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公开(公告)号：KR1020110073202A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020100052770
申请日：2010-06-04
Applicant: 한국전자통신연구원 , 주식회사 나노신소재
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/5806
Abstract: PURPOSE: A transparent conductive film and a manufacturing method thereof are provided to improve the contact resistance properties of a transparent transistor. CONSTITUTION: A transparent conductive film comprises mixed oxide of ZnO and SnO2, boron, and In2O3. The SnO2 or In2O3 comprises 1~90 weight%. A manufacturing method of the transparent conductive film is as follows. A target for the transparent conductive film doped with boron is prepared(S1). The transparent conductive film is metalized using the target(S2). The transparent conductive film is thermally processed(S3).
Abstract translation: 目的：提供透明导电膜及其制造方法，以提高透明晶体管的接触电阻性能。 构成：透明导电膜包括ZnO和SnO2，硼和In2O3的混合氧化物。 SnO 2或In 2 O 3含有1〜90重量％。 透明导电膜的制造方法如下。 制备掺杂硼的透明导电膜的靶（S1）。 透明导电膜使用靶（S2）进行金属化。 对透明导电膜进行热处理（S3）。
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公开(公告)号：KR100948598B1
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：KR1020070132321
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B29C65/08 , B29C65/7829 , B29C66/112 , B29C66/114 , B29C66/3022 , B29C66/542 , B29C66/8322 , B29C66/92655 , B29C66/929 , B29L2031/756 , B81B2201/058 , B81B2203/0338 , B81C1/00119 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/038
Abstract: 본 발명은 초음파 용착을 이용하여 미세유체소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 하판에 일정한 높이 및 일정한 간격으로 좌우로 형성된 두 개의 용착 방지턱 및 상기 두 개의 용착 방지턱 사이의 좌우로 깊은 파인 홈을 형성하고, 상판에 상기 용착 방지턱 간의 간격보다 넓은 간격으로 상기 각 용착 방지턱 외부에 각각 위치하는 두 개의 용착선을 형성하고, 상기 하판과 상기 상판을 초음파 용착을 이용하여 용접함으로써 상기 두 개의 용착 방지턱 사이에 형성된 채널에 별도의 용착선을 두지 않고 미세유체소자를 제조함을 특징으로 하며, 이에 따라 용착선이 녹으면서 채널측면에 형성되는 불규칙한 표면에 의해 유체가 불균일하게 흐르는 현상을 방지할 수 있다.
미세유체소자, 초음파 용착, 용착 방지턱, 용착선, 홈, 채널, 급속확장.-
公开(公告)号：KR100928201B1
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：KR1020070126314
申请日：2007-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C12M23/20 , B01L3/5027 , B01L7/00 , C12M23/16 , C12M41/12 , Y10T29/49124
Abstract: 본원발명은 독립된 미세 구조물 내에서 동물 세포를 배양하는 기술에 관한 것으로, 상부면에 금속으로 가공된 미세 열선을 구비하는 하부 유리 기판, 액체 저장 공간 및 고체 저장 공간을 상기 하부 유리 기판의 미세 열선에 대응하는 위치에 형성하고, 상기 액체 저장 공간 및 상기 고체 저장 공간에 연결되어 각각 발생한 기체가 이동할 수 있는 기체 이동 채널을 구비하여 상기 하부 유리 기판 상부에 부착된 PDMS 막, 상기 PDMS 막의 상기 기체 이동 채널의 상부에 부착되어 상기 발생한 기체가 통과할 수 있는 기체 투과성 PDMS 박막, 배양액을 저장할 수 있는 배양액 저장 공간을 구비하여, 상기 PDMS 박막의 상부에 부착되는 PDMS 막, 하부면에 PDMS 막으로 덮힌 미세 열선을 구비하여, 미세 구조물 내에서 동물 세포의 배양에 필요한 기체를 자체 공급할 뿐만 아니라 배양액의 온도를 조절할 수 있는 효과가 있다.
PDMS(polydimethylsiloxane), 배양액, 미세열선Abstract translation: 提供了用于在单独的微结构中培养动物细胞的细胞培养技术。 该微型动物细胞培养箱包括：具有用金属处理并在其上表面中形成的细热丝的下玻璃基板; 附着在下玻璃基板上的第一PDMS膜，以在与下玻璃基板的细热丝相对应的位置形成两个或更多个液体和固体存储空间，以及分别连接到液体和固体存储空间的气体流动通道，以允许产生 气体流过; 附着到PDMS膜的气流通道上的气体可渗透的PDMS薄膜以使产生的气体通过其中; 附着到PDMS薄膜上并具有用于存储培养基的培养基存储空间的第二PDMS膜; 以及附着到第二PDMS膜上并具有形成在其下表面中的细热丝的上玻璃基板，细热丝被PDMS膜覆盖。 微型动物细胞培养箱可用于将培养基的温度控制在合适的温度水平，以及在微观结构中自动供应动物细胞培养所需的气体。
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公开(公告)号：KR1020090064936A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132321
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B29C65/08 , B29C65/7829 , B29C66/112 , B29C66/114 , B29C66/3022 , B29C66/542 , B29C66/8322 , B29C66/92655 , B29C66/929 , B29L2031/756 , B81B2201/058 , B81B2203/0338 , B81C1/00119 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/038
Abstract: An ultrasonic welding-based microfluidic device and a manufacturing method thereof are provided to prevent generation of an irregular surface on a channel side while a welding line melts with ultrasonic welding. An ultrasonic welding-based microfluidic device includes a lower plate(110), an upper plate(120), and a channel(113). The lower plate has two melting prevention protrusions(111) formed into constant height and intervals. The upper plate has two welding lines(121). The welding line is formed with intervals wider than the intervals of the melting prevention protrusion. The welding line is welded with the lower plate, and located on an outer side of the melting prevention protrusion. The channel is formed between two melting prevention protrusions.
Abstract translation: 提供了一种基于超声波焊接的微流体装置及其制造方法，以防止焊接线通过超声波焊接熔化而在通道侧产生不规则表面。 基于超声波焊接的微流体装置包括下板（110），上板（120）和通道（113）。 下板具有形成为恒定高度和间隔的两个防熔突起（111）。 上板具有两条焊接线（121）。 焊接线形成有比防熔突起的间隔宽的间隔。 焊接线与下板焊接，位于防熔突部的外侧。 通道形成在两个防熔突起之间。
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公开(公告)号：KR1020130105165A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120027365
申请日：2012-03-16
Applicant: 한국전자통신연구원 , 주식회사 나노신소재
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor is provided to facilitate manufacture processes by forming an oxide channel layer including a host material. CONSTITUTION: A channel layer (12) includes metal-boron oxide. The metal-boron oxide is arranged on a gate electrode. A gate insulating layer is arranged between the gate electrode and the channel layer. A source and a drain region (16) are combined with the channel layer. A channel protection layer (13) is arranged on the channel layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，以通过形成包括主体材料的氧化物沟道层来促进制造工艺。 构成：沟道层（12）包括金属 - 氧化硼。 金属 - 氧化硼布置在栅电极上。 栅极绝缘层设置在栅电极和沟道层之间。 源极和漏极区域（16）与沟道层组合。 信道保护层（13）布置在信道层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101283686B1
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020090111657
申请日：2009-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원 , 주식회사 나노신소재
IPC: H01B1/22 , H01B1/02 , H01L21/203
Abstract: 본 발명은 열안정성 투명 도전막 및 투명 도전막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명 도전막은 산화인듐 및 산화주석에 티타늄을 포함시킴으로써 비교적 낮은 온도에서의 열처리에도 결정화되고, 안정적인 비저항값을 가져 열안정성을 이룰 수 있다.
열안정성, 투명, 도전막, 티타늄-
公开(公告)号：KR1020130053894A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020110119596
申请日：2011-11-16
Applicant: 한국전자통신연구원 , 주식회사 나노신소재
IPC: H01L21/203 , C23C14/14 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/086 , H01J37/3429
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a sputtering target for an oxide thin film transistor is provided to increase mobility by doping tantalum to indium tin oxide. CONSTITUTION: Indium oxide powder, tin oxide powder, and tantalum powder are prepared(S10). Powders are pulverized and mixed(S20). Slurry is dried by a mixing and a pulverization process(S30). The dried powder is shaped. The shaped powder is sintered. [Reference numerals] (S10) Prepare; (S20) Mix and pulverize powder; (S30) Dry slurry; (S40) Shape and sinter the powder; (S50) Polish sintered body and bond a backing plate; (S60) End
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于氧化物薄膜晶体管的溅射靶的方法，以通过将钽掺杂到氧化铟锡来增加迁移率。 构成：制备氧化铟粉末，氧化锡粉末和钽粉末（S10）。 将粉末粉碎并混合（S20）。 通过混合和粉碎处理干燥浆料（S30）。 干燥的粉末成型。 成型粉末烧结。 （附图标记）（S10）准备; （S20）混合粉碎粉末; （S30）干浆; （S40）形成并烧结粉末; （S50）抛光烧结体并粘合背板; （S60）结束
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公开(公告)号：KR1020120035706A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：KR1020100097397
申请日：2010-10-06
Applicant: 한국전자통신연구원 , 주식회사 나노신소재
IPC: C23C14/08
CPC classification number: C23C14/08 , C04B2235/3293 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/22 , C23C14/34 , C23C14/54
Abstract: PURPOSE: An indium tin oxide target for transparent electrode is provided to guarantee electro-chemical characteristic and light transmittance by using dopant material. CONSTITUTION: An indium tin oxide target for transparent electrode includes indium tin oxide, tin oxide, and metal oxide. The metal oxide is reduced. The ionic radius ratio of untreated metal oxide and the metal(M) of the reduced metal oxide is a range of 1.2~1.7:1.
Abstract translation: 目的：提供透明电极的氧化铟锡靶，以通过使用掺杂剂材料来保证电化学特性和透光率。 构成：用于透明电极的氧化铟锡靶包括氧化铟锡，氧化锡和金属氧化物。 金属氧化物被还原。 未处理的金属氧化物和还原金属氧化物的金属（M）的离子半径比在1.2〜1.7:1的范围内。
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公开(公告)号：KR1020110056192A
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020100005615
申请日：2010-01-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method for forming a nano structure and a method for forming a solar cell using the same are provided to easily grow an oxide layer on the surface of a template by forming an oxide precursor layer on the ionized surface of the template. CONSTITUTION: A template is prepared(S1). The surface of the template is ionized(S2). An oxide layer is formed to surround the template on the surface of the ionized template(S3). The template is eliminated(S4). The template includes organic polymer or organic copolymer. A method for forming a solar cell includes the following: A first electrode is formed on a first substrate. A second electrode is formed on a second substrate. The second electrode opposes to the first electrode. An oxide layer including nano structures and dyes is formed between the first electrode and the second electrode. An electrolyte layer is formed between the oxide layer and the second electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种形成纳米结构的方法和使用该方法形成太阳能电池的方法，通过在模板的离子化表面上形成氧化物前体层，容易地在模板的表面上生长氧化物层。 规定：准备一个模板（S1）。 模板的表面被电离（S2）。 形成氧化物层以在电离模板的表面上包围模板（S3）。 消除模板（S4）。 该模板包括有机聚合物或有机共聚物。 一种形成太阳能电池的方法包括：第一电极形成在第一基板上。 第二电极形成在第二基板上。 第二电极与第一电极相对。 在第一电极和第二电极之间形成包括纳米结构和染料的氧化物层。 在氧化物层和第二电极之间形成电解质层。
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公开(公告)号：KR1020100072787A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131297
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A cell culture compartment unit and an array comprising the same are provided to use in tissue engineering cell culture and stem cell differentiation. CONSTITUTION: A cell culture compartment unit comprises: a bio material releasing region comprising cell culture region and cell culture medium; a piezoelectric element of porous of porous membrane of the cell culture region; a thin film for cell adhesion, which is able to settle cells thereon; and a first power source for applying a first electrical field to the piezoelectric device. The cell culture medium is supplied to cells by moving to the cell culture region through the porous membrane. Each cell culture compartment unit comprises two different bio materials.
Abstract translation: 目的：提供细胞培养室单元和包含其的阵列用于组织工程细胞培养和干细胞分化。 构成：细胞培养室单元包括：包含细胞培养区和细胞培养基的生物物质释放区; 细胞培养区多孔膜多孔的压电元件; 用于细胞粘附的薄膜，其能够在其上沉积细胞; 以及用于将第一电场施加到所述压电器件的第一电源。 通过多孔膜向细胞培养区域移动，向细胞供给细胞培养基。 每个细胞培养室单元包括两种不同的生物材料。
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