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    패턴형성재료 및 패턴형성방법
    2.
    发明授权
    패턴형성재료 및 패턴형성방법 失效
    图案形成材料与方法

    公开(公告)号：KR100744330B1

    公开(公告)日：2007-07-30

    申请号：KR1020010013068

    申请日：2001-03-14

    Applicant: 파나소닉 주식회사

    Inventor： 기시무라신지 ,  사사고마사루 ,  시라이마사미츠 ,  츠노오카마사히로

    IPC: G03F7/028

    CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/146

    Abstract: 본 발명은 1nm대∼30nm대 또는 110nm대∼180nm대의 파장을 갖는 노광광을 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 경우에 양호한 패턴형상을 얻을 수 있는 패턴형성재료 및 패턴형성방법에 관한 것이다. 주요 구성은 화학식 1에서 나타내는 제 1 유니트 및 화학식 2에서 나타내는 제 2 유니트를 포함하는 중합체와 산발생제를 갖는 패턴형성재료를 기판 상에 도포하여 레지스트막을 형성하는 것이다.


    (단 R
    1 및 R
    2 는 동종 또는 이종으로서, 알킬기, 염소원자 또는 염소원자를 포 함하는 알킬기이고, R
    3 은 산에 의해 탈리하는 보호기이다.)
    다음으로 레지스트막에 대하여 1nm대∼30nm대 또는 110nm대∼180nm대의 파장을 갖는 노광광을 조사하여 패턴노광을 한 후 패턴노광된 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성한다.
    레지스트 패턴, 레지스트막, 패턴노광

    중합체, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
    7.
    发明公开
    중합체, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 有权
    聚合物，耐蚀组合物和图案形成方法

    公开(公告)号：KR1020040010073A

    公开(公告)日：2004-01-31

    申请号：KR1020030018697

    申请日：2003-03-26

    Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  파나소닉 주식회사

    Inventor： 하라다유지 ,  하타케야마준 ,  사사고마사루 ,  엔도마사유키 ,  기시무라신지

    IPC: G03F7/039

    CPC classification number: C08F232/08 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  C08F228/02 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

    Abstract: PURPOSE: A polymer, a resist composition containing the polymer and a pattern formation method using the composition are provided, to obtain a resist composition sensitive to high energy radiation below 300 nm and having excellent contrast and adhesion to a substrate without deterioration of transparency. CONSTITUTION: The polymer comprises a repeating unit represented by the formula 1 or 3 and has a weight average molecular weight of 1,000-500,000, wherein R1 and R23 are independently a methylene group, O, S or SO2; R2 to R5 are independently H, F, a linear, branched or cyclic alkyl or fluoroalkyl group of C1-C20, -R6-SO3R7 or -R6-SO2R7, and at least one from R2 to R5 is -R6-SO3R7 or -R6-SO2R7; R6 is a valent bond or a linear, branched or cyclic alkylene or fluoroalkylene group of C1-C20; R7 is F or a linear, branched or cyclic fluoroalkyl group capable of containing a hydrophilic group such as OH; a is 0 or 1; R24 to R27 are independently H, F, a linear, branched or cyclic alkyl or fluoroalkyl group of C1-C30, -R28-SO3F or -R28-SO2R29, and at least one from R24 to R27 is -R28-SO3F or -R28-SO2R29 (wherein R28 is a valent bond or a linear, branched or cyclic alkylene or fluoroalkylene group of C1-C20, and R29 is an acid-labile group, an adhesive group, or a linear, branched or cyclic alkyl or fluoroalkyl group of C1-C20 capable of containing a hydrophilic group such as OH); and e is 0 or 1.

    Abstract translation: 目的：提供聚合物，含有聚合物的抗蚀剂组合物和使用该组合物的图案形成方法，以获得对300nm以下的高能量辐射敏感的抗蚀剂组合物，并且对基材的良好的对比度和粘合性而不会降低透明性。 构成：聚合物包含由式1或3表示的重复单元，其重均分子量为1,000-500,000，其中R 1和R 23独立地为亚甲基，O，S或SO 2; R2至R5独立地为H，F，C1-C20，-R6-SO3R7或-R6-SO2R7的直链，支链或环状烷基或氟烷基，R2至R5中的至少一个为-R6-SO3R7或-R6 -SO 2 R 7; R6是C1-C20的价键或直链，支链或环状亚烷基或氟亚烷基; R7是F或能够含有亲水基团如OH的直链，支链或环状氟代烷基; a是0或1; R 24至R 27独立地为H，F，C1-C30，-R28-SO3F或-R28-SO2R29的直链，支链或环状烷基或氟烷基，R24至R27中的至少一个为-R28-SO3F或-R28 -SO 2 R 29（其中R 28为C1-C20的价键或直链，支链或环状的亚烷基或氟亚烷基，R29为酸不稳定基团，粘合剂基团或直链，支链或环状的烷基或氟代烷基 能够含有亲水基团如OH的C1-C20）; e为0或1。

    노광용 마스크, 그 제조방법 및 노광방법
    9.
    发明公开
    노광용 마스크, 그 제조방법 및 노광방법 失效
    用于曝光的掩模，用于制造该掩模的方法以及曝光方法

    公开(公告)号：KR1020020077510A

    公开(公告)日：2002-10-11

    申请号：KR1020027011146

    申请日：2001-12-26

    Applicant: 파나소닉 주식회사 ,  가부시키가이샤 피디 서비스

    Inventor： 사사고마사루 ,  엔도마사유키 ,  히사츠구도쿠시게

    IPC: H01L21/027

    Abstract: 본 실시예의 다층구조형 노광용 마스크(1)는 도 2에 나타내는 바와 같이, 유리로 형성된 프레임(20), 프레임(20)의 하면 상에 설치된 실리콘 판(15), 실리콘 판(15)의 하면 상에 설치된 열흡수용 마스크(16), 열흡수용 마스크(16)의 하면 상에 설치된 실리콘 판(11) 및 실리콘 판(11)의 하면 상에 설치된 스텐실 마스크(14)를 구비한다. 스텐실 마스크(14)는 실리콘기판으로 형성되어 있고, 레지스트패턴을 형성하기 위한 슬릿형상의 패터닝용 개구(14a)를 구비하고 있다. 열흡수용 마스크(16)는 SiN막으로 피복된 실리콘기판으로 형성되어 있고, 스텐실 마스크(14)의 패터닝용 개구(14a)와 거의 같은 패턴으로 형성된 슬릿형상의 개구(16a)를 구비하고 있다. 개구(16a)는 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 레지스트패턴 형성에 필요한 전자 빔을 차단하지 않는 크기로 형성되어 있다. 즉, 개구(16a)의 크기는 패터닝용 개구(14a)의 크기와 일치하거나 또는 개구(16a)의 크기가 약간 크게 설치되어 있다. 또, 본 실시예의 다층구조형 노광용 마스크(1)에는 프레임(20) 및 실리콘 판(15)을 관통하고 열흡수용 마스크(16)의 상면 중의 개구(16a)가 형성되어 있는 영역을 노출하는 대개구(20a)가 설치되어 있다. 또, 본 실시예의 다층구조형 노광용 마스크(1)에는 실리콘 판(11)을 관통하고 열흡수용 마스크(16)의 하면 중의 개구(16a)가 형성되어 있는 영역과, 스텐실 마스크(14)의 상면 중의 패터닝용 개구(14a)가 형성되어 있는 영역을 노출하는 공동부(11a)가 설치되어 있다. 본 실시예의 다층구조형 노광용 마스크(1)에서는 스텐실 마스크(14)의 패터닝용개구(14a)와 열흡수용 마스크(16)의 개구(16a)가 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이 수평방향으로 위치맞춤되어 있다.

    폴리머, 레지스트조성물 및 패턴형성방법
    10.
    发明公开
    폴리머, 레지스트조성물 및 패턴형성방법 失效
    聚合物，耐腐蚀组合物和方法

    公开(公告)号：KR1020020020650A

    公开(公告)日：2002-03-15

    申请号：KR1020010055177

    申请日：2001-09-07

    Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  센트럴가라스 가부시기가이샤 ,  파나소닉 주식회사

    Inventor： 하라다유지 ,  하타케야마쥰 ,  와타나베쥰 ,  가와이요시오 ,  사사고마사루 ,  엔도마사유키 ,  기시무라신지 ,  오오타니미치타카 ,  미야자와사토루 ,  즈츠미겐타로 ,  마에다가즈히코

    IPC: C08F20/10

    CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

    Abstract: PURPOSE: A polymer compound, a chemical amplification-type positive resist composition and a method for forming pattern using the resist composition are provided, to improve transparency, substrate adhesion, alkali developability and acid-elimination capability of the resist composition. CONSTITUTION: The polymer compound comprises at least one repeating unit selected from the group consisting of the repeating units represented by the formulas 1a, 1b and 1c, wherein R is H, an acid unstable group, a linear, branched or cyclic alkyl or fluorinated group of C1-C20, an acyl group or an acyl group containing a fluorinated alkyl group; R1 and R2 are H or F; R3 and R4 are an acid unstable group and an adhesive group, respectively; R5 is a linear, branched or cyclic alkyl group of C1-C20 or a fluorinated alkyl group. The resist composition comprises the polymer compound; an organic solvent; an acid generator; and optionally a basic compound and/or a dissolution inhibitor.

    Abstract translation: 目的：提供高分子化合物，化学放大型正性抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成图案的方法，以提高抗蚀剂组合物的透明性，底物粘合性，碱显影性和酸消除能力。 构成：高分子化合物包含至少一种选自由式1a，1b和1c表示的重复单元的重复单元，其中R为H，酸不稳定基团，直链，支链或环状烷基或氟化基团 的C1-C20，酰基或含氟化烷基的酰基; R1和R2是H或F; R3和R4分别是酸不稳定基团和粘合剂基团; R5是C1-C20或氟化烷基的直链，支链或环状烷基。 抗蚀剂组合物包含高分子化合物; 有机溶剂; 酸发生器; 和任选的碱性化合物和/或溶解抑制剂。

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