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公开(公告)号：KR1020170014696A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150108472
申请日：2015-07-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L45/00
Abstract: 본발명에따른다중저항변화메모리소자는기판(100); 상기기판(100) 상에적층되는절연막(110); 상기절연막(110) 상에형성되는하부전극(120); 상기하부전극(120) 상에형성되는하부저항변화막(130); 상기하부저항변화막(130)의상부방향으로이격된상태로배치되는상부저항변화막(150); 상기저항변화막(130,150) 사이에배치되는전하저장층(140); 및상기상부저항변화막(150)의상단에접촉배치되는상부전극(160);을포함한다.
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公开(公告)号：KR101685149B1
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020150143603
申请日：2015-10-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명의일실시예는실리콘(Si)과 X원소를포함하는이원소성화합물(SiX)을제공하는제1단계, 상기이원소성화합물(SiX)에에너지공급수단에의한용융에너지를공급하는제2단계, 상기용융에너지에의해상기이원소성화합물(SiX)이용융되는제3단계, 상기용융된이원소성화합물(SiX)이실리콘(Si)과 X원소(X)로분리되는제4단계, 상기분리된실리콘(Si)과 X원소(X)에에너지공급수단에의한제거에너지를공급하는제5단계및 상기제거에너지에의해상기용융된 X원소(X)가제거되는제6단계를포함하는이원소성화합물의상분리현상을이용한실리신제조방법및 그방법으로제조된실리신을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020150090656A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：KR1020140011554
申请日：2014-01-29
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L27/15 , H01C7/1013 , H01L27/3225 , H01L51/5206
Abstract: 본발명에따른반도제소자는그래핀을포함하는제1 단자구조체, 제1 단자구조체에결합되는발광레이어, 발광레이어에결합되는제2 단자구조체및 제1,2 단자구조체중 어느하나의단자구조체에접하는기판을포함하고, 상기제1 단자구조체는게이트단자, 절연체, 및그래핀이순서대로적층된구조로서상기그래핀은제1 단자구조체및 발광레이어사이에배치되는것이특징이다. 본발명은그래핀배리스터에서사용된전기장값에따라일함수가변하는그래핀의고유의특성을 LED 또는 OLED의발광장치에적용시켜자유로운일함수조절이가능하게하고, 그래핀전극이공기중에노출되지않게함으로써시간경과여부에관계없이그래핀전극본연의특성을잘 유지할수 있게한다.
Abstract translation: 根据本发明的半导体器件包括：第一端子结构，其包括石墨烯，与第一端子结构组合的发光层，与发光层组合的第二端子结构和接触的基板 与第一和第二终端结构之一。 第一端子结构包括依次层叠的栅极端子，绝缘体和石墨烯。 石墨烯被布置在第一端子结构和发光层之间。 本发明通过将作用功能根据用于石墨烯阻尼杆的电场值发生变化的石墨烯的独特特性应用于LED或OLED的发光装置而自由地控制功函数。 通过防止石墨烯电极暴露于空气，保持石墨烯电极的原始性质，而不管时间的流逝。
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14.发明授权
公开(公告)号：KR101206136B1
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020100106426
申请日：2010-10-29
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 레이저를 이용한 그래핀 열처리 방법, 이를 이용한 그래핀 제조방법 및 이에 의하여 제조된 그래핀이 제공된다.
본 발명에 따른 그래핀 특성 향상 방법은 기판 상에서 성장한 그래핀에 레이저 빔을 조사하여 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 그래핀 특성 향상 방법, 제조방법은 레이저를 이용, 기판에서 성장한 그래핀의 특성을 향상시킨다. 특히 저온에서의 그래핀 제조가 가능하므로, 플렉서블 그래핀 소자의 제조가 가능하며, 본 발명에 따라 제조된 그래핀은 향상된 물성으로 인하여, 산업적으로 이용 가능하다.-
公开(公告)号：KR1020120029663A
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020100091599
申请日：2010-09-17
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C01B32/184 , B01J19/121 , H01B1/04
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing graphene using laser, graphene manufactured by the same, and an apparatus for manufacturing the same are provided to manufacture a large sized graphene mono layer by varying the irradiating region of laser beam. CONSTITUTION: Laser beam is irradiated to a silicon carbide substrate(101). Silicon on the silicon carbide substrate is sublimated based on the irradiated laser beam. Remaining carbon is grown as a graphene structure. According to the movement of the silicon carbide substrate, a laser beam-based graphene growing region is moved. According to the movement of the laser beam, the laser beam-based graphene growing region is moved. A temperature for growing the graphene is in a range between 900 and 2000 degrees Celsius.
Abstract translation: 目的：提供使用激光制造石墨烯的方法，由其制造的石墨烯及其制造装置，通过改变激光束的照射区域来制造大尺寸的石墨烯单层。 构成：将激光束照射到碳化硅衬底（101）上。 基于照射的激光束，在碳化硅衬底上的硅升华。 剩余的碳生长为石墨烯结构。 根据碳化硅衬底的移动，移动基于激光束的石墨烯生长区域。 根据激光束的移动，基于激光束的石墨烯生长区域被移动。 用于生长石墨烯的温度在900和2000摄氏度之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101741991B1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：KR1020150108472
申请日：2015-07-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L45/00
Abstract: 본발명에따른다중저항변화메모리소자는기판(100); 상기기판(100) 상에적층되는절연막(110); 상기절연막(110) 상에형성되는하부전극(120); 상기하부전극(120) 상에형성되는하부저항변화막(130); 상기하부저항변화막(130)의상부방향으로이격된상태로배치되는상부저항변화막(150); 상기저항변화막(130,150) 사이에배치되는전하저장층(140); 및상기상부저항변화막(150)의상단에접촉배치되는상부전극(160);을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的偶极电阻存储器件包括衬底100; 堆叠在衬底100上的绝缘层110; 形成在绝缘层110上的下电极120; 形成在下电极120上的较低电阻变化层130; 上电阻变化膜（150），以与下电阻变化膜（130）的上侧隔开的状态设置; 设置在电阻变化层130和150之间的电荷存储层140; 并且设置有与上电阻变化膜150的上端接触的上电极160。
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公开(公告)号：KR1020160143274A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：KR1020150079766
申请日：2015-06-05
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C01B31/04 , C09K11/06 , H01L29/739 , H01L51/52
Abstract: 기판상에순차적으로적층된촉매금속과그래핀을극성용매에제 1 침지시키는단계; 상기극성용매내에서상기침지된촉매금속과그래핀을상기기판으로부터분리하는단계; 상기부분분리된상기촉매금속과그래핀을저극성용매에제 2 침지시키는단계; 상기저극성용매내에서상기촉매금속과그래핀의상하를바꾸는단계; 상기그래핀을원하는기판과접착시키는단계; 및상기촉매금속을제거하는단계를포함하는것을특징으로하는그래핀전사방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR1020120084840A
公开(公告)日：2012-07-31
申请号：KR1020110006115
申请日：2011-01-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/268 , H01L29/1606 , H01L29/66015
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device using laser and a graphene semiconductor and transistor manufactured by the same are provided to improve process efficiency as well as reduce fabrication costs by performing a doping process using laser beams instead of a thermal process at high temperatures. CONSTITUTION: Laser beams are irradiated on a substrate(101). A boron nitride layer(102) is formed on the substrate. A graphene semiconductor device(104) is laminated on the boron nitride layer. Source and drain regions(105,106) are formed in both ends of a graphene semiconductor device by patterning the graphene semiconductor device. An insulating layer(107) is laminated on the graphene semiconductor device between the source and drain regions.
Abstract translation: 目的：提供一种使用激光和石墨烯半导体制造半导体器件的方法及其制造的晶体管，以通过使用激光束代替在高温下的热处理进行掺杂工艺来提高工艺效率以及降低制造成本。 构成：激光束照射在基板（101）上。 在衬底上形成氮化硼层（102）。 石墨烯半导体器件（104）层叠在氮化硼层上。 通过图案化石墨烯半导体器件，在石墨烯半导体器件的两端形成源极和漏极区（105,106）。 在源极和漏极区之间的石墨烯半导体器件上层压绝缘层（107）。
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20.发明授权레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함하는 그래핀 트랜지스터 失效用于制造石墨烯半导体器件的方法，由其制造的石墨烯半导体器件，包括石墨烯半导体器件的石墨烯晶体管
公开(公告)号：KR101169538B1
公开(公告)日：2012-07-27
申请号：KR1020100091600
申请日：2010-09-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 이를 포함하는 그래핀 트랜지스터가 제공된다.
본 발명에 따른 그래핀 반도체 소자 제조방법은 산소 분위기 하에서 기판 상에 형성된 그래핀에 레이저 빔을 조사하여, 상기 그래핀을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 그래핀 반도체 소자 제조방법은 레이저 빔를 이용하여, 밴드 갭을 그래핀에 형성시켜, 그래핀 반도체 소자의 제조가 가능하다. 더 나아가, 그래핀의 성장과 반도체 소자를 위한 패터닝이 모두 동일한 레이저 빔 조사 방식이므로, 경제성이 우수하다. 또한, 이러한 그래핀 반도체 소자를 이용, 그래핀 트랜지스터를 경제적으로 제조할 수 있다.
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