公开(公告)号：KR100200195B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960061893

申请日：1996-12-05

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 윤형도 ,  윤대원 ,  김성구 ,  허현

IPC: G02B5/30

Abstract: 본 발명은 광변조기 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 광도파로 (116)가 형성된 내부칩(103)의 상면 양측에는 보조 블럭(104)이 하부로는 제 1 보조 글래스(105), 제 2 보조 글래스(110) 및 진동 및 충격 흡수용 패드(112)가 적층되어 하우징(113)에 내장되고, 광파이버(101)가 삽입된 캐피러리(102)와 광파이버(101)는 상기 내부칩(103) 및 보조 블록(104)에 고정되며, 연장된 광파이버(101)는 제 2 보조 글래스(110)의 상면에 부착된 지지용 블럭(111)에 고정되어 하우징(113)의 외부로 삽통되되, 에폭시(109)에 의해 하우징(113)에 고정되며 상기 하우징(113)은 밀봉됨을 특징으로 하는 광변조기 패키지를 제공하여 광파이버(101)와 내부칩(103)의 결합 강도를 높일 수 있고 내부칩(103)의 보호는 물론 광신호 및 전기 신호를 원활하게 유지시키며 특히 소자의 신뢰� ��을 높일 수 있고 상품화가 가능한 광변조기 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019980060666A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：KR1019960080029

申请日：1996-12-31

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 윤대원 ,  윤형도 ,  김성구 ,  허현 ,  반재경

IPC: H01L21/28

Abstract: 파릴렌 버퍼층을 구비하는 집적광학소자를 개시한다. 본 발명은 기판의 표면 근방에 형성된 광도파로와, 상기 광도파로 및 기판 상에 형성된 파릴렌 버퍼층과, 상기 파릴렌 버퍼층의 표면 일부를 노출하는 도전패턴과, 상기 도전패턴 상에 형성된 전극패턴과, 상기 전극 패턴 상에 접착된 외부전극을 포함한다. 본 발명의 집적광학소자는 두께가 얇은 파린렌 버퍼층을 도입함으로써 저전압 구동을 하는데 유리하며, 공정을 단순화할 수 있기 때문에 재현성 있는 소자제작이 가능하고 제작단가를 낮출 수 있다.

公开(公告)号：KR100234915B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019960080029

申请日：1996-12-31

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 윤대원 ,  윤형도 ,  김성구 ,  허현 ,  반재경

IPC: H01L21/28

Abstract: 파릴렌 버퍼층을 구비하는 집적광학소자를 개시한다. 본 발명은 기판의 표면 근방에 형성된 광도파로와, 상기 광도파로 및 기판 상에 형성된 파릴렌 버퍼층과, 상기 파릴렌 버퍼층의 표면 일부를 노출하는 도전패턴과, 상기 도전패턴 상에 형성된 전극패턴과, 상기 전극 패턴 상에 접착된 외부단자를 포함한다. 본 발명의 집적 광학소자는 두께가 얇은 파릴렌 버퍼층을 도입함으로써 저전압 구동을 하는데 유리하며, 공정을 단순화할 수 있기 때문에 재현성 있는 소자제작이 가능하고 제작단가를 낮출 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980079124A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：KR1019970016799

申请日：1997-04-30

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김성구 ,  윤대원 ,  윤형도

IPC: G02B6/43 ,  G02B6/13 ,  G02B6/26

Abstract: 본 발명의 광도파로 소자의 연마방법은 광도파로가 형성된 기판 상에 버퍼층을 형성한 후 상기 광도파로 상의 버퍼층 상에 연마용 금속 패턴을 형성한다. 이어서, 광섬유와 접속할 수 있도록 상기 연마용 금속 패턴 및 버퍼층이 형성된 상기 기판의 측면을 연마한다. 상기 버퍼층은 실리콘 산화막으로 형성한다. 본 발명에 의하면, 광도파로 상에 버퍼층 및 연마용 금속 패턴이 형성되어 있기 때문에 상기 광도파로와 금속 패턴 사이에 에어갭이 발생하기 않는다. 따라서, 광도파로 표면에 홈이 발생하지 않고 균일하게 연마할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980017849A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019960037670

申请日：1996-08-31

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김성구 ,  윤형도 ,  윤대원

IPC: H01S3/00

Abstract: 광변조기의 미세전극 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 기판 상에 유전막을 형성하는 단계와, 상기 유전막 상에 크롬(Cr)막을 형성하는 단계와, 상기 크롬막 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 크롬막을 식각하여 상기 유전막을 노출하는 개구부를 갖는 크롬막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 크롬막 패턴이 형성된 기판의 전면에 상기 개구부를 충분히 매립하도록 금막을 형성하는 단계와, 상기 금막 상에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 제2 포토레지스트를 패터닝하여 상기 개구부의 상부와 일치되도록 도금 가이드를 형성하는 단계와, 상기 도금 가이드에 의하여 노출된 금막 상에 금을 전기도금하여 도금막을 형성하는 단계와, 상기 도금 가이드를 제거하여 상기 금막을 노출 하는 도금막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 도금막 패턴을 식각마스크로 상기 금막을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광변조기의 미세전극 형성방법을 제공한다. 본 발명의 광변조기의 미세전극 형성방법은 양산 적용에 유리하고, 도금막 패턴의 형성시 20㎛ 두께 이상의 도금 가이드를 이용함으로써 두꺼운 미세전극을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980017848A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019960037669

申请日：1996-08-31

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김성구 ,  윤형도 ,  윤대원

IPC: H01S3/00

Abstract: 광변조기의 미세전극 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 기판 상에 투명한 유전막을 형성하는 단계와, 상기 유전막 상에 크롬(Cr)막을 형성하는 단계와, 상기 크롬막 상에 금(Au)막을 형성하는 단계와, 상기 금막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 금막 및 크롬막을 식각하여 금막 패턴 및 크롬막 패턴을 형성는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 금막 패턴 상에 금을 전기도금(electroplating)하여 도금막 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광변조기의 미세전극 형성방법을 제공한다. 본 발명의 광변조기의 미세전극 형성방법은 양산공정에 적용하기 용이하고 미세전극의 두께를 종래기술보다 두꺼운 10㎛이상까지 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980003657A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960025194

申请日：1996-06-28

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 윤형도 ,  김성구 ,  윤대원

IPC: G02B6/30