Abstract:
본 발명은 2~20nm의 입자 크기를 갖는 산화구리(CuO) 나노입자의 합성에 관한 것이다. 본 발명은 상기 CuO 나노입자는 물, 에탄올(Ethanol), 에틸렌글리콜(Ethylene glycol)의 혼합 용매를 사용하여 잉크 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 에틸렌글리콜은 환원제 역할을 한다. 또한 본 발명은 배합된 CuO 나노입자 잉크를 사용하여 기판에 박막을 제조 하였고, 서로 다른 시간 간격으로 마이크로파를 조사하여 순수한 구리 박막을 형성하였다. 스핀코팅(Spin coated)하여 제작된 CuO 잉크 박막에 3분 이상 마이크로파 조사하면 벌크(bulk)보다 2 내지 3배 높은 4.65μΩ.cm 저항을 갖는다. 상기 잉크는 젤펜에 응용하여 다양한 기판에 인쇄되었다. 상기 잉크펜으로 종이기판에 인쇄된 전극은 3회 연속인쇄 및 마이크로파 조사 하였고 벌크 보다 6배 높은 10μΩ의 저항을 갖는다.
Abstract:
본 발명은 인공 와우용 주파수 분리기에 관한 것으로, 내부에 유체저장공간(103)을 갖는 본체 상(101)에 형성된 기판(102) 기판상에 복수의 하부전극(104)과 복수의 압전박막(105) 및 복수의 상부전극(106)이 순차 적층 형성되며, 상기 복수의 하부전극(104)과 상기 복수의 압전박막(105) 및 상기 복수의 상부전극(106)이 각각 중첩되는 각각의 중첩영역의 길이 또는 두께 또는 길이 및 두께는 음파의 진행방향을 따라서 점차 증가하는 구조로 하며, 하부전극(104)과 압전박막(105) 및 상부전극(106)은 잉크 프린팅에 의해 각각 형성된다.
Abstract:
본 발명은 인공 와우 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 액추에이터를 통해 소리의 민감도나 주파수 선택도를 조정할 수 있도록 하는 인공 와우 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 능동 피드백 제어용 인공 와우 장치는 인체 내부로 삽입되어 주파수 대역별로 소리를 감지하는 인공 와우 장치로서, 소리에 의한 진동을 감지하고, 상기 진동의 크기에 대응되는 전기신호를 생성하는 센서부와, 상기 센서부에 배치되어 상기 전기신호에 따라 반응하여, 상기 소리의 크기에 따른 민감도를 조절하거나 상기 주파수 대역별로 감지되는 소리의 주파수 선택도를 조절하는 작동자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of highly crystalline zinc oxide quantum dots is provided to be manufactured by a low temperature process, and to have excellent dispersity. CONSTITUTION: A manufacturing method of highly crystalline zinc oxide quantum dots comprises a step of dissolving a zinc acetate dihydrate into a methanol(S200); a step of dissolving potassium hydroxide into a methanol(S210); a step of adding the result from the second step into the result from the first step up to pH of 9(S220); a step of reacting the result of the third step(S230); and a step of mixing the result from the fourth step and deionized water, to manufacture ZnO quantum dots(S240). [Reference numerals] (s200) Step of producing a solution 1 by dissolving 0.1M zinc acetate dehydrate in methanol; (s210) Step of producing a solution 2 by dissolving 1M KOH in methanol; (s220) Step of producing a solution 3 by heating the solution 1 to 55°C-70°C to be prepared and mixing the solution 2 with the solution 1 until pH becomes 9; (s230) Step of preparing a solution 4 by heating the solution 3 to 25°C-70°C to be prepared and heating DI-water to 25°C-100°C; (s240) Step of producing a solution 5 containing ZnO QDs by slightly executing the reaction of the identical amount of solutions 3 and 4; (s250) Step of centrifuging the solution 5 to decant precipitate(ZnO), re-filling and mixing with ethanol, and re-centrifuging to wash the ZnO QDs
Abstract:
PURPOSE: A frequency separator for an artificial cochlear using a piezoelectric thin film and a manufacturing method thereof are provided to offer people losing hearing of a sensory nervous system a sound sensing capability without need of a microphone, an audio processor, and a transmission and reception apparatus which process external sound into a neural signal. CONSTITUTION: A frequency separator includes a main body(112) and a substrate(111). The substrate comprises a sound vibration entrance(117) for letting sound waves enter and an air outlet(118) discharging a fluid inside the main body by the sound waves. The frequency separator includes a plurality of piezoelectric thin films(114) and an upper electrode(116) having a schottky contact with a piezoelectric thin film. The frequency separator includes a bottom electrode(115) having an ohmic contact and a frequency separation insulator line(113) for separating frequencies.
Abstract:
The present invention relates to a method of fabricating an N-doped ZnO film of adjusting band gap and the application for solar cells using the same. More particularly, the present invention relates to a method of fabricating a solar cell which includes a step of depositing N-doped ZnO by forming argon/nitrogen mixture gas plasma in a ZnO target; a step of controlling band gap by controlling the thickness of the N-doped ZnO thin film; and a step of depositing a N-doped CuO thin film in the upper part of the N-doped ZnO thin film. Because a ZnO film of adjusting band gap of the present invention has a function of light absorption in a wide range and the control of band gap according to thickness, it is used as a light emitting material. Also, because a solar cell which includes the N-doped ZnO thin film of the present invention provides high power conversion efficiency, it can be used as an optical device such as a solar cell, LED, etc, and a semiconductor application material.
Abstract:
The present invention relates to P-type zinc oxide nanoparticles and a manufacturing method thereof. Also the present invention relates to a method for manufacturing electronic ink using P-type zinc oxide nanoparticles. The purpose of the present invention is to provide P-type zinc oxide nanoparticles and a manufacturing method thereof wherein the P-type zinc oxide nanoparticles are manufactured based on a solution method using group 1 elements (Li, Na, K, Rb, Cs and Fr) or group 5 elements (P, As, Sb and Bi) as a dopant, thereby having a simple process, high credibility and low costs. For the purpose, the present invention provides spherical or polygonal P-type zinc oxide nanoparticles doped with the elements. The present invention provides electronic ink and a manufacturing method thereof comprising: a first step for mixing acetic acid with the aqueous solution of zinc acetate; a second step for refluxing after heating the product of the first step at a temperature of 80°C; and a third step for adding a 0.1 M sodium hydroxide solution after heating the product of the second step at a temperature of 80°C. Also the present invention provides electronic ink manufactured by mixing the P-type zinc oxide nanoparticles with a predetermined ink solvent and a manufacturing method thereof. [Reference numerals] (AA) Aqueous solution of zinc acetate;(BB) Acetic acid;(CC) Mixture of zinc acetate and acetic acid;(DD) Refluxing after heating at a temperature of 80°C;(EE) Sodium hydroxide;(FF) Zinc oxide nanoparticles
Abstract:
본 발명은 질소가 도핑된 산화아연 투명 전도막의 제조방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 반응기 내부에 놓여진 기판에 기상(gas phase)의 아연소스를 공급하여 기판에 아연소스를 흡착시키는 단계; 상기의 아연소스가 흡착된 기판에 산소가스와 질소가스의 혼합가스를 플라즈마 형태로 공급하여 기판에 흡착된 아연소스와 반응시켜 질소가 도핑된 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및 상기의 형성된 질소가 도핑된 산화아연 박막을 성장시키는 단계를 포함하는 질소가 도핑된 산화아연 투명 전도막의 제조방법에 관한 것이다.