Abstract:
본 발명은 하이브리드 녹색 에너지창 시스템 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유리창; 상기 유리창의 일측면에 형성되며, 태양으로부터 전력을 생산하기 위한 태양전지부; 상기 유리창의 타측면에 형성되며, 디스플레이를 수행하기 위한 디스플레이부; 및 상기 태양전지부와 디스플레이부와 전기적으로 연결되고, 태양전지부로부터 발생된 전력을 충전하며, 이를 디스플레이부에 공급하기 위한 축전지부를 구비한 하이브리드 녹색 에너지창 시스템 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 상기 하이브리드 녹색 에너지창은 별도의 외부 전력 없이 태양의 광에너지를 전기에너지로 변환하여 자체 발광으로 인해 다양한 화면 구현 뿐만 아니라 각종 광원, 조명, 광고판 등으로 적용이 가능한 것으로, 친환경 저탄소 녹색 에너지 융합 건물의 구현을 가능하게 한다.
Abstract:
본 발명은 특정 음의 주파수에 진동하는 생체 기저막의 특성을 모사하기 위하여 압전 특성을 가진 나노와이어를 인공기저막 위에 수평 성장시키고, 본체 내에 인공기저막과 유체를 밀봉하여 제조한 주파수 분리기에 관한 것이다. 본 발명은 음파가 주파수 분리기의 유체를 진동시키면 유체의 기계적 진동에 의해 상기 나노와이어에 변형이 생기면 전류 전기신호가 발생하고, 음파의 주파수에 따라 상기 전기신호는 개별 전극을 통하여 청신경에 전달되어 뇌간에 정보를 전달하는 주파수 분리 능력을 가진 수평 성장된 나노와이어 주파수 분리기를 제공한다. 본 발명은 압전 나노와이어의 자가 발전에 의해 내부 또는 외부 배터리가 필요 없는 인공와우용 주파수 분리기를 제공한다.
Abstract:
본 발명은 나노와이어를 포함하는 다양한 구조를 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터 제조방법은 기판에 절연층을 형성하는 단계와, 절연층 위에 시드층을 형성하는 단계와, 시드층을 부분 식각하기 위한 식각 방지층을 시드층에 도포하는 단계와, 시드층을 부분 식각하는 단계와, 식각된 시드층의 수평 방향으로 나노와이어를 측면 성장시키는 단계와, 식각 방지층을 제거하고 시드층 위에 소스/드레인 중 어느 하나의 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 크로스링크의 우려가 없는 나노와이어를 반도체 채널층으로 성장시켜 높은 전자이동도를 갖는 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 용이하게 제조할 수 있다. 또한 촉매 없이 저온, 대면적 공정에서 나노와이어를 포함하는 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 대량으로 제조할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 특정 음의 주파수에 진동하는 생체 기저막의 특성을 모사하기 위하여 압력을 받으면 전기를 발생하는 특성을 가진 압전박막을 인공기저막 위에 형성하고 본체 내부에 상기 인공기저막과 유체를 밀봉하여 제조한 주파수 분리기에 관한 것이다. 본 발명은 음파가 유체를 진동시키면 유체의 기계적 진동에 의해 상기 압전박막에 변형이 생기면서 전기신호가 발생하고, 음파의 주파수에 따라 상기 전기신호는 개별 전극을 통하여 청신경에 전달되어 뇌간에 정보를 전달하는 주파수 분리 능력을 가진 주파수 분리기를 제공한다. 본 발명은 압전박막의 발전에 의해 내부 또는 외부 배터리가 필요 없는 인공와우용 주파수 분리기를 제공한다.
Abstract:
본 발명은 인공 와우용 주파수 분리기에 관한 것으로, 내부에 유체저장공간(103)을 갖는 본체 상(101)에 형성된 기판(102) 기판상에 복수의 하부전극(104)과 복수의 압전박막(105) 및 복수의 상부전극(106)이 순차 적층 형성되며, 상기 복수의 하부전극(104)과 상기 복수의 압전박막(105) 및 상기 복수의 상부전극(106)이 각각 중첩되는 각각의 중첩영역의 길이 또는 두께 또는 길이 및 두께는 음파의 진행방향을 따라서 점차 증가하는 구조로 하며, 하부전극(104)과 압전박막(105) 및 상부전극(106)은 잉크 프린팅에 의해 각각 형성된다.
Abstract:
본 발명은 인공 와우 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 액추에이터를 통해 소리의 민감도나 주파수 선택도를 조정할 수 있도록 하는 인공 와우 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 능동 피드백 제어용 인공 와우 장치는 인체 내부로 삽입되어 주파수 대역별로 소리를 감지하는 인공 와우 장치로서, 소리에 의한 진동을 감지하고, 상기 진동의 크기에 대응되는 전기신호를 생성하는 센서부와, 상기 센서부에 배치되어 상기 전기신호에 따라 반응하여, 상기 소리의 크기에 따른 민감도를 조절하거나 상기 주파수 대역별로 감지되는 소리의 주파수 선택도를 조절하는 작동자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
PURPOSE: An artificial cochlea device for the active feedback controlling and a method thereof are provided to copy the mechanism of an outer hair cell of the cochlea through an actuator which is driven by the sound pressure, thereby classifying and recognizing various sizes of sound by the pressure deviation. CONSTITUTION: A sensor unit senses the vibration by sound, and generates an electric signal corresponding to the size of the vibration. The sensor unit comprises a plurality of operator (230) which moves a frequency dividing unit in response to the electric signal. The operator operates the sensitivity by the size of sound or the selectivity of sound which is sensed by each frequency band. A plurality of operator is arranged separately to a plurality of base unit (216). The plurality of operator is consecutively connected along a first substrate (210) or a second substrate (212). The operator moves up and down by the electric signal which is generated in the base unit and a nanopillar (214).
Abstract:
PURPOSE: A selective alignment growth method of a zinc oxide nano pillar array is provided to produce a soft device by utilizing a one-dimension nanostructure and to improve interface adhesive force of a zinc oxide nano pillar. CONSTITUTION: The surface of a substrate(1) is processed with plasma(2). An electrode layer(3) is formed on the substrate. A photoresist layer is formed on the substrate. A negative pattern is formed on the photoresist layer. A seed layer(4) is formed on the electrode layer. A nano pillar is formed on the seed layer.
Abstract:
본 발명은 나노와이어를 포함하는 다양한 구조를 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터 제조방법은 기판에 절연층을 형성하는 단계와, 절연층 위에 시드층을 형성하는 단계와, 시드층을 부분 식각하기 위한 식각 방지층을 시드층에 도포하는 단계와, 시드층을 부분 식각하는 단계와, 식각된 시드층의 수평 방향으로 나노와이어를 측면 성장시키는 단계와, 식각 방지층을 제거하고 시드층 위에 소스/드레인 중 어느 하나의 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 크로스링크의 우려가 없는 나노와이어를 반도체 채널층으로 성장시켜 높은 전자이동도를 갖는 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 용이하게 제조할 수 있다. 또한 촉매 없이 저온, 대면적 공정에서 나노와이어를 포함하는 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 대량으로 제조할 수 있다.