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公开(公告)号：WO2014171760A1
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：PCT/KR2014/003352
申请日：2014-04-17
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/06 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 본발명은 동시진공증발공정을 기반으로 양질의 CZTSe 광흡수층 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu, Zn, Sn및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는단계 (단계 a);및 상기 기판의 온도를 내리면서, Zn, Sn및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계 (단계 b)를 포함한다. 본 발명은, 고온에서 동시 진공증발공정을 수행하고 기판의 온도를 낮추면서 추가적인 증발공정을 수행함으로써, 고온의 동시진공증발공정에서 수반되는 Sn손실에 따른 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의제조방법으로 형성된 CZTSe 광흡수층은 막질이 뛰어나기 때문에 이를 이용하여 제조된 CZTSe태양전지의 광전변환 효율이향상되는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基于同时真空蒸发处理制造质量好的CZTSe光吸收薄膜的方法。 该方法包括以下步骤：同时蒸发Cu，Zn，Sn和Se，并在衬底上沉积Cu，Zn，Sn和Se（步骤a）; 同时蒸发Zn，Sn和Se，并在衬底上沉积Zn，Sn和Se，同时降低衬底的温度（步骤b）。 本发明在高温下进行同时真空蒸发处理，并且在降低基板的温度的同时进行附加的蒸发处理，从而具有解决伴随高温同时真空蒸发的Sn的损失引起的问题的效果 处理。 此外，由于通过本发明的制造方法形成的CZTSe光吸收层质量高，所以本发明具有提高使用CZTSe光吸收层制造的CZTSe太阳能电池的光电转换效率的效果。
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12.发明申请이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 박막의 제조방법, 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 태양전지의 제조방법 및 그 CZTS계 태양전지 审中-公开用于制造具有双带隙坡度的基于薄膜的薄膜的方法，用于制造具有双带隙坡度和基于其的基于太阳能电池的基于CTS的太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2013191451A1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：PCT/KR2013/005381
申请日：2013-06-19
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: H01L31/0725 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L31/0326 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 이중의 밴드갭 기울기를 가지는 CZTS계 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu 2 ZnSnS 4 박막층을 형성하는 단계; Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층을 형성하는 단계; 및 Cu 2 ZnSnS 4 박막층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 형태에 따른 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 태양전지의 제조방법은, 후면 전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극의 위에 상기한 방법으로 CZTS계 박막층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 또 다른 형태에 따른 CZTS계 태양전지는, 후면 전극; 및 상기 후면 전극 위에 형성된 CZTS계 박막층을 포함하며, 상기 CZTS계 박막층은, Cu 2 ZnSnS 4 박막층, Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층 및 Cu 2 ZnSnS 4 박막층이 순차로 형성되고, Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층의 밴드갭 에너지가 Cu 2 ZnSnS 4 박막층의 밴드갭 에너지보다 낮은 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 박막층은 표면측의 밴드갭이 높아서 개방전압이 증가하고 재결합이 감소하며, 후면측의 밴드갭이 높아서 전자이동도는 증가함으로써, 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有双带隙斜率的基于CZTS的薄膜的制造方法，包括以下步骤：形成Cu2ZnSnS4薄膜层; 形成Cu2ZnSn（S，Se）4薄膜层; 并形成Cu2ZnSnS4薄膜层。 根据本发明的另一方面的制造具有双带隙斜率的CZTS型太阳能电池的方法包括以下步骤：形成后电极; 以及通过上述方法在后电极上形成CZTS基薄膜层。 根据本发明的另一方面的基于CZTS的太阳能电池包括：后电极; 以及形成在后电极上的CZTS基薄膜层，其中基于CZTS的薄膜层的特征在于顺序形成Cu 2 ZnSnSn 4薄膜层，Cu 2 ZnSn（S，Se）4薄膜层和Cu 2 ZnSnSn薄膜层，以及 Cu2ZnSn（S，Se）4薄膜层的带隙能量低于Cu2ZnSnS4薄膜层的带隙能量。 根据本发明的具有双带隙斜率的CZTS基薄膜层具有表面侧的高带隙，从而增加开路电压并减少复合，并且具有后侧的高带隙，从而增加 电子迁移率，从而导致太阳能电池效率的提高。
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公开(公告)号：WO2021029458A1
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：PCT/KR2019/010290
申请日：2019-08-13
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01G11/26 , H01G11/24 , H01G11/36 , H01M8/0239 , H01M8/0234 , H01M8/0245 , H01M8/18
Abstract: 다공성 전극을 포함하는 유연전극 기재, 상기 유연전극 기재의 제조방법 및 상기 유연전극 기재를 포함하는 에너지 저장 소자가 개시된다. 상기 유연전극 기재는 우수한 전기화학적 특성과 더불어 점착특성을 가지고 있기 때문에 다양한 대상물에 부착시킬 수 있어 매우 유용하다. 특히, 상기 유연전극 기재는 에너지 저장 소자의 전극으로서 활용될 수 있기 때문에 상기 유연전극 기재를 포함하는 에너지 저장 소자가 다양한 대상물에 부착될 수 있으므로, 스티커형 에너지 저장 소자로서 활용될 수 있다. 또한, 점착력의 차이를 이용한 전사 방식으로 손쉽게 제조될 수 있기 때문에 제조 공정이 간단하며, 제조공정의 손쉬운 조절을 통하여 다양한 패턴을 가진 전극을 제조할 수 있어 매우 효율적이다.
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公开(公告)号：WO2014142400A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/KR2013/007086
申请日：2013-08-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0465 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022433 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02366 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1884 , Y02E10/541
Abstract: 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 종래 광흡수층 상부에 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 형성하여 제조하던 것을 광흡수층 상부에는 버퍼층, 투명전극을 형성하지 않고, 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 CIGS 하부면에 형성함으로써 태양광이 장애물 없이 직접 광흡수층으로 입사하도록 하고, 또한 제 1 전극과 버퍼층을 톱니구조로 서로 맞물리는 형상으로 패터닝하여 빛에너지를 흡수하여 발생하게 되는 전자-정공이 전극 또는 버퍼층으로 이동하게 되는 거리를 단축할 수 있게 하는 태양전지에 관한 것이다.
Abstract translation: 薄膜太阳能电池和太阳能电池技术领域本发明涉及一种薄膜太阳能电池和太阳能电池，其通过在CIGS低层上形成缓冲层，透明电极和栅电极而允许在光吸收层上直接引入光吸收层 表面，而不是如在传统的制造这样的单元的情况下在光吸收层的上部形成缓冲层和透明电极，在缓冲层的上部形成缓冲层，透明电极和栅格电极 层; 并且能够通过对第一电极和缓冲层进行图案化来缩小与作为光能吸收的结果而产生的电子和空穴行进的电极或缓冲层的距离，并且与每个 其他。
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15.发明申请
公开(公告)号：WO2014104523A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/KR2013/007098
申请日：2013-08-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에 사용되는 광흡수층으로 사용되는 CI(G)S박막 제조 공정에서 Chelating Agent가 첨가하여, 광흡수층의 원료로 사용되는 CuI, InI 3 및 Na 2 Se의 용해시 Cu 또는 In 과 complex를 형성하여 Se 이온과 결합을 구조적으로 방해함으로써, 크기가 작은 입자를 만들 수 있다. 따라서, 기공(Porosity)의 크기를 줄이고, 조성의 균일도가 향상된 CI(G)S박막을 제조할 수 있다. 또한, 크고 각 공정별로 셀렌화 공정 조건의 변화시켜야 하고, 또한, 공정 조건의 변화가 적합하지 않을 경우, 제조된 흡수층이나 CI(G)S박막의 조성이 균일도가 떨어지는 기존의 흡수층이나 CI(G)S박막 제조 방법의 문제점을 해소할 수 있다.
Abstract translation: 螯合剂可以以CI（G）S薄膜制造方法加入，用作太阳能电池的光吸收层，以便当将CuI，InI3和Na2Se用作原料时与Cu或In形成络合物 光吸收层的材料，从而通过结构上阻碍与Se离子的键合而产生小尺寸的颗粒。 因此，所制造的CI（G）S薄膜可以具有尺寸减小的孔隙率和组合物的均匀性。 此外，本发明可以解决现有的制造吸收层或CI（G）S薄膜的现有方法的问题，例如孔尺寸大，不得不改变每个步骤的硒化条件， 当硒化条件的变化不合适时，所制造的吸收层或CI（G）S薄膜的组成的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2014025176A1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：PCT/KR2013/007044
申请日：2013-08-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지에 관한 것으로，유연한 재질의 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극， 상기 후면전극 위에 형성된 CIGS 광흡수층; 상기 CIGS 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형 성된 전면전극을 포함하여 구성되며， 상기 후면전극은 단일층으로 구성된 Na 첨가 금속 전극층인 것을 특징으로 한다. 본 발명은 종래의 Na 첨가 Mo 전극층에 비하여 약 1/10정도 낮은 비저항올 나타내는 Na 첨가 Mo 전극층을 적용하여, 단일층으로 후면전극을 구성한 고효율의 유연기판 CIGS 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한， 후면전극층을 형성하는 공정이 단일층의 Na 첨가 Mo 전극층을 형성하는 공정만으로 이루어져, 유연기판 CIGS 태양전지의 제조공정 및 제조비용을 줄일수 있는 효과가 있다. 나아가， Na 첨가 금속층이 공기 중에 노출된 동안에 표면에 형성된 Na 화합물을 제거하는 공정을 더 포함함으로써， 광흡수층이 박리되거나 태양전지의 변환효율이 감소하는 문제를 해소할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有改进的Na供应方法的柔性衬底CIGS太阳能电池，包括：由柔性材料制成的衬底; 形成在基板上的背面电极和形成在背面电极上的CIGS光吸收层; 形成在CIGS光吸收层上的缓冲层; 以及形成在缓冲层上的前电极，其中背电极是形成为单层的添加Na的金属电极层。 根据本发明，施加电阻率为现有技术的添加Na的Mo电极层的约十分之一的添加Na的Mo电极层，使得高效柔性衬底CIGS太阳能 可以提供其背面电极形成为单层的电池。 此外，背面电极层形成工艺仅包括用于形成单层添加Na的Mo电极层的步骤，使得制造工艺可以简化，并且制造成本可以降低柔性衬底CIGS太阳能电池的制造 。 此外，通过还包括在添加Na的金属层暴露于空气的同时除去形成在表面上的Na化合物的方法，诸如光吸收层的剥离和太阳能电池的转换效率降低的问题 可以解决。
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17.发明申请저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 审中-公开使用具有低熔点的光源制造光伏CI（G）S薄膜的方法和由其制造的CI（G）S基薄膜
公开(公告)号：WO2013115582A1
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：PCT/KR2013/000804
申请日：2013-01-31
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0326 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막에 개시된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계 나노입자를 제조하는 단계(단계 a); CI(G)S계 나노입자와 녹는점이 30~400℃ 범위에 있는 플럭스를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계(단계 b); 슬러리를 기판에 비진공 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 c); CI(G)S계 전구체 박막을 건조시키는 단계(단계 d); 및 CI(G)S계 전구체 박막을 셀레늄증기를 이용하여 셀렌화 열처리하는 단계(단계 e); 를 포함한다. 이에 의하여, 종래 CI(G)S계 박막의 형성에서보다 낮은 온도로 셀렌화 열처리가 가능하여 제조비용을 절감하면서도, 낮은 온도에서도 박막 내 결정성장이 충분히 이루어질 수 있다.
Abstract translation: 公开了使用具有低熔点的助熔剂和由其制造的CI（G）S系薄膜制造光电CI（G）S基薄膜的方法。 根据本发明的制备CI（G）S基薄膜的方法包括：制备CI（G）S基纳米颗粒（步骤a）; 制备含有CI（G）S基纳米颗粒的浆料和熔点在约30℃至约400℃范围内的助熔剂（步骤b）; 通过使用浆料形成基于CI（G）S的前体薄膜（步骤c），对基材进行非真空涂布; 干燥CI（G）S前体薄膜（步骤d）; 并通过使用Se蒸气硒化处理CI（G）S基前体薄膜（步骤e）。 因此，在比现有技术的CI（G）S系薄膜的温度低的情况下，可以进行硒化热处理，从而降低制造成本，并在低温下充分实现薄膜内的晶体生长。
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公开(公告)号：WO2014196688A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/KR2013/007092
申请日：2013-08-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 후면전극이 다중층으로 구성된 CIGS 박막 태양전지에 관한 것으로, 태양전지의 기판(100)위에 형성되는 후면전극(200)에 있어서, 태양전지 후면전극의 제조방법에 있어서, (i) 태양전지의 기판(100) 위에 저저항 금속으로 저저항 금속층(210)을 형성시키는 단계(s1000), (ii) 상기 저저항 금속층(210) 위에 몰리브덴(Mo)층(220)을 형성시키는 단계(s2000) 를 포함하는 것을 특징으로 하여 태양전지의 광전변환효율을 높이는 효과가 있는 것임.
Abstract translation: 本发明涉及具有由多层构成的背面接触的CIGS薄膜太阳能电池，形成在太阳能电池的基板（100）上的背面接触（200）和太阳能电池背面接触的制造方法， 该方法包括以下步骤：（i）在使用低电阻金属的太阳能电池的基板（100）上形成低电阻金属层（s1000）; 和（ii）在低电阻金属层（210）上形成钼（Mo）层（220）（s2000），从而提高太阳能电池的光电转换效率。
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19.发明申请
公开(公告)号：WO2014163367A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/KR2014/002767
申请日：2014-04-01
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에 사용되는 CI(G)S의 제조 과정 중 셀렌화 공정의 효율을 높이기 위한 방법으로 더욱 구체적으로는 CI(G)S계 전구체 박막을 일정 콘테이너 혹은 챔버에 삽입하여, 상기 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se)을 주입하고 온도를 올려 셀렌화하는 공정을 통해 고압력 셀렌화가 가능한 것에 관한 것으로 일정 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se) 분압을 높여 고압력 셀렌화를 통해 손실되는 셀레늄(Se)을 줄일 수 있고, 셀렌화의 효율을 높이고 열처리의 시간을 단축시킬 수 있는 효과를 나타낸다. 이를 위해 상기 CI(G)S계 전구체 박막과 상기 챔버(Chamber)의 간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기 챔버(Chamber)에 셀레늄(Se)을 주입하며, 셀렌화를 위한 열처리는 상기 챔버(Chamber)의 내측 일면 또는, 내측 전면에 위치하는 발열체에 의해 온도를 증가시킨다.
Abstract translation: 公开了一种用于提高太阳能电池中使用的CI（G）S的制造方法中的硒化步骤的效率的方法，更具体地，涉及通过将CI（G）S 的前体薄膜转换成特定的容器或室，将硒（Se）注入容器或室中，并且增加温度。 本发明提供了通过增加特定容器或室中的部分硒（Se）压力，提高硒化效率和减少热处理时间来降低高压硒化期间硒（Se）的损失的优点。 为此，CI（G）S型前体薄膜与室之间的距离在6至20mm之间，其中硒（Se）注入室中，并且温度通过发热 身体位于腔室内侧的一侧或前侧，用于硒化的热处理。
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公开(公告)号：WO2014046455A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2013/008396
申请日：2013-09-17
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/564 , C30B23/066
Abstract: 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원 및 이를 포함하는 증착 장비가 개시된다. 본 발명에 따른 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원은, 원통형의 내부 공간을 제공하는 외부 용기와, 상기 외부 용기의 내부 공간에 거치되는 도가니 및 상기 외부 용기와 상기 도가니 사이에 배치되어 상기 도가니를 가열하는 히터를 포함하는 진공 증발원 본체; 및 상기 진공 증발원 본체의 출구 측에 배치되어 상기 도가니의 출구를 개폐하는 것으로서, 상기 도가니의 출구와 마주보는 안쪽 면에 응축된 소스 잔류물이 상기 외부 용기 바깥쪽으로 흘러 배출될 수 있도록, 상기 안쪽 면의 상기 도가니 출구에 대응되는 영역으로부터 상기 외부 용기 바깥쪽 영역까지 연장되게 배치된 다수의 흐름 가이드를 갖는 셔터;를 포함한다. 본 발명에 따른 증착 장비는 전술한 구성을 가지고, 진공 챔버 내에서 기판의 중심을 향해 기울어지게 배치된, 다수의 진공 증발원을 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种具有源极残渣放电型快门和包括其的蒸发设备的渗流池。 具有根据本发明的源极残留物排出型活门的积液单元包括：具有用于提供圆柱形内部空间的外部容器的排出单体体，设置在外部容器的内部空间中的坩埚和设置在外部容器之间的加热器 外部容器和坩埚，以加热坩埚; 以及挡板，其设置在所述渗出池体的出口处，以打开或关闭所述坩埚的出口，并且具有多个流动引导件，所述多个引导件设置成从与所述坩埚的出口相对应的区域延伸到内表面 外部容器的外部区域，以将在坩埚的出口的内表面上冷凝的源残渣排出到外部容器的外部。 根据本发明的蒸发设备具有上述元件，并且包括多个排出单元，其设置成朝向真空室内的基板的中心倾斜。
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