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公开(公告)号：KR1020130021721A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：KR1020110084159
申请日：2011-08-23
Applicant: 한국에너지기술연구원 , 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: Anisotropic electric connection materials and a manufacturing method thereof are provided to implement a fine pitch connection method by including a nanostructure or a microstructure. CONSTITUTION: An insulator layer is formed on sacrifice layers laminated on a silicon wafer(b). A photosensitive film is formed on the insulator layer, and a pattern for the photosensitive film is formed(c). After the insulator layer is selectively etched, the photosensitive film is removed(d). A barrier metal layer is formed on a surface of the insulator layer(e). A conductive metal plug is formed inside a penetration hole of the insulator layer laminated on the barrier metal layer(f). An upper surface in which the conductive metal plug is ground(g). [Reference numerals] (AA) Start; (B1) Step a; (B2) Laminating a sacrifice layer on an Si wafer; (C1) Step b; (C2) Forming an insulator thin film; (D1) Step c; (D2) Forming a photosensitive film, and patterning; (E1) Step d; (E2) Etching, and removing the photosensitive film; (F1) Step e; (F2) Forming a barrier metal film; (G1) Step f; (G2) Forming a conductive metal plug; (H1) Step g; (H2) Separating a node; (I1) Step h; (I2) Cutting the wafer; (J1) Step i; (J2) Separating an anisotropic thin film; (KK) End
Abstract translation: 目的：提供各向异性电连接材料及其制造方法，以通过包括纳米结构或微结构来实现细间距连接方法。 构成：在层叠在硅晶片（b）上的牺牲层上形成绝缘体层。 在绝缘体层上形成感光性膜，形成感光性膜的图案（c）。 在选择性地蚀刻绝缘体层之后，去除感光膜（d）。 在绝缘体层（e）的表面上形成阻挡金属层。 导电金属插塞形成在层压在阻挡金属层（f）上的绝缘体层的穿透孔的内部。 导电金属插头被研磨的上表面（g）。 （附图标记）（AA）开始; （B1）步骤a; （B2）在Si晶片上层压牺牲层; （C1）步骤b; （C2）形成绝缘体薄膜; （D1）步骤c; （D2）形成感光性膜，构图; （E1）步骤d; （E2）蚀刻，除去感光膜; （F1）步骤e; （F2）形成阻挡金属膜; （G1）步骤f; （G2）形成导电金属插头; （H1）步骤g; （H2）分离节点; （I1）步骤h; （I2）切割晶片; （J1）步骤i; （J2）分离各向异性薄膜; （KK）结束
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公开(公告)号：KR1020130033603A
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：KR1020110097352
申请日：2011-09-27
Applicant: 한국에너지기술연구원 , 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of an anisotropy element and a method thereof are provided to implement fine pitch connection by forming a nanostructure or a microstructure with the anisotropy element. CONSTITUTION: After a plate-shaped substrate is annealed, an electro polishing process of the plate-shaped substrate is executed(a-1). The pre-processed substrate is firstly anodized(a-2). An oxide layer of the substrate which is firstly anodized is eliminated in an etching process(a-3). The plate-shaped substrate is secondly anodized(a-4). A plurality of minute through holes is extended by acid treatment(a-5). [Reference numerals] (AA) Surface; (BB) Lateral cross section; (CC) Start; (DD) Pre-treatment; (EE) Firstly anodizing; (FF) Oxide etching; (GG) Secondly anodizing; (HH) Through hole extension; (II) End; (JJ) Step a-1; (KK) Step a-2; (LL) Step a-3; (MM) Step a-4; (NN) Step a-5;
Abstract translation: 目的：提供各向异性元件的制造方法及其方法，通过形成具有各向异性元素的纳米结构或微结构来实现细间距连接。 构成：对板状基板进行退火后，进行板状基板的电抛光工序（a-1）。 首先对预处理的基板进行阳极氧化处理（a-2）。 在蚀刻工艺（a-3）中消除首先阳极氧化的衬底的氧化物层。 板状基板第二次阳极氧化（a-4）。 通过酸处理（a-5）延伸多个微小的通孔。 （附图标记）（AA）表面; （BB）横断面; （CC）开始; （DD）预处理; （EE）首先阳极氧化; （FF）氧化物蚀刻; （GG）二次阳极氧化; （HH）通孔延伸; （二）结束; （JJ）步骤a-1; （KK）步骤a-2; （LL）步骤a-3; （MM）步骤a-4; （NN）步骤a-5;
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公开(公告)号：KR101696300B1
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：KR1020140187046
申请日：2014-12-23
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 신뢰성높은전극및 그의제조방법이제공된다. 본발명에따른전극제조방법에서는, 기판상에나노와이어를도포하여나노와이어층을형성하고, 나노와이어층이패턴영역및 제거영역을포함할때, 패턴영역에서의나노와이어층및 기판사이의접착력이, 제거영역에서의나노와이어층및 기판사이의접착력보다크도록하는접착력을조절한후에제거영역을제거하여전극이제조된다.
Abstract translation: 提供一种高度可靠的电极及其制造方法。 根据本发明，电极制造方法包括以下步骤：通过在基板上涂覆纳米线形成纳米线层; 当纳米线层包括图案区域和去除区域时，在图案区域中控制纳米线层和基板之间的粘附力比去除区域中的纳米线层和基底之间的粘合强; 之后，去除去除区域。
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公开(公告)号：KR101660223B1
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020150021445
申请日：2015-02-12
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본발명은전극기판및 그의전극형성방법에관한것으로, 더욱상세하게는기판상에인쇄공정으로형성되는전극의표면거칠기를개선하여전극의표면조도를낮추기위한것이다. 본발명에따르면, 금속나노입자또는금속나노입자전구체를함유하는유체를기판위에인쇄하여전극코팅층을형성한다. 전극코팅층에대한열처리또는플라즈마처리를통해금속나노입자로형성된금속입자층을형성한다. 금속입자층에고분자소재의충전재를공급하여금속입자층의금속나노입자사이로충전재를충전하되금속입자층의표면부분이노출되게충전재를충전한다. 그리고충전재위로노출된금속입자층부분을습식식각하여전극을형성한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150064470A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020130149235
申请日：2013-12-03
Applicant: 전자부품연구원 , 경희대학교 산학협력단
Abstract: 양자점제조방법은이차원적평면구조를가지는화합물박막을화학기상증착(Chemical Vapor Deposition(CVD)) 방식으로기판에증착하는단계, 증착된상기화합물박막을기계적박리방식으로박리시키는단계및 박리된상기화합물박막을이용하여양자점을생성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 制造量子点的方法包括以下步骤：通过化学气相沉积（CVD）方法在衬底上沉积具有二维平面结构的复合薄膜; 通过机械剥离法剥离沉积的复合薄膜; 并使用去皮化合物薄膜形成量子点。
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公开(公告)号：KR101435502B1
公开(公告)日：2014-09-02
申请号：KR1020120136893
申请日：2012-11-29
Applicant: 전자부품연구원 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H02N11/002 , F03G7/005 , H02N1/08
Abstract: 본 발명은 액체를 이용한 플렉서블 에너지 전환 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기습윤(electrowetting)현상의 반대현상을 응용하여 기계적 에너지를 전기 에너지로 전환시키는 방법 및 장치에 관한 것으로 한쌍의 전극사이에서 액체와의 접촉면을 변화시키고, 그에 따른 액체와의 접촉면 변화를 전기에너지 생성에 활용하여, 채널 막힘현상이나 윤활층, 혹은 채널상에 복잡하게 패터닝된 전극들을 필요로 하지 않도록 하므로써 장치의 단순화, 제조원가 절감과 함께 고장이 적은 에너지 전환장치를 구현한다는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101203477B1
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020100104659
申请日：2010-10-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/167 , G02F1/1335
Abstract: 광학특성이 우수하고 이미지 품질이 높은 반사형 컬러디스플레이가 제안된다. 제안된 반사형 컬러디스플레이는 상부기판, 하부기판, 상부전극, 하부전극, 상부기판과 하부기판 사이에 배치되어 대전입자가 충전되어 있는 셀을 구획하는 격벽과 셀 내에 형성되는 380 nm 내지 780 nm에서 투과도가 35% 이상인 적색필터, 녹색필터 및 청색필터 중 적어도 하나를 포함하는 컬러필터를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101030502B1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020090057296
申请日：2009-06-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/13357
Abstract: LED 백라이트 유닛이 개시된다. 개시된 LED 백라이트 유닛은 광 출사방향으로 LED를 봉지하는 실리콘 봉지재를 포함하는 LED 패키지와, LED로부터 출사되는 광을 가이드 하는 도광판과, LED 패키지와 대향하며 LED 패키지의 크기에 대응하도록 상기 도광판 상측면에 일체로 형성되어 상기 LED 상부로 출사되는 광을 하측으로 반사시키는 반사체와, 도광판 하면에 일체로 형성되어 반사체로부터 반사되는 광을 산란시켜 수평방향으로 확산시키는 확산체 및 실리콘 봉지재 상면과 도광판 하면에 위치하여 상기 LED로부터 출사되는 광의 출사각을 감소시키는 광학계면물질을 포함한다.
백라이트 유닛(BLU), 직하형-
公开(公告)号：KR1020110035540A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：KR1020090093308
申请日：2009-09-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L33/50
Abstract: PURPOSE: An LED chip, an LED chip package, and an LED module for fishing squids are provided to have a blue LED and a fluorescent material layer optimized for collecting squids, thereby inexpensively maximizing squid collecting efficiency. CONSTITUTION: An LED chip comprises a blue LED(110) and a fluorescent material layer(120). The blue LED has an emitting wavelength which is in 405 to 470 nm. The blue LED comprises a first conductive semiconductor layer(111), a second conductive semiconductor layer(112), and an active layer(113). The fluorescent material layer is located on the light emitting surface of the blue LED. The fluorescent material layer comprises a fluorescent object(121) which converts the wavelength of light emitted from the blue LED into 480 to 500 nm.
Abstract translation: 目的：提供LED芯片，LED芯片封装和用于鱿鱼的LED模块，以具有蓝色LED和为收集鱿鱼而优化的荧光材料层，从而廉价地最大化鱿鱼收集效率。 构成：LED芯片包括蓝色LED（110）和荧光材料层（120）。 蓝色LED的发光波长为405〜470nm。 蓝色LED包括第一导电半导体层（111），第二导电半导体层（112）和有源层（113）。 荧光体层位于蓝色LED的发光面上。 荧光材料层包括将从蓝色LED发射的光的波长转换为480nm至500nm的荧光物体（121）。
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