公开(公告)号：KR1019930014863A

公开(公告)日：1993-07-23

申请号：KR1019910022922

申请日：1991-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 강성준 ,  김보우 ,  배일성

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 간단한 광학시스템과 영상처리시스템을 이용해 반도체재료의 에너지 갭(Energy Gap)을 사정하기 위한 에너지 갭 측정방법에 관한 것으로 지금까지는 주로 이론적 바탕에 근거하여 분광 광도계를 통해 반도체 재료의 에너지 캡 크기를 유도했다.
그러나 본 발명은 투과 스펙트럼을 얻기 위해 광원(light source)의 파장을 연속적으로 변화시켜 시편에 주사시키는 기존의 분광 광도계(spectro photometer)를 사용하는 대신에 일정대역의 광원(에너지 갭(Eg)을 중심으로한 일정파장대신의 빛)을 일괄적으로 시편에 투과시켜 이 응답을 영상화한후 이 영상위에 디지틀 영상처리 시스템(digital image processing system)을 이용해 에너지 갭(Eg)값을 직접 읽어낼 수 있도록 영상기법을 이용한 반도체 에너지 갭 측정방법을 제공하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019970000425B1

公开(公告)日：1997-01-09

申请号：KR1019900014891

申请日：1990-09-20

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김영민 ,  강성준 ,  유종선

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L21/70 ,  Y10S148/009

Abstract: A BICMOS(bipolar complementary metal oxide semiconductor) FET(field effect transistor) and method thereof are provided to simplify the structure and method. The method comprises the steps of: forming an N-type buried layer(4) and a P-well(9) on a substrate(1); forming a P-type base layer(15) on a silicon oxide(13) by implanting boron ions and annealing; sequentially ion-implanting boron ions into an activation region to control an NMOS threshold voltage and into a PMOS region to control PMOS threshold voltage; forming a gate oxide(18) by thermal oxidation; forming an MOS gate region(21) and a polysilicon storage region(22); forming a source and drain regions(25,26) by activation the ion implanted dopants by annealing; exposing a contact portion(28) by etching an oxide layer; and forming a metal wire(30) by depositing an aluminum(29) and etching the aluminum.

Abstract translation: 提供BICMOS（双极互补金属氧化物半导体）FET（场效应晶体管）及其方法以简化结构和方法。 该方法包括以下步骤：在衬底（1）上形成N型掩埋层（4）和P阱（9）; 通过注入硼离子和退火在氧化硅（13）上形成P型基极层（15）; 将硼离子顺次离子注入激活区域以控制NMOS阈值电压并进入PMOS区域以控制PMOS阈值电压; 通过热氧化形成栅极氧化物（18）; 形成MOS栅极区域（21）和多晶硅存储区域（22）; 通过退火激活离子注入的掺杂剂来形成源区和漏区（25,26）; 通过蚀刻氧化物层暴露接触部分（28）; 以及通过沉积铝（29）并蚀刻所述铝来形成金属丝（30）。

公开(公告)号：KR1019950021302A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026134

申请日：1993-12-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강성준

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체 에너치 갭 (energy gap. Eg)의 온도특성 측정장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 반도제 시편을 저온으로 유지 시키기 위한 저온유지수단(100), 상기 저온유지수단 내의 반도체시편에 연속인 일정대역의 광을 투사하는 광투사수단(270), 상기 반도체 시편에 투사된 연속인 일정대역의 광이 반도체 시편의 온도에 따라 횹수 또는 투과되는 정도를 영상화하는 영상처리수단(300)을 구비하여 에너지 갭의 온도 특성 변화를 영상화함으로써 시각적으로 직접 화인되고 Eg의 온도계수를 증명하는 효과를 얻을 수 있다.