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11.发明公开다공 네트워크 구조의 리튬이차전지 음극 재료 제조방법 및 이에 의하여 제조된 리튬이차전지 음극 재료 有权用于制备具有多孔网络结构的锂二次电池的阳极材料的方法和由其制备的锂二次电池的阳极材料
公开(公告)号：KR1020140019069A
公开(公告)日：2014-02-14
申请号：KR1020120079399
申请日：2012-07-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01M4/1391 , H01M4/66 , H01M4/131 , H01M10/052
Abstract: A manufacturing method of a cathode material for a lithium secondary battery comprises: a step of spreading copper nano particles diluted with organic solvent, onto a substrate; a step of evaporating the organic solvent by a first heat treatment; a step of sintering the evaporated cathode by a second heat treatment.
Abstract translation: 锂二次电池用正极材料的制造方法包括：将用有机溶剂稀释的铜纳米粒子扩散到基板上的工序; 通过第一热处理来蒸发有机溶剂的步骤; 通过第二热处理烧结蒸发的阴极的步骤。
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12.发明授权
公开(公告)号：KR100975654B1
公开(公告)日：2010-08-17
申请号：KR1020080017524
申请日：2008-02-26
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H05K3/244 , H05K3/3463 , Y10T428/12493 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 Co 첨가에 의한 Sn-3.5Ag 솔더와 Ni-P 하부 금속층간의 접합 신뢰성을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 Sn-3.5Ag 솔더와 Ni-P 하부금속층간의 접합시 보다 좋은 특성을 얻기 위하여 새로운 솔더 합금 조성으로서 기존의 Sn-3.5Ag 솔더 조성에 0.02∼0.1wt.% 범위의 Co를 첨가하여 액정튜브에 넣고 밀봉하여 900∼1,000℃의 로에서 24시간이상 두어 완전히 녹인 후 고르게 섞일 수 있도록 5∼10분 동안 기계적으로 혼합시킨다. 이렇게 하여 만든 솔더 합금(Sn-3.5Ag-xCo)을 특수한 형태로 제작 한 후, Ni-P 하부금속층과의 접합시 계면에 형성되는 금속간 화합물 Ni
3 Sn
4 의 스폴링(spalling) 현상을 억제시킬 수 있다.
본 발명의 Co가 0.02∼0.1wt.% 첨가된 솔더는 하부금속층과의 조인트 형성과정 중 계면에 형성되는 금속간 화합물 Ni
3 Sn
4 의 스폴링 현상을 효과적으로 억제함으로써 금속간화합물(IMC)이 형성되는 양을 줄임과 동시에 솔더 조인트의 파괴 혹은 금속간화합물에 의한 기계적 취약성을 방지할 수 있다.
합금 솔더, 솔더 접합부, IMC, Spalling, 하부금속층-
公开(公告)号：KR100560173B1
公开(公告)日：2006-03-13
申请号：KR1020010019629
申请日：2001-04-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C21D8/02
Abstract: 본 발명은 고 Si 규소강판을 냉간압연에 의하여 박판으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 중량%로 5∼6.5%의 고 Si 규소강을 슬라브 강판으로 제조하는 단계; 상기 강판을 1100℃ 이상으로 재가열하여 조직을 균질화하는 단계; 및 상기 균질화된 강판을 800∼1200℃의 온도범위에서 열간압연하되 최종 패스의 압연온도를 800∼900℃로 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고 Si 규소강판의 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따르면 고주파 영역에서의 자기특성이 우수하지만 냉간압연이 불가능한 고 Si 규소강판을 연속적으로 박판으로 가공하는 것이 가능한 이점이 있다.-
公开(公告)号：KR100229601B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019970022739
申请日：1997-06-02
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C22C21/00
Abstract: 본 발명은 입방정 금속간화합물 분산강화 알루미늄합금 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 입방정 금속간화합물 분산강화 알루미늄합금(이하, '합금'이라 함)은 면심입방정 Al 기지 내에 Al, Mn, Ti 및Zr를 포함하는 입방정 금속간화합물(tAl-cMn-d(Ti
x zr
y ))이 1 내지 50at.% 분산되며, 금속간화합물의 조성비는 t=63내지 69at.%, c=6내지 12at.% 및 d=22 내지 28at.%이고, x+y=100at.%에 대하여 x=0 내지 100at.%, y=0내지 100at.% t+c=100at.%이다. 본 발명의 합금은 반응기를 진공처리한 후, 고순도의 Al, Ti, V 및 Zr을 주입하고 융해한 후 냉각하여 제조한 입방정 금속간화합물을 분말화하고, Al분말과 혼합하여 기계적 합금화하고 진공열간압연하여 제조한다. 본 발명의 합금은 면심입방정 Al 기지내에 입방정 금속간화합물 미세입자가 균일하게 분포되어 강화효과를 가져오고, Al 기지와 금속간화합물의 계면접합이 잘 이루어지면 고온에서의 조대화 저항성이 커서 고온에서 이용되는 분야에 적용될 수 있다. 또한, 본 발명의 합금의 제조방법은 기계적 합금화과정중에 중간의 원하지 않는 상변태 과정을 배제하여 목적하는 제 2상을 쉽게 분산시 킬 수 있고, 초기에 첨가되는 금속간화합물의 양을 조절함으로써 분산상의 부피분율을 자유롭게 조절하여 강도와 연신율을 조절할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020140137514A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：KR1020130057958
申请日：2013-05-22
Applicant: 엠케이전자 주식회사 , 한국과학기술원 , 전자부품연구원 , 한국생산기술연구원
CPC classification number: H01L2224/10
Abstract: The present invention relates to a lead-free solder and semiconductor components comprising the same. More specifically, The lead-free solder contains 0.5-1.0 wt% of copper (Cu), 0.001-0.1 wt% of palladium (Pd), and the remnant which is composed of tin (Sn). The present invention is environmentally friendly and has excellent high-temperature safety and excellent wetting properties, thereby enabling to obtain usable lead-free solder for the car semiconductor.
Abstract translation: 本发明涉及一种无铅焊料和包含该无铅焊料的半导体元件。 更具体地，无铅焊料含有铜（Cu）0.5-1.0重量％，钯（Pd）0.001-0.1重量％和由锡（Sn）组成的残余物。 本发明是环保型的，具有优异的高温安全性和优异的润湿性，从而能够获得用于汽车半导体的可用的无铅焊料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090092173A
公开(公告)日：2009-08-31
申请号：KR1020080017524
申请日：2008-02-26
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H05K3/244 , H05K3/3463 , Y10T428/12493 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: A solder joint structure in which the junction reliability between Sn-3.5Ag solder and Ni-P under bump metallization by co addition is improved is provided to suppress the additional chemical reaction between the solid bottom metal layer and the liquid solder. A solder joint structure has a structure that the Ni-P bottom metal layer is welded into the Sn-3.5Ag-xCo alloy solder in which the cobalt is added. In the alloy solder, the cobalt includes to 0.02~0.1wt% range. The junction of the Ni-P bottom metal layer and the alloy solder(Sn-3.5Ag-xCo) adding the cobalt are connected between the PCB substrate and the silicon chip. The solder junction is connected between the silicon chip and silicon chip. The Ni3Sn4 is formed on the interface of the Ni-P metal layer and the Sn-3.5Ag alloy solder adding Co in order to improve the junction reliability.
Abstract translation: 提供了一种焊接结构，其中改善了Sn-3.5Ag焊料和通过共添加的凸起金属化下的Ni-P之间的结可靠性，以抑制固体底部金属层和液体焊料之间的附加化学反应。 焊接结构具有将Ni-P底层金属焊接到添加了钴的Sn-3.5Ag-xCo合金焊料中的结构。 在合金焊料中，钴含量范围为0.02〜0.1wt％。 添加钴的Ni-P底金属层和合金焊料（Sn-3.5Ag-xCo）的接合部连接在PCB基板和硅芯片之间。 焊接点连接在硅芯片和硅芯片之间。 在Ni-P金属层和Sn-3.5Ag合金焊料添加Co的界面上形成Ni3Sn4，以提高结点的可靠性。
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公开(公告)号：KR100883863B1
公开(公告)日：2009-02-17
申请号：KR1020070076929
申请日：2007-07-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/60 , H01L21/321 , H01L23/12
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 본 발명은 기판, 상기 기판상에 형성되는 제1금속으로 이루어지는 제1하부금속층, 상기 제1하부금속층 상부에 형성되며 구리-아연 합금계로 구성되는 제2하부금속층, 상기 제2하부금속층과 접합구조를 형성하는 솔더를 구비하는 전자부품, 전자부품간 접합구조체 및 이의 접합방법을 제공한다.
하부금속층, 구리아연 합금, Cu3Sn-
公开(公告)号：KR1020090012790A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070076929
申请日：2007-07-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/60 , H01L21/321 , H01L23/12
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: Electrical components, a bonded structural body therebetween, and a bonding method thereof are provided to prevent the mechanical vulnerability of the solder joint by arranging the unleaded solder on a metal layer. The electronic component comprises metal layers(2,3). The metal layers are successively integrated on a substrate(5). One among the metal layers comprises the copper. The other metal layer is arranged on one metal layer. The other metal layer comprises the zinc. The coupling structure comprises junction between the solder and the metal layer. The metal layer comprises the zinc. Solder does not include the lead(Pb).
Abstract translation: 电气部件，它们之间的粘合结构体及其接合方法被提供以通过将无铅焊料布置在金属层上来防止焊点的机械脆性。 电子部件包括金属层（2,3）。 金属层依次集成在基板（5）上。 金属层中的一个包括铜。 另一个金属层设置在一个金属层上。 另一金属层包含锌。 耦合结构包括焊料和金属层之间的连接。 金属层包含锌。 焊料不包括铅（Pb）。
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公开(公告)号：KR1020020080198A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：KR1020010019629
申请日：2001-04-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C21D8/02
Abstract: PURPOSE: To manufacture high Si steel sheets having superior magnetic properties at high frequency ranges by cold rolling. CONSTITUTION: The method for manufacturing high Si steel sheets includes the steps of rolling a high Si steel with Si content of 5 to 6.5 wt.% into slab; soaking the high Si steel slab at over 1100 deg.C; hot rolling the soaked high Si steel slab in the temperature range of 800 to 1200 deg.C wherein hot rolling temperature in final pass is 800 to 900 deg.C; and quenching the hot rolled high Si steel sheet at 300 to 500 deg.C, followed by coiling.
Abstract translation: 目的：制造通过冷轧在高频范围内具有优异磁性的高Si钢板。 构成：高Si钢板的制造方法包括将Si含量为5〜6.5重量％的高Si钢轧制成板坯的工序; 将高Si钢板浸泡在1100℃以上; 在800〜1200℃的温度范围内对浸渍的高Si钢板进行热轧，其中最终通过的热轧温度为800〜900℃; 并在300〜500℃下淬火热轧高Si钢板，然后卷取。
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公开(公告)号：KR100222388B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019970021311
申请日：1997-05-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 정방정 금속간화합물 분산강화 알루미늄합금 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 정방정 금속간화합물 분산강화 알루미늄합금(이하, '합금'이라 함)은 면심입방정 A1 기지 내에 A1, Ti, V 및 Zr를 포함하는 정방정 금속간화합물(tA1-c(Ti
x V
y Zr
z ))이 1 내지 50at. 분산되며, 금속간 화합물의 조성비는 t+c=100at. 에 대하여 c=22 내지 28at. , x+y+z=100at. 에 대하여 x=1 내지 100at. , y=1 내지 100at. 이고 z=1 내지 100at.
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