/45188 H03F3/45192

    Abstract: 본발명은상기 BTTS 트랜지스터를 2개이상직렬로적층하여전력증폭기를구현하는것을그 목적으로한다. 또한본 발명은 2 개의트랜지스터를직렬로적층한캐스코드 (Cascode) 전력증폭기에있어입력트랜지스터의게이트에인가되는신호의반대위상을가지는신호를캐스코드단 트랜지스터의게이트에인가함으로써, 각트랜지스터에균등한전압분배가이루어지는전력증폭기에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明是通过串联堆叠两个或更多个BTTS晶体管来提供功率放大器。 此外,本发明涉及串联堆叠两个晶体管的共源共栅功率放大器。 具有与施加到输入晶体管的栅极的信号相反的相位的信号被施加到共源共栅级晶体管的栅极,以将功率均匀地分配给每个晶体管。 在功率放大器中,第一晶体管的源极接地,其栅极连接到输入端子,第二晶体管的源极连接到第一晶体管的漏极,其漏极连接到输出端子 。

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