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公开(公告)号：KR101429714B1
公开(公告)日：2014-08-12
申请号：KR1020120148605
申请日：2012-12-18
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 키높이 깔창이 개시된다. 키높이 깔창은, 신발 내부에 삽입되며 착용자의 발바닥이 접촉되는 깔창 본체와, 깔창 본체의 길이 방향으로 설치되는 탄성부재와, 탄성부재의 탄성력에 따라 깔창 본체의 길이 방향을 따라 슬라이딩 가능하게 설치되는 패드부재와, 깔창 본체에 설치되며 탄성부재의 탄성력을 극복하면서 패드부재의 설치된 위치를 선택적으로 고정하는 스위치부재를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101353212B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020110057625
申请日：2011-06-14
IPC: H03K19/003 , H03K17/687
CPC classification number: H03K19/0016 , H04B1/44
Abstract: 본 발명은 인버터 및 인버터를 포함하는 안테나 회로에 관한 것으로, 제1제어신호, 제2제어신호 및 제3제어신호를 포함하는 제어신호를 인가 받아 인버팅된 신호를 출력하는 것에 있어서, 제1제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 접지되는 제1모스트랜지스터; 제3제어신호가 게이트에 인가되고, 제2제어신호가 소스에 인가되는 제2모스트랜지스터; 및 제2제어신호가 게이트에 인가되고, 제3제어신호가 소스에 인가되는 제3모스트랜지스터; 를 포함하며, 상기 제1모스트랜지스터, 제2모스트랜지스터 및 제3모스트랜지스터의 드레인이 출력단자에 연결되어 구성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101332039B1
公开(公告)日：2013-11-22
申请号：KR1020110057626
申请日：2011-06-14
CPC classification number: H04B1/48 , H04B2001/485
Abstract: 본 발명은 전원발생회로 및 전원발생회로가 구비된 스위칭회로에 관한 것으로, 제2제어신호가 제어단자에 인가되고, 제1제어신호가 일단에 인가되는 제1트랜지스터; 및 상기 제1제어신호가 제어단자에 인가되고, 상기 제2제어신호가 일단에 인가되는 제2트랜지스터;를 포함하며, 상기 제1트랜지스터 및 상기 제2트랜지스터의 타단이 출력단자에 연결될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101214678B1
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：KR1020110058585
申请日：2011-06-16
IPC: H02M3/155 , H03K17/687 , G11C5/14
CPC classification number: H03F1/30
Abstract: PURPOSE: A power generating circuit and a switching circuit including the same are provided to minimize the performance deterioration of various devices by minimizing interference between the noise of a power amplifier and the noise of a switch unit. CONSTITUTION: A power generating circuit(130) includes a first MOS transistor(M1), a second MOS transistor(M2), a third MOS transistor(M3), and a fourth MOS transistor(M4). A second control signal is applied to a gate of the first MOS transistor. A first control signal is applied to a gate of the second MOS transistor. A source of the third MOS transistor is grounded. A source of the fourth MOS transistor is connected to a drain of the third MOS transistor.
Abstract translation: 目的：提供发电电路和包括该发电电路的开关电路，以通过最小化功率放大器的噪声与开关单元的噪声之间的干扰来最小化各种器件的性能恶化。 构成：发电电路（130）包括第一MOS晶体管（M1），第二MOS晶体管（M2），第三MOS晶体管（M3）和第四MOS晶体管（M4）。 第二控制信号施加到第一MOS晶体管的栅极。 第一控制信号施加到第二MOS晶体管的栅极。 第三个MOS晶体管的源极接地。 第四MOS晶体管的源极连接到第三MOS晶体管的漏极。
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公开(公告)号：KR101119374B1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：KR1020090115373
申请日：2009-11-26
CPC classification number: H03H11/36 , H03F1/0288 , H03H7/18 , H03H7/38
Abstract: 본발명은비대칭전력분배기에관한것으로, 병렬로연결된캐리어증폭기와피크증폭기에서로다른전력을공급하는전력분배부; 상기전력분배부와상기캐리어증폭기의임피던스정합을위해상기전력분배부와상기캐리어증폭기사이에연결된제 1 매칭네트워크; 및상기전력분배부와피크증폭기의임피던스정합을위해상기전력분배부와상기피크증폭기사이에연결된제 2 매칭네트워크를포함하며, 피크증폭기의저출력문제를해결할수 있고, 수동소자의사용으로발생되는손실을줄일수 있으며, 면적을줄일수 있어집적이용이하도록한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101070016B1
公开(公告)日：2011-10-04
申请号：KR1020090073430
申请日：2009-08-10
Abstract: 제한된범위의제어전압을이용하여입력신호의이득조절이가능한벡터변조기가개시된다. 상기벡터변조기는, 입력신호를서로다른위상을갖는두 신호로분리하는신호분리부; 상기신호분리부에의해분리된신호중 하나의이득을조정하며서로다른크기의이득제어전압에의해가변되는감쇠이득을갖는직렬연결된둘 이상의감쇠기를갖는제1 이득조정부; 외부에서입력받은하나의메인제어전압을분배하여상기제1 이득조정부에포함된감쇠기들의이득제어전압을생성하는제1 제어전압생성부; 상기신호분리부에의해분리된신호중 나머지하나의이득을조정하며서로다른크기의이득제어전압에의해가변되는감쇠이득을갖는직렬연결된둘 이상의감쇠기를갖는제2 이득조정부; 외부에서입력받은하나의메인제어전압을분배하여상기제2 이득조정부에포함된감쇠기들의이득제어전압을생성하는제2 제어전압생성부; 및상기제1 및제2 이득조정부에서이득조정된신호를상호결합하는신호결합부를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101932343B1
公开(公告)日：2018-12-24
申请号：KR1020170078606
申请日：2017-06-21
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 일 실시 예에 따른 운동 보조 장치는, 사용자의 근위부에 장착되는 근위 장착부; 사용자의 원위부에 장착되는 원위 장착부; 상기 근위부 및 원위부를 상대적으로 움직이게 하는 강제 운동 모듈; 및 상기 근위 장착부 및 원위 장착부 사이에 설치되어, 상기 근위부 및 원위부 사이에 인장력을 인가하는 탄성 모듈을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101332109B1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：KR1020120120340
申请日：2012-10-29
IPC: H03K17/687
Abstract: 본 발명은 전원발생회로 및 전원발생회로가 구비된 스위칭회로에 관한 것으로, 제2제어신호가 제어단자에 인가되고, 제1제어신호가 일단에 인가되며, 타단이 출력단자에 연결되는 제1트랜지스터; 상기 제1제어신호가 제어단자에 인가되고, 상기 제2제어신호가 일단에 인가되며, 타단이 출력단자에 연결되는 제2트랜지스터; 상기 제어신호 중 어느 한 개의 제어신호가 제어단자에 인가되고, 일단은 접지되는 제3트랜지스터; 및 상기 제어신호 중 다른 한 개의 제어신호가 제어단자에 인가되고, 일단은 상기 제3모스트랜지스터의 타단과 연결되며, 타단은 출력단자와 연결되는 제4모스트랜지스터;를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120094418A
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020120000535
申请日：2012-01-03
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G02B1/002 , G02B1/007 , H01Q15/0086
Abstract: PURPOSE: A high refraction index meta-material is provided to be applied to various fields by easily covering three-dimensional material. CONSTITUTION: A high refraction index meta-material comprises a pair of dielectric substrates(1, 3) and a conductive layer. The conductive layer is comprised of a plurality of unit gratings(2). The conductive layer is formed on the pair of dielectric substrates. The plurality of unit gratings forms a uniform gap. A refractive index of the high refraction index meta-material is greater than or equal to 35 in a predetermined frequency section. The refractive index of the high refraction index meta-material is 10times higher than the refractive index of the pair of dielectric substrates in the predetermined frequency section.
Abstract translation: 目的：通过容易地覆盖三维材料，提供了高折射率超声材料，适用于各种领域。 构成：高折射率超常材料包括一对电介质基片（1,3）和导电层。 导电层由多个单位光栅（2）组成。 导电层形成在一对电介质基片上。 多个单位光栅形成均匀间隙。 在预定频率部分中，高折射率超常材料的折射率大于或等于35。 高折射率超声材料的折射率比预定频率部分中的一对电介质基板的折射率高10倍。
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公开(公告)号：KR1020100055304A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：KR1020080114307
申请日：2008-11-17
CPC classification number: H03F1/3205 , H03F1/0222 , H03F1/223 , H03F3/193
Abstract: PURPOSE: According to the power amplifier is the output power, the resistance of the back-gate is varied so that the efficiency is kept and linearity can be improved. CONSTITUTION: A primary amplification section(100) amplifies the electricity of the input signal. The first MOS transistor outputted through the output terminal is included. The resistance control part(200) comprises the set output power resistance value. The output power of the output terminal is detected. The control to the resistance value corresponding to the detected output power is proceed. The variable resistance part(300) is connected between the back-gate of the first MOS transistor of the primary amplification section and earth. The resistance varied the resistance control part is offered.
Abstract translation: 目的：根据功率放大器的输出功率，后栅的电阻变化，保持效率，提高线性度。 构成：初级放大部分（100）放大输入信号的电能。 包括通过输出端子输出的第一MOS晶体管。 电阻控制部分（200）包括设定的输出功率电阻值。 检测输出端子的输出功率。 对与检测到的输出功率对应的电阻值进行控制。 可变电阻部分（300）连接在初级放大部分的第一MOS晶体管的背栅极和地之间。 电阻控制部分的电阻变化。
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