公开(公告)号：KR1020010092308A

公开(公告)日：2001-10-24

申请号：KR1020010013068

申请日：2001-03-14

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 기시무라신지 ,  사사고마사루 ,  시라이마사미츠 ,  츠노오카마사히로

IPC: G03F7/028

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/146

Abstract: PURPOSE: To obtain a good pattern shape when a resist pattern is formed by using light for exposure having a wavelength of 1 nm band 30 nm band or 110 nm band to 180 nm band. CONSTITUTION: A pattern forming material with a polymer containing a 1st unit of formula(1) and a 2nd unit of formula(2) and an acid generating agent is applied on a substrate to form a resist film. In the formulae, R1 and R2 are the same or different and are each alkyl, Cl or Cl-containing alkyl and R3 is protective group which is released by an acid. The resist film is patternwise exposed by irradiation with light for exposure having a wavelength of 1 nm band to 30 nm band or 110 nm band to 180 nm band and the patternwise exposed resist film is developed to form the objective resist pattern.

Abstract translation: 目的：为了通过使用具有波长为1nm波段30nm波段或110nm波段至180nm波段的曝光用光来形成抗蚀剂图案，以获得良好的图案形状。 构成：将具有含有式（1）的第一单元和第二单元的式（2）的聚合物的图案形成材料和酸产生剂施加到基板上以形成抗蚀剂膜。 在式中，R 1和R 2相同或不同，各自为烷基，含Cl或Cl的烷基，R 3为被酸释放的保护基。 通过用曝光用光照射抗蚀剂膜，其波长为1nm带至30nm带或110nm带至180nm带，并且图案曝光的抗蚀剂膜显影以形成目标抗蚀剂图案。

公开(公告)号：KR1019910001291B1

公开(公告)日：1991-02-28

申请号：KR1019870011931

申请日：1987-10-28

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 엔도마사유끼 ,  사사고마사루 ,  오가와가즈후미

IPC: G03F7/095

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019890007398A

公开(公告)日：1989-06-19

申请号：KR1019880014157

申请日：1988-10-29

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 엔도오마사유끼 ,  사사고마사루 ,  우에노아쓰시 ,  노무라노보루 ,  마쓰오까고오지

IPC: H01L21/31

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1020080076845A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020080014029

申请日：2008-02-15

Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  파나소닉 주식회사

Inventor： 야기하시후지오 ,  하마다요시타카 ,  아사노다케시 ,  이와부치모토아키 ,  나카가와히데오 ,  사사고마사루

IPC: C08G77/06 ,  C08G77/04 ,  C08J9/22 ,  C08J5/18

CPC classification number: C08G77/08 ,  C08G77/045 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682 ,  Y10T428/249953

Abstract: A siloxane polymer is provided to form porous films having improved mechanical strength without doing damage to a low dielectric constant. A method for preparing siloxane polymer by hydrolysis and condensation of a hydrolyzable silane compound includes the steps of: preparing a salt of a silsesquioxane cage compound represented by the following formula 1 of (SiO_1.5-O)_n^(n-)X^(+)_n or an aqueous solution of the salt; and hydrolyzing the hydrolyzable silane compound to condense the resultant to silanol terminal groups of the silsesquioxane cage compound. In the formula 1, X represents NR4, Rs are identical to and different from one another and independently represent a linear or branched C1-4 alkyl group, and n is an integer between 6 and 24.

Abstract translation: 提供硅氧烷聚合物以形成具有改善的机械强度而不损害低介电常数的多孔膜。 通过水解和缩合可水解的硅烷化合物制备硅氧烷聚合物的方法包括以下步骤：制备由下列式（1）表示的倍半硅氧烷笼形化合物的盐：（SiO_1.5-O）_n（（n-）X ^ （+）_ n或盐的水溶液; 并水解可水解的硅烷化合物以将所得物冷凝成倍半硅氧烷笼形化合物的硅烷醇端基。 在式1中，X表示NR4，Rs相同且不同，独立地表示直链或支链C 1-4烷基，n为6〜24的整数。

公开(公告)号：KR100775919B1

公开(公告)日：2007-11-16

申请号：KR1020040008688

申请日：2004-02-10

Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  센트럴가라스 가부시기가이샤 ,  파나소닉 주식회사

Inventor： 하라다유지 ,  하타케야마준 ,  가와이요시오 ,  사사고마사루 ,  엔도마사유키 ,  기시무라신지 ,  마에다가즈히코 ,  고모리야하루히코 ,  미야자와사토루

IPC: C08G61/04

CPC classification number: G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

Abstract: 식(1a) 또는 (1b)로 표시된 반복 단위를 포함하는 중량 평균 분자량 1,000~500,000의 폴리머로서, 여기에서 R
1 은 산 불안정 기, 밀착성 기, 또는 불소화된 알킬기이고, R
2 는 수소 원자, 불소 원자, 또는 알킬기 또는 불소화된 알킬기이고, R
3 및 R
4 는 각각 단일결합, 또는 알킬렌기 또는 불소화된 알킬렌기이고, R
5 는 수소 원자 또는 산 불안정 기이며, "a"는 1 또는 2이고, 0

公开(公告)号：KR100679060B1

公开(公告)日：2007-02-05

申请号：KR1020030018358

申请日：2003-03-25

Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  센트럴가라스 가부시기가이샤 ,  파나소닉 주식회사

Inventor： 하라다유지 ,  하타케야마준 ,  가와이요시오 ,  사사고마사루 ,  엔도마사유키 ,  기시무라신지 ,  마에다가즈히코 ,  오오타니미치타카 ,  고모리야하루히코

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

Abstract: 불화 술포네이트 또는 불화 술폰이 도입된 베이스 중합체를 포함하는 레지스트 조성물은 300nm 이하의 고에너지선에 감응하며, 우수한 투명성, 콘트라스트 및 밀착성을 가지고, 리소그래피용 미세가공에 적합하다.
불화 술포네이트, 불화 술폰, 중합체, 레지스트, 고에너지선, 패턴

Abstract translation: 包含氟化物或氟化物砜磺酸盐抗蚀剂组合物被引入到基础聚合物，并且是至300nm或更小的高能辐射敏感，具有优异的透明性，对比度和附着力，适合于微细加工的光刻。

公开(公告)号：KR100602039B1

公开(公告)日：2006-07-14

申请号：KR1020020074253

申请日：2002-11-27

Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  센트럴가라스 가부시기가이샤 ,  파나소닉 주식회사

Inventor： 하라다유지 ,  하타케야마준 ,  가와이요시오 ,  사사고마사루 ,  엔도마사유키 ,  기시무라신지 ,  마에다가즈히코 ,  오오타니미치타카 ,  고모리야하루히코

IPC: C07C69/734

CPC classification number: G03F7/0397 ,  C07C67/10 ,  C07C69/653 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/28 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/74 ,  C07C2603/86 ,  C08F20/28

Abstract: α위치에 불소 원자 또는 불소 원자를 갖는 알킬기가 치환되며 알콕시메틸기를 에스테르 측쇄에 도입한 아크릴산 에스테르는 신규하다. 아크릴산 에스테르로 부터 얻어진 폴리머는 투명성, 산 탈리성 및 기판 밀착성에 있어서 개선되고 리소그라피 미세가공용 화학 증폭 레지스트 조성물을 제제화 하기 위하여 사용된다.
아크릴산 에스테르, 리소그라피, 레지스트 조성물, 화학증폭

公开(公告)号：KR100559562B1

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020030030428

申请日：2003-05-14

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 나카가와히데오 ,  사사고마사루

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 다공막으로 이루어지는 저유전율 절연막의 기계강도를 향상시키기 위한 것이다.
저유전율 절연막을 형성하기 위한 용액은, 실리콘수지(2)와, 주로 실리콘원자 및 산소원자로 이루어지며 다수의 구멍을 갖는 미립자(3)와, 용매(4)를 포함한다.
포로젠, 다공막

Abstract translation: 用于形成本发明的具有低介电常数的绝缘膜的材料是包括主要由硅原子和氧原子组成并且具有大量孔隙的细颗粒，树脂和溶剂的溶液。

公开(公告)号：KR1020060009227A

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：KR1020057002888

申请日：2004-06-14

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 나카가와히데오 ,  사사고마사루 ,  히라이요시히코

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76817 ,  H01L21/76828

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device is disclosed wherein a pressing surface of a pressing member which has a projected portion is pressed against a fluid film so that the shape of the projected portion is transferred onto the fluid film, thereby forming a first recessed portion therein. Then, while pressing the pressing surface against the fluid film, the fluid film is heated to a first temperature, so that the fluid film is solidified into a solid film having the first recessed portion. Next, the solid film is heated to a second temperature for firing which is higher than the first temperature, so that the solid film is formed into a fired film having the first recessed portion. After forming a mask on the fired film which mask has an opening for formation of a second recessed portion, the fired film is etched using the mask, so that a second recessed portion is formed in the fired film which second recessed portion at least communicates with the first recessed portion. A plug and a metal wiring composed of a metal material are formed by filling the first and second recessed portions of the fired film with the metal material.

Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法，其中具有突出部分的按压部件的按压表面被压在流体膜上，使得突出部分的形状被转印到流体膜上，从而在其中形成第一凹部 。 然后，在将按压面压靠流体膜的同时，将流体膜加热至第一温度，使得流体膜固化成具有第一凹部的固体膜。 接下来，将固体膜加热至高于第一温度的第二烧成温度，使得固体膜形成为具有第一凹部的烧成膜。 在掩模具有用于形成第二凹部的开口形成掩模的掩模上形成掩模之后，使用掩模蚀刻烧制的膜，从而在烧制膜中形成第二凹部，该第二凹部至少与 第一凹部。 通过用金属材料填充烧制膜的第一和第二凹部来形成由金属材料构成的插头和金属布线。

公开(公告)号：KR100509066B1

公开(公告)日：2005-08-19

申请号：KR1020020058628

申请日：2002-09-27

Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  센트럴가라스 가부시기가이샤 ,  파나소닉 주식회사

Inventor： 하타케야마준 ,  하라다유지 ,  가와이요시오 ,  사사고마사루 ,  엔도마사유키 ,  기시무라신지 ,  오오타니미치타카 ,  고모리야하루히코 ,  마에다가즈히코

IPC: G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392

Abstract: (A) 적어도 1개의 불소 원자를 함유하는 반복 단위를 포함하는 폴리머, (B) 일반식 (1)의 화합물, (C) 유기 용제, (D) 광 산발생제를 포함하는 화학증폭 레지스트 조성물은 고에너지선에 감응하며, 200nm 미만의 파장에서의 감도 및 투명성이 개선된다.

(상기 식에서, R
1 및 R
2 는 H, F 또는 알킬 또는 불화 알킬이며, R
1 및 R
2 중 적어도 어느 1개는 적어도 1개의 불소 원자를 함유하고, R
3 은 단일 결합 또는 알킬렌이고, R
4 는 n-가의 방향족 또는 환상 디엔기이고, R
5 는 H 또는 C(=O)R
6 이고, R
6 은 H 또는 메틸이고, n은 2, 3 또는 4이다)