Abstract:
본 발명은 액체를 이용한 에너지 전환 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기습윤(electrowetting)현상의 반대현상을 응용하여 기계적 에너지를 전기 에너지로 전환시키는 방법 및 장치에 관한 것으로 한쌍의 전극사이에서 액체와의 접촉면을 변화시키고, 그에 따른 액체와의 접촉면 변화를 전기에너지 생성에 활용하여, 채널 막힘현상이나 윤활층, 혹은 채널상에 복잡하게 패터닝된 전극들을 필요로 하지 않도록 함으로써 장치의 단순화, 제조원가 절감과 함께 고장이 적은 에너지 전환장치를 구현한다는 효과가 있으며, 플렉서블 소자 구현이 가능하도록 하고, 소자의 구조를 간단하게 하여 대면적 적용이 용이하도록 한 장점이 있다.
Abstract:
저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조방법 및 그 전자소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화물 박막 제조방법은 산화물 용액을 기판 상에 코팅하는 단계와 불활성 가스 분위기 하에서 상기 코팅된 산화물 용액에 자외선 조사하는 단계를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 능동 매트릭스 디스플레이의 화소 구조 및 제조 방법에 관한 것으로, 화소 전극 및 화소 정의층의 제조 공정을 간소화하고 화소 전극의 패터닝에 따른 화소 전극의 가장자리 부분에 형성되는 단자로 인한 문제를 해소하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 화소 구조는 베이스 기판, 복수의 화소 회로 전극, 절연층 및 복합층을 포함한다. 복수의 화소 회로 전극은 베이스 기판 위에 매트릭스 형태로 배열된다. 절연층은 복수의 화소 회로 전극의 외곽을 덮도록 베이스 기판의 상부에 형성된다. 그리고 복합층은 복수의 화소 회로 전극과 절연층의 상부를 덮도록 일체로 형성된다. 이때 복합층은 절연층에서 노출된 복수의 화소 회로 전극에 각각 연결되게 형성된 전도성의 화소 전극과, 화소 전극 외곽의 비전도성의 화소 정의층을 포함한다.
Abstract:
본 발명은 액체와의 접촉면 변화를 이용한 에너지 전환 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기습윤(electrowetting)현상의 반대현상을 응용하여 기계적 에너지를 전기 에너지로 전환시키는 방법 및 장치에 관한 것으로 한쌍의 전극사이에서 액체와의 접촉면을 변화시키고, 그에 따른 액체와의 접촉면 변화를 전기에너지 생성에 활용하여, 채널 막힘현상이나 윤활층, 혹은 채널상에 복잡하게 패터닝된 전극들을 필요로 하지 않도록 하므로써 장치의 단순화, 제조원가 절감과 함께 고장이 적은 에너지 전환장치를 구현한다는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 물질의 수분, 산소 등을 포함하는 외기의 침투율을 측정하는 장치에 관한 것으로, 본 실시예에 따른 기판의 외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지는 기판을 투과한 외기와의 접촉에 따라 반응하는 반응 물질을 포함하는 반응부; 상기 반응부를 수용하며, 상기 반응 물질의 상기 외기와의 접촉에 따른 변화를 측정하는 측정부에 탈착 가능한 카트리지 몸체; 및 상기 카트리지 몸체를 차폐하며, 상기 반응 물질과 상기 외기의 접촉을 위하여 상기 카트리지 몸체에서 박리되는 차폐수단을 포함한다. 본 발명에 따르면 카트리지화된 가스 투과도 측정 장치 및 방법을 이용함으로써 종래의 기술에 비해 정밀하고 신뢰성 있는 데이터 확보가 가능하여 플렉서블 AMOLED 등의 새로운 응용분야에 필요한 제품의 신뢰성 평가가 용이할 수 있다. 또한 기판이 수용되는 부분도 카트리지 형태로 제작하여 상대적으로 장착 및 지지가 자유롭지 않은 유연 기판을 측정하고자 할 때 장치 외부에서 간편하게 작업할 수 있어서 측정자 간의 균일도 오류를 줄일 수 있다.
Abstract:
본 발명은 용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치를 개시한다. 본 발명은 샘플탑재부와, 내부에 챔버 공간을 가지며, 일정 간격을 가지고 이격 분리되어 형성된 하우징을 구비하되, 하우징은 적어도 2개의 영역으로 분리된 구조를 가지며, 일 영역에는 챔버 공간의 상부에는 상기 샘플탑재부와 대향되게 형성되어 하부로 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프부를 포함하고, 일영역 내부로 불활성가스를 주입하기 위한 불활성가스주입부를 구비하고, 다른 영역에는 자외선 램프부가 설치되지 않으며, 샘플탑재부는 샘플을 탑재한 상태에서 이동가능하게 구성된다.
Abstract:
Disclosed is an ultraviolet lamp device for sintering an oxide thin film using a solution process. The ultraviolet lamp device includes a sample mounting part; a housing which has a structure which surrounds the sample mounting part and includes a chamber space in side; an ultraviolet lamp part which faces the sample mounting part in the upper part of a chamber space and emits ultraviolet rays downwards; and an inert gas injection part which injects inert gas into a sample which is mounted on the sample mounting part and is formed in a region of the housing.
Abstract:
본 발명은 다층 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 투명전자소, 이를 이용한 광전자 소자, 및 트랜지스터 소자에 관한 것으로서, 종래의 단층 전이금속 칼코겐화합물을 바람직하게는 3층 이상의 다층으로 구성하여 복수의 투명전극 사이에 채널층으로 형성한 발명에 관한 것이다. 이를 위해 투명 전도성 물질로 이루어진 복수의 전극, 그리고, 다층 전이금속 칼코겐 화합물(Transition Metal Dichalcogenides)에 의해 상기 복수의 전극 사이에 채널이 형성되는 채널영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 투명전자소자가 개시된다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing an oxide thin film by using a low temperature process, the oxide thin film, and an electric device thereof are provided to prevent the deterioration of an oxide property by emitting an ultraviolet ray under an inert gas atmosphere. CONSTITUTION: An oxide solution (2) is coated on a substrate (10). The coated oxide solution is irradiated with an ultraviolet ray under an inert gas atmosphere. The wavelength of the ultraviolet ray is 150 to 260 nm. The holding time of the ultraviolet irradiation is 1 to 240 minutes. The inert gas atmosphere is a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, or a helium atmosphere. [Reference numerals] (AA) Inert gas atmosphere
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of thin film transistor and a thin film transistor manufactured by the same are provided to be applied to an OLED(Organic Light Emitting Diode) requiring great amount of current by offering a short channel thin film transistor having a channel width of less than 1μm while using general exposing device. CONSTITUTION: A gate electrode(120), a gate insulating layer(130), and a source electrode(140) are successively formed on a substrate(110). A photoresist layer for forming the channel region on the source electrode is formed. The source electrode is etched on the gate insulating layer in order to form the drain electrode.