公开(公告)号：KR100333674B1

公开(公告)日：2002-04-22

申请号：KR1020000045522

申请日：2000-08-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심규환 ,  이승윤 ,  김홍승 ,  강진영

IPC: H01L29/737

Abstract: 본 발명에서 제공하는 SiGe HBT의 제조방법은 산화막 측벽을 이용하여 자기정렬한 베이스-에미터 접합과 선택적 성장을 이용하여 자기정렬한 베이스-콜렉터 접합을 형성함으로써 누설전류를 줄이고 고주파의 동작특성과 소자의 균일성을 개선하며, 베이스 에피층을 다수의 2차원 도핑층으로 형성하여 원하는 형태로 베이스의 도핑농도를 매우 얇은 영역에 국부적으로 조절할 수 있고, 성장하는 동안과 성장 후의 공정과정에 있어서 불순물의 확산을 최소화하여, 매우 얇은 베이스 내부에서 도핑농도를 정확하게 조절할 수 있는 장점을 제공함으로써, 고속동작에서 선형특성이 우수하며 누설전류도 낮은 소자를 제작할 수 있도록 한다. 이러한 본 발명은 저온 공정이 요구되는 차세대 극미세 실리콘 반도체나 양자 소자 제작 공정에 유용하게 사용될 수 있다.

公开(公告)号：KR100345304B1

公开(公告)日：2002-07-25

申请号：KR1020000060004

申请日：2000-10-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심규환 ,  김홍승 ,  이승윤 ,  강진영

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 고품질의 반도체박막인 Si, SiGe, SiGe:C와 같은 에피결정을 성장하는 수직형 초고진공 화학증착장치에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 고진공하에서 에피택셜층 성장의 균일성을 유지하고 웨이퍼에서 전달되는 열전달을 최소화하는 이중구조의 석영관을 구비한 성장챔버; 상기 성장챔버의 하측에 연결되어, 에피택셜층 성장이 이루어지는 웨이퍼를 수직전송하는 수직이송장치를 포함하는 웨이퍼전송챔버; 상기 웨이퍼전송챔버의 하측에 구비되어 상기 웨이퍼를 수직전송시키는데 있어 웨이퍼전송챔버와의 압력 차이에 의해 전송기어에 응력이 가해지는 것을 방지하는 완충챔버; 및 상기 웨이퍼전송챔버의 일측에 연결되어 에피택셜층 성장시 외부로부터의 오염을 감소시키고 에피택셜층 성장이 완료된 웨이퍼를 수평이송시켜 외부로 배출하기 위한 로드락챔버를 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020020012077A

公开(公告)日：2002-02-15

申请号：KR1020000045522

申请日：2000-08-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심규환 ,  이승윤 ,  김홍승 ,  강진영

IPC: H01L29/737

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a hetero-junction bipolar transistor(HBT) is provided to reduce a modulation degree of a base, by uniformly controlling the flow of current injected to an emitter while precisely controlling the density in a very thin region. CONSTITUTION: A lower collector(2) and a collector Si epitaxial layer(3) are formed on a silicon substrate(1). An isolation layer is formed on the silicon substrate. A collector plug(6) and a selective implanted collector(SIC) region are formed in the active region of the silicon substrate. A mask insulation layer pattern wherein the SIC region is opened is formed on the resultant structure. A Si epitaxial layer is selectively grown by using the mask insulation layer pattern such that the Si epitaxial layer is partially and laterally over-grown on the mask insulation layer pattern. A SiGe base epitaxial layer(10) is grown on the resultant structure, and a plurality of second-dimensional doping layers are formed in the SiGe base epitaxial layer. The SiGe base epitaxial layer is patterned to define a base region. The emitter in contact with the SiGe base epitaxial layer is formed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造异质结双极晶体管（HBT）的方法，通过均匀地控制注入发射极的电流流动，同时精确地控制非常薄的区域的密度，来降低基极的调制度。 构成：在硅衬底（1）上形成下集电体（2）和集电极Si外延层（3）。 在硅衬底上形成隔离层。 在硅衬底的有源区域中形成集电极插塞（6）和选择性注入集电极（SIC）区域。 在所得结构上形成其中SIC区域被打开的掩模绝缘层图案。 通过使用掩模绝缘层图案选择性地生长Si外延层，使得Si外延层在掩模绝缘层图案上部分和横向过度生长。 在所得结构上生长SiGe基极外延层（10），并且在SiGe基极外延层中形成多个第二维掺杂层。 将SiGe基底外延层图案化以限定基极区域。 形成与SiGe基极外延层接触的发射极。