公开(公告)号：KR101741991B1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：KR1020150108472

申请日：2015-07-31

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최성율 ,  신광혁 ,  장병철

IPC: H01L45/00

Abstract: 본발명에따른다중저항변화메모리소자는기판(100); 상기기판(100) 상에적층되는절연막(110); 상기절연막(110) 상에형성되는하부전극(120); 상기하부전극(120) 상에형성되는하부저항변화막(130); 상기하부저항변화막(130)의상부방향으로이격된상태로배치되는상부저항변화막(150); 상기저항변화막(130,150) 사이에배치되는전하저장층(140); 및상기상부저항변화막(150)의상단에접촉배치되는상부전극(160);을포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的偶极电阻存储器件包括衬底100; 堆叠在衬底100上的绝缘层110; 形成在绝缘层110上的下电极120; 形成在下电极120上的较低电阻变化层130; 上电阻变化膜（150），以与下电阻变化膜（130）的上侧隔开的状态设置; 设置在电阻变化层130和150之间的电荷存储层140; 并且设置有与上电阻变化膜150的上端接触的上电极160。

公开(公告)号：KR102153945B1

公开(公告)日：2020-09-09

申请号：KR1020180162126

申请日：2018-12-14

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최성율 ,  신광혁

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/285 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR1020170014696A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020150108472

申请日：2015-07-31

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최성율 ,  신광혁 ,  장병철

IPC: H01L45/00

Abstract: 본발명에따른다중저항변화메모리소자는기판(100); 상기기판(100) 상에적층되는절연막(110); 상기절연막(110) 상에형성되는하부전극(120); 상기하부전극(120) 상에형성되는하부저항변화막(130); 상기하부저항변화막(130)의상부방향으로이격된상태로배치되는상부저항변화막(150); 상기저항변화막(130,150) 사이에배치되는전하저장층(140); 및상기상부저항변화막(150)의상단에접촉배치되는상부전극(160);을포함한다.