-
公开(公告)号：KR1020140037702A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：KR1020120104186
申请日：2012-09-19
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 전자부품연구원
IPC: H01L29/786 , H01L31/09
CPC classification number: H01L31/0264 , H01L27/14616 , H01L29/78696 , H01L31/0324 , H01L45/141
Abstract: The present invention relates to a transparent electronic device having 2D transition metal dichalcogenides with multi-layers, an optoelectronic device, and a transistor device. Preferably, the present invention relates to form a channel layer between transparent layers by forming a multilayer which consisting of at least three layers of a single transition metal dichalcogenide. For this, a transparent electronic device using transition metal dichalcogenides with multi-layers includes electrodes made of a transparent conductive material, and a channel region which is formed between the electrodes by the transition metal dichalcogenides.
Abstract translation: 本发明涉及具有多层二维过渡金属二硫属元素的透明电子器件，光电器件和晶体管器件。 优选地，本发明涉及通过形成由至少三层单一过渡金属二硫属元素组成的多层，在透明层之间形成通道层。 为此，使用具有多层的过渡金属二硫属元素的透明电子器件包括由透明导电材料制成的电极和通过过渡金属二硫属元素形成在电极之间的沟道区域。
-
公开(公告)号：KR1020120131674A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：KR1020110050014
申请日：2011-05-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/115
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14676 , H01L31/085
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor array panel for an X-ray detector and a method for manufacturing a thin film transistor on a substrate are provided to simplify a process and stably drive a device by applying a device of a top gate structure to a TFT backplane panel. CONSTITUTION: A thin film transistor(120) has a top gate structure and is formed in each pixel region defined on a base substrate(110). The thin film transistor includes a source electrode(122B) and a drain electrode(122A) formed on the same layer as the source electrode. A photoelectric conversion device(140) is electrically connected to the thin film transistor. The photoelectric conversion device includes a pixel electrode(142), a photoconductor layer(144), and a bias electrode(146).
Abstract translation: 目的：提供一种用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列面板和用于在衬底上制造薄膜晶体管的方法，以通过将顶栅结构的器件施加到TFT背板来简化工艺并稳定地驱动器件 面板。 构成：薄膜晶体管（120）具有顶栅结构并且形成在限定在基底（110）上的每个像素区域中。 该薄膜晶体管包括与源电极形成在同一层上的源电极（122B）和漏电极（122A）。 光电转换装置（140）与薄膜晶体管电连接。 光电转换装置包括像素电极（142），光电导体层（144）和偏置电极（146）。
-
公开(公告)号：KR102054254B1
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：KR1020180009800
申请日：2018-01-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1368
-
-
公开(公告)号：KR1020150064470A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020130149235
申请日：2013-12-03
Applicant: 전자부품연구원 , 경희대학교 산학협력단
Abstract: 양자점제조방법은이차원적평면구조를가지는화합물박막을화학기상증착(Chemical Vapor Deposition(CVD)) 방식으로기판에증착하는단계, 증착된상기화합물박막을기계적박리방식으로박리시키는단계및 박리된상기화합물박막을이용하여양자점을생성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 制造量子点的方法包括以下步骤：通过化学气相沉积（CVD）方法在衬底上沉积具有二维平面结构的复合薄膜; 通过机械剥离法剥离沉积的复合薄膜; 并使用去皮化合物薄膜形成量子点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101376732B1
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020120104186
申请日：2012-09-19
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 전자부품연구원
IPC: H01L29/786 , H01L31/09
Abstract: 본 발명은 다층 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 투명전자소, 이를 이용한 광전자 소자, 및 트랜지스터 소자에 관한 것으로서, 종래의 단층 전이금속 칼코겐화합물을 바람직하게는 3층 이상의 다층으로 구성하여 복수의 투명전극 사이에 채널층으로 형성한 발명에 관한 것이다. 이를 위해 투명 전도성 물질로 이루어진 복수의 전극, 그리고, 다층 전이금속 칼코겐 화합물(Transition Metal Dichalcogenides)에 의해 상기 복수의 전극 사이에 채널이 형성되는 채널영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 투명전자소자가 개시된다.
-
公开(公告)号：KR101895217B1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：KR1020160179668
申请日：2016-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G09F9/302 , G06F3/14 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/1333 , G06F3/14 , G09F9/302
Abstract: 본발명은복수의단위디스플레이가타일링된구조에서타일링된경계에위치하는베젤을최소화하여디스플레이의품질을향상시키기위한것이다. 단위디스플레이는플렉서블패널과지지기판을포함한다. 플렉서블패널은픽셀들이형성되는픽셀영역과, 픽셀영역의가장자리부분에형성되는베젤영역을포함한다. 그리고지지기판은플렉서블패널이접합되는베이스기판으로, 상부면에플렉서블패널의픽셀영역이접합되고, 상부면에연결된측면과하부면에플렉서블패널의베젤영역이접혀져접합된다. 그리고복수의단위디스플레이는접속부재로연결되어타일링멀티디스플레이로구현된다.
-
-
公开(公告)号：KR101649102B1
公开(公告)日：2016-08-30
申请号：KR1020140100556
申请日：2014-08-05
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 투명전극을포함한반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는, 복수개의전극, 상기복수개의전극중 적어도일부사이에채널을형성하는채널영역, 및상기복수개의전극중 적어도일부와상기채널영역의적어도일부사이에형성되는인터레이어막을포함하되, 상기인터레이어막은메탈을포함하며, 상기인터레이어막에포함된상기메탈의일함수와상기채널영역에포함된채널영역물질의전자친화도의차이가 ± 0.5eV 이내이다.
-
公开(公告)号：KR101469533B1
公开(公告)日：2014-12-05
申请号：KR1020130061787
申请日：2013-05-30
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01N27/205 , G01N15/0826 , G01N33/0004 , G01N33/0027
Abstract: 본 발명은 물질의 수분, 산소 등을 포함하는 외기의 침투율을 측정하는 장치에 관한 것으로, 본 실시예에 따른 기판의 외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지는 기판을 투과한 외기와의 접촉에 따라 반응하는 반응 물질을 포함하는 반응부; 상기 반응부를 수용하며, 상기 반응 물질의 상기 외기와의 접촉에 따른 변화를 측정하는 측정부에 탈착 가능한 카트리지 몸체; 및 상기 카트리지 몸체를 차폐하며, 상기 반응 물질과 상기 외기의 접촉을 위하여 상기 카트리지 몸체에서 박리되는 차폐수단을 포함한다. 본 발명에 따르면 카트리지화된 가스 투과도 측정 장치 및 방법을 이용함으로써 종래의 기술에 비해 정밀하고 신뢰성 있는 데이터 확보가 가능하여 플렉서블 AMOLED 등의 새로운 응용분야에 필요한 제품의 신뢰성 평가가 용이할 수 있다. 또한 기판이 수용되는 부분도 카트리지 형태로 제작하여 상대적으로 장착 및 지지가 자유롭지 않은 유연 기판을 측정하고자 할 때 장치 외부에서 간편하게 작업할 수 있어서 측정자 간의 균일도 오류를 줄일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量包括材料的水分，氧气等的室外空气的渗透率的装置。 根据本实施方式，用于测量基板的室外空气渗透率的反应性材料筒包括：反应部，其包括反应性材料，所述反应性材料与通过所述基板的室外空气接触而反应; 容纳反应部分并且可以根据室外空气和反应性材料之间的接触测量变化的测量部件拆卸的盒体; 以及屏蔽装置，其屏蔽盒体并且为了反应性材料和室外空气之间的接触目的而从盒体剥离。 根据本发明，与现有技术相比，使用筒式气体透过率测量装置和方法可以确保更准确和可靠的数据，从而有助于新应用所需产品的可靠性评估，例如灵活性 AMOLED的。 此外，容纳衬底的部分可以以盒形式制造。 因此，在测量不能相对自由地安装和支撑的柔性基板时，可以方便地在设备的外部执行操作，从而减少测量者之间的均匀性误差。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.017 seconds)
