公开(公告)号：KR1019950021283A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026793

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이상훈 ,  최영완 ,  심숙이 ,  원용협 ,  정종술 ,  이일항

IPC: H01L21/34

Abstract: 본 발명은 초고속의 스위칭 속도와 높은 광학적 온/오프 강도비를 갖는 비선형 광 쌍안정성 소자를 가능하게 하는 비대칭 페브리-페롯 공명 구조와 얕은 양자 우물 구조가 혼합 적용된 화합물 반도체 다중 양자 우물구조에 관한 것이다. 종래의 깊은 다중 양자 우물구조는 캐리어들의 양자 우물 탈출 시간이 길어서 결국 이 구조로 만든 광소자의 스위칭 속도가 느린 문제점이 있다.
아울러 비대칭 페브리-페롯 구조가 아닌 종래의 入/4 스택층을 바닥 거울층으로만 적용시킨 구조는 출력광의 온/오프 강도비가 낮아서 광시스템에 적용시 낮은 잡음여유도로 인해 신뢰성의 문제가 있다.
본 발명은PI(MQW)-N 다이오드의 진성 영역내에GaAs/AlxGal-xAs 다중 양자 우물에서 Al의 몰농도를 낮게하여(x=5%이하)얕은 양자 우물 구조로 함으로써 외부 인가 전계에 의한 전계 이온화 현상에 의해 캐리어들의 양자 우물 탈출 시간을 매우 짧게 가져감으로 인해 스위칭 속도를 매우 빨리 할 수 있게 한다.
아울러 PI(MQW)-N 다이오드의 총두께가 높은 반사율을 갖는 하부 거울층인 A10 !Ga0.9/AlAs 入/4 스택층과 낮은 반사율의 반도체와 공기와의 계면층 사이에 비대칭 페브리-페롯 공명 구조가 되게끔 하여 광학적 출력의 온/오프 강도비를 크게 높일수 있게 하였다.
결국 스위칭 속도 개선을 위한 얕은 양자 우물 구조와 출력광의 온/오프 강도비 개선을 위한 비대칭 페브리-페롯 공명 구조를 동시에 혼합 적용시킨 화합물 반도체 혼성 구조인 것이다.