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公开(公告)号：KR101332109B1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：KR1020120120340
申请日：2012-10-29
IPC: H03K17/687
Abstract: 본 발명은 전원발생회로 및 전원발생회로가 구비된 스위칭회로에 관한 것으로, 제2제어신호가 제어단자에 인가되고, 제1제어신호가 일단에 인가되며, 타단이 출력단자에 연결되는 제1트랜지스터; 상기 제1제어신호가 제어단자에 인가되고, 상기 제2제어신호가 일단에 인가되며, 타단이 출력단자에 연결되는 제2트랜지스터; 상기 제어신호 중 어느 한 개의 제어신호가 제어단자에 인가되고, 일단은 접지되는 제3트랜지스터; 및 상기 제어신호 중 다른 한 개의 제어신호가 제어단자에 인가되고, 일단은 상기 제3모스트랜지스터의 타단과 연결되며, 타단은 출력단자와 연결되는 제4모스트랜지스터;를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130052588A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020130044897
申请日：2013-04-23
IPC: H03K19/003 , H03K17/687
CPC classification number: H03K19/0016 , H03K17/6871 , H03K19/0013
Abstract: PURPOSE: An inverter is provided to miniaturize an electronic device and reduce power consumption of the electronic device. CONSTITUTION: A switching circuit(100) includes a driver(110) and a switch unit(120). The driver includes a power generation circuit(111), a buffer(112), and an inverter unit(113). The power generation circuit generates a power voltage which is supplied to the buffer by applying a control signal generated in a controller which is implemented by various chip sets. The buffer outputs a control signal which is the same as the inputted control signal. The inverter unit outputs an inverted control signal by inverting the inputted control signal. The inverter unit performs an inverting operation only by input of a control signal without a separate external power supply. [Reference numerals] (111) Power generation circuit; (112) Buffer unit; (113) Inverter unit; (120) Switch unit; (AA) Control unit
Abstract translation: 目的：提供电子设备小型化并降低电子设备功耗的逆变器。 构成：开关电路（100）包括驱动器（110）和开关单元（120）。 驱动器包括发电电路（111），缓冲器（112）和逆变器单元（113）。 发电电路通过应用由各种芯片组实现的控制器中产生的控制信号，生成提供给缓冲器的电源电压。 缓冲器输出与输入的控制信号相同的控制信号。 逆变器单元通过反相输入的控制信号输出反相控制信号。 逆变器单元仅通过输入控制信号进行反相操作，而不需要单独的外部电源。 （附图标记）（111）发电电路; （112）缓冲单元; （113）变频器单元; （120）开关单元; （AA）控制单元
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公开(公告)号：KR1020120138279A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：KR1020110057625
申请日：2011-06-14
IPC: H03K19/003 , H03K17/687
CPC classification number: H03K19/0016 , H04B1/44
Abstract: PURPOSE: An inverter and a switching circuit including the same are provided to reduce size and power consumption of different electronic devices to which the inverter is applied by performing an inverting operation without a separate power supply. CONSTITUTION: A switching circuit(100) comprises a driver unit(110) and a switch unit(120). The driver unit includes a power generating device, a buffer unit(112), and an inverter unit(113). The control unit comprises all kinds of chipsets which generate a control signal. A power generation circuit generates a power supply voltage which is supplied to the buffer unit according to the control signal generated in the control unit. The switch unit comprises a plurality of IO(input and output) nodes, an antenna, and a switch. The switch unit connects or disconnects a specific IO node and the antenna. [Reference numerals] (111) Power generation circuit; (112) Buffer unit; (113) Inverter unit; (120) Switch unit; (AA) Control unit
Abstract translation: 目的：提供一种逆变器和包括该逆变器的开关电路，以通过在没有单独的电源的情况下执行反相操作来减小施加逆变器的不同电子设备的尺寸和功耗。 构成：切换电路（100）包括驱动器单元（110）和开关单元（120）。 驱动器单元包括发电装置，缓冲单元（112）和逆变器单元（113）。 控制单元包括产生控制信号的各种芯片组。 发电电路根据在控制单元中产生的控制信号产生供给到缓冲单元的电源电压。 开关单元包括多个IO（输入和输出）节点，天线和开关。 开关单元连接或断开特定的IO节点和天线。 （附图标记）（111）发电电路; （112）缓冲单元; （113）变频器单元; （120）开关单元; （AA）控制单元
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公开(公告)号：KR101153524B1
公开(公告)日：2012-06-12
申请号：KR1020100009125
申请日：2010-02-01
IPC: H01H36/00
CPC classification number: H01L27/092 , H01L2924/0002 , H01P1/15 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 표준 CMOS 공정에 따른 RF 스위치 및 스위치 컨트롤러의 N MOS FET 및 P MOS FET에 플로팅 저항을 연결한 경우 RF 스위치에 입력된 입력 신호가 스위치 컨트롤러에 전달되는 것을 제한하는 RF 스위치 회로에 관한 것으로, 하나의 칩 기판에 형성되어 RF 신호의 전달 경로를 변경하는 적어도 하나의 N MOS(Metal Oxide Semiconductor) 스위치를 구비하는 RF 스위치와, 상기 칩 기판에 형성되어 상기 RF 스위치의 경로 변경을 제어하는 적어도 하나의 N MOS 스위치 및 P MOS 스위치를 구비하는 스위치 컨트롤러와, 상기 칩 기판에 형성되어 상기 RF 스위치로부터 상기 스위치 컨트롤러에 전달되는 RF 신호의 레벨을 제한하는 딥(deep) N형 웰(well) 다이오드를 구비하는 리미터를 포함하며, 상기 RF 스위치의 N MOS 스위치는 플로팅(floating) 저항을 통해 해당하는 전원을 공급받고, 상 기 스위치 컨트롤러의 적어도 하나의 N MOS 스위치 및 P MOS 스위치는 플로팅 저항을 통해 해당하는 전원을 공급받는 RF 스위치 회로를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及当浮动电阻器连接到标准CMOS工艺的N MOS FET和P MOS FET时用于限制输入到RF开关的输入信号到开关控制器的传输的RF开关电路， 中，在一个芯片上衬底上形成被形成在N MOS RF开关中的至少一个，并且具有用于至少改变所述RF信号的传输路径，以控制RF开关的路径变化的（金属氧化物半导体）开关芯片基板 一种开关控制器，具有一个N MOS开关和一个P MOS开关;一个深N型阱二极管，形成在芯片衬底上，用于限制从RF开关传送到开关控制器的RF信号的电平; 并且RF开关的N MOS开关通过浮动电阻器提供相应的功率， 基极开关控制器的N个MOS开关和P MOS开关中的至少一个提供了通过浮动电阻器接收相应电源的RF开关电路。
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公开(公告)号：KR1020110089635A
公开(公告)日：2011-08-09
申请号：KR1020100009124
申请日：2010-02-01
IPC: H03K17/687 , H04B1/44
CPC classification number: H03K17/063 , H03K17/693 , H04B1/44
Abstract: PURPOSE: An RF switch controller is provided to reduce an insertion loss by supplying negative driving power to the gate and body of an RF switch when the RF switch is switched off. CONSTITUTION: An oscillator(110) provides a preset reference signal. A negative voltage generator(120) converts the reference signal from the oscillator into driving power and negative driving power. A decoder(130) decodes a control bit from the outside. A level shifter(140) supplies driving power to the gate of the RF switch when the RF switch is switched on.
Abstract translation: 目的：提供RF开关控制器，通过在RF开关关闭时向RF开关的门和主体提供负驱动电力来减少插入损耗。 构成：振荡器（110）提供预设的参考信号。 负电压发生器（120）将来自振荡器的参考信号转换为驱动功率和负驱动功率。 解码器（130）从外部解码控制位。 当RF开关接通时，电平移位器（140）向RF开关的栅极提供驱动电力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101376810B1
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：KR1020130044897
申请日：2013-04-23
IPC: H03K19/003 , H03K17/687
Abstract: 본 발명은 인버터에 관한 것으로, 제1제어신호, 제2제어신호 및 제3제어신호를 포함하는 제어신호를 인가 받아 인버팅된 신호를 출력하는 것에 있어서, 제1제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 접지되는 제1모스트랜지스터; 제3제어신호가 게이트에 인가되고, 제2제어신호가 소스에 인가되는 제2모스트랜지스터; 및 제2제어신호가 게이트에 인가되고, 제3제어신호가 소스에 인가되는 제3모스트랜지스터; 를 포함하며, 상기 제1모스트랜지스터, 제2모스트랜지스터 및 제3모스트랜지스터의 드레인이 출력단자에 연결되어 구성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110089636A
公开(公告)日：2011-08-09
申请号：KR1020100009125
申请日：2010-02-01
IPC: H01H36/00
CPC classification number: H01L27/092 , H01L2924/0002 , H01P1/15 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A radio frequency switch circuit is provided to prevent an input signal inputted to an RF switch from being transferred to a switch controller. CONSTITUTION: An RF switch(110) is formed on one chip substrate. The RF switch includes at least one N MOS(Metal Oxide Semiconductor) switch which changes an RF signal transmitting route. A switch controller(120) is formed on the chip substrate. The switch controller includes at least one N MOS switch(121) and at least one P MOS switch which control a route change of the RF switch. A limiter(130) is formed on the chip substrate. The limiter includes a deep N type well diode.
Abstract translation: 目的：提供射频开关电路，以防止输入到RF开关的输入信号传输到开关控制器。 构成：在一个芯片基板上形成RF开关（110）。 RF开关包括至少一个改变RF信号传输路径的N MOS（金属氧化物半导体）开关。 开关控制器（120）形成在芯片基板上。 开关控制器包括至少一个N MOS开关（121）和至少一个P MOS开关，其控制RF开关的路线变化。 限制器（130）形成在芯片基板上。 限幅器包括深N型阱二极管。
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公开(公告)号：KR101353212B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020110057625
申请日：2011-06-14
IPC: H03K19/003 , H03K17/687
CPC classification number: H03K19/0016 , H04B1/44
Abstract: 본 발명은 인버터 및 인버터를 포함하는 안테나 회로에 관한 것으로, 제1제어신호, 제2제어신호 및 제3제어신호를 포함하는 제어신호를 인가 받아 인버팅된 신호를 출력하는 것에 있어서, 제1제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 접지되는 제1모스트랜지스터; 제3제어신호가 게이트에 인가되고, 제2제어신호가 소스에 인가되는 제2모스트랜지스터; 및 제2제어신호가 게이트에 인가되고, 제3제어신호가 소스에 인가되는 제3모스트랜지스터; 를 포함하며, 상기 제1모스트랜지스터, 제2모스트랜지스터 및 제3모스트랜지스터의 드레인이 출력단자에 연결되어 구성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101332039B1
公开(公告)日：2013-11-22
申请号：KR1020110057626
申请日：2011-06-14
CPC classification number: H04B1/48 , H04B2001/485
Abstract: 본 발명은 전원발생회로 및 전원발생회로가 구비된 스위칭회로에 관한 것으로, 제2제어신호가 제어단자에 인가되고, 제1제어신호가 일단에 인가되는 제1트랜지스터; 및 상기 제1제어신호가 제어단자에 인가되고, 상기 제2제어신호가 일단에 인가되는 제2트랜지스터;를 포함하며, 상기 제1트랜지스터 및 상기 제2트랜지스터의 타단이 출력단자에 연결될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101214678B1
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：KR1020110058585
申请日：2011-06-16
IPC: H02M3/155 , H03K17/687 , G11C5/14
CPC classification number: H03F1/30
Abstract: PURPOSE: A power generating circuit and a switching circuit including the same are provided to minimize the performance deterioration of various devices by minimizing interference between the noise of a power amplifier and the noise of a switch unit. CONSTITUTION: A power generating circuit(130) includes a first MOS transistor(M1), a second MOS transistor(M2), a third MOS transistor(M3), and a fourth MOS transistor(M4). A second control signal is applied to a gate of the first MOS transistor. A first control signal is applied to a gate of the second MOS transistor. A source of the third MOS transistor is grounded. A source of the fourth MOS transistor is connected to a drain of the third MOS transistor.
Abstract translation: 目的：提供发电电路和包括该发电电路的开关电路，以通过最小化功率放大器的噪声与开关单元的噪声之间的干扰来最小化各种器件的性能恶化。 构成：发电电路（130）包括第一MOS晶体管（M1），第二MOS晶体管（M2），第三MOS晶体管（M3）和第四MOS晶体管（M4）。 第二控制信号施加到第一MOS晶体管的栅极。 第一控制信号施加到第二MOS晶体管的栅极。 第三个MOS晶体管的源极接地。 第四MOS晶体管的源极连接到第三MOS晶体管的漏极。
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