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公开(公告)号：KR1019970006606B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930026307
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A technique is described that can provide a self electro-optic effective device(SEED) which can have a big optical bistability without supply of an external bias. The SEED includes a GaAs substrate 1, a first reflection layer 2 grown over the substrate 1, a bottom mirror layer 10 grown over the first reflection layer 2 and provided with a second reflection layer 3, a cathode contact layer 4 grown over the bottom mirror layer 10, a first buffer layer 5 grown over the cathode contact layer 4, a multiple quantum well 11 grown over the first buffer layer 5 and having a barrier layer 6 and well layer 7, a second buffer layer 8 grown over the multiple quantum well 11, and an anode contact layer grown over the second buffer layer 8. Thereby, it is possible to improve the yield of the device and increase the integration degree of a device array.
Abstract translation: 描述了可以提供一种自电光有效装置（SEED）的技术，其可以具有大的光学双稳态性，而不会提供外部偏置。 SEED包括GaAs衬底1，在衬底1上生长的第一反射层2，在第一反射层2上生长并设置有第二反射层3的底部镜层10，在底部镜上生长的阴极接触层4 层10，在阴极接触层4上生长的第一缓冲层5，在第一缓冲层5上生长并具有阻挡层6和阱层7的多量子阱11，在多量子阱上生长的第二缓冲层8 11，以及在第二缓冲层8上生长的阳极接触层。由此，可以提高器件的产量并提高器件阵列的集成度。
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公开(公告)号：KR1019970006615B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930029620
申请日：1993-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: In the method for embodying an optical switch element for use of a long wavelength, which is utilized in a long distance communication through a use of an optical fiber, the method for optimizing a multi quantum well structure of an INP kingdom comprises the step of searching for an optimized structure capable of adjusting a constructive component rate and a structure of an INGAASP/INP hybrid structure to operate in a 1.55 micro-m wavelength area for getting the minimum loss value of the optical fiber, maximize an optical absorption and output strength rate and whereby embody the optical switch for use of the long wavelength.
Abstract translation: 在用于通过使用光纤的长距离通信中使用长波长的光开关元件的方法中，优化INP王国的多量子阱结构的方法包括搜索步骤 对于能够调整结构性分量速率和INGAASP / INP混合结构的结构的优化结构，以在1.55微米波长区域中操作以获得光纤的最小损耗值，使光吸收和输出强度率最大化 并且由此实现长波长使用的光开关。
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公开(公告)号：KR1019950021812A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028264
申请日：1993-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/08
Abstract: 본 발명은 비대칭 패브리-페롯(asymmetry-Fabry Petot)공명 구조를 갖는 SEED(Self Electro-optic Effect Device)에 관한 것으로, 비대칭 패브리-페롯 SEED구조보다 반사율의 변화 △R을 증가시켜 광 시스템에서 사용될 때 높은 ON/OFF강도비에 의한 안정된 신뢰도를 유지하면서 데이타 처리속도인 비트레이트를 증가시킬 수 있는 개량된 비대칭 패브리-페롯 SEED이다.
본 발명은 반사율의 변화 △R이 진성영역의 다중 양자 우물의 광 흡수 계수의 비인 α(V)/α(O)와 반비계 관계가 있다는 점에 착안하여 최소한의 광 흡수 계수비를 갖는 다중 양자 우물을 이용한 높은 반사율 ON/OFF강도비를 유지하는 동시에 반사율변화를 증가시킨다.
본 발명의 구조는 α(O)값이 큰 양자 우물 구조를 이용하여 비대칭 패브리-페롯 SEED구조를 구성하므로 반도체 다중 양자 우물층의 수를 줄일수 있어 에피텍시(epitaxy)층의 성장이 용이하다.-
公开(公告)号：KR1019950021818A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029620
申请日：1993-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 광섬유를 이용한 장거리 통신에 쓰일 수 있는 장파장용 광스윗치 소자를 구현하는 방법에 있어서 다중 양자우물의 물질로 InGaAsP/InP 혼성구조의 구성 성분비 및 구조를 조정하여 광섬유에서 손실 최소치를 갖는 파장영역에서 작동하며 광 출력 강도비 및 광흡수 최대치를 극대화하는 최적화된 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019950021801A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026307
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 외부 인가전압 없이도 광 시스템에서 실용가능한 정도의 광 쌍안정을 실현 할 수 있는 광 논리소자의 창출을 그 내용으로 한다.
혼합물 반도체로 이루어진 얕은 다중양자 우물(Shal1ow Mutiple Quantum Well, SMQW)의 저전계흡수(low field electroabsoption) 특성과 비대칭 페브리 페롯(ASymmetric Fabry Perot, ASFP)공명 구조를 결합함으로써 이를 창출하였다.
ASFP공명구조로 이루어진 PIN다이오드 SEED는 그 구조특성상 광 흡수층인 다중양자 우물로 이루어진 진성영역의 두께를 일반적인 SEED구조보다 크게 줄여 줄 수 있다는 점에 착안하였다.
이는 일정한 내재전위(built in potential)를 가정할때, SMQW ASFP S-SEED회로에서의 인가전압 VAP=0일 경우의 각 SEED에 존재하는 전계의 차이가 일반적인 SMQW S-SEED회로에서의 각 SEED에 존재하는 전계의 차이보다 크게 된다는 것을 뜻한다.
즉 각 SEED소자의 광 흡수율의 차이가 크게되고 광 쌍안정의 반사율 차이와 폭(width)이 증가된다는 것이다.
본 발명에 의한 적절한 소자설계는 Self-Biased SMQW ASFP S-SEED(VAP=D)의 두 다이오드 전계차이가 일반적인 SMQW S-SEED의 동작전압 VAP=5Volt일때의 두 다이오드 전계차이정도가 되도록 할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019970004486B1
公开(公告)日：1997-03-28
申请号：KR1019930026793
申请日：1993-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/34
Abstract: A shallow multiple quantum well structure of a compound semiconductor combined with a asymmetric Fabry-Perot cavity is provided which is constructed in such a manner that an AlAs layer having relatively low refractive index (n=2.98) and thickness of 72.1nm and an Al0.1Ga0.9As layer having relatively high refractive index (n=3.54) and thickness of 60.7nm are grown on a semi-insulating GaAs substrate 29 in 15 cycles, to form a AlAs/Al0.1Ga0.9As /4 lower stack layer 28 having a lower mirror layer of /4 reflective layer formed thereon, an N+ Al0.1Ga0.9As/GaAs(6nm/10nm) 27 having the thickness of 500nm serving as a contact layer and an undoped Al0.1Ga0.9As layer 26 having the thickness of 20nm serving as a buffer layer are grown on the lower stack layer 28, shallow multiple quantum wells of Al0.05Ga0.95As(6nm/10nm) multiple quantum well layers 25 are formed in 36 cycles on the buffer layer, an undoped Al0.1Ga0.9As layer 24 serving as a buffer layer is grown on the multiple quantum well layer 25 by the thickness of 20nm, and an upper mirror layer of p+ GaAs layer 23 is grown on the undoped Ga0.1Ga0.9As layer 24 by the thickness of 506.7nm as a p-type contact layer.
Abstract translation: 提供了与不对称法布里 - 珀罗腔结合的化合物半导体的浅多重量子阱结构，其以如下方式构造：具有相对较低折射率（n = 2.98）和72.1nm厚度的AlAs层和Al0。 在半绝缘GaAs衬底29上生长具有相对较高折射率（n = 3.54）和厚度为60.7nm的1Ga0.9As层，以形成具有AlAs / Al 0.1 Ga 0.9 As / 4的下层堆叠层28，Al 形成在其上的/ 4反射层的下镜面层，具有500nm厚度的N + Al 0.1 Ga 0.9 As / GaAs（6nm / 10nm）27用作接触层和具有厚度的未掺杂的Al 0.1 Ga 0.9 As层26 作为缓冲层的20nm生长在下堆叠层28上，在缓冲层，未掺杂的Al0上以36个周期形成Al 0.05 Ga 0.95 As（6nm / 10nm）多个量子阱层25的浅多个量子阱。 在多量子阱层上生长用作缓冲层的1Ga 0.9 As层24 r 25，厚度为20nm，p + GaAs层23的上镜面层在未掺杂的Ga0.1Ga0.9As层24上生长为厚度为506.7nm的p型接触层。
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公开(公告)号：KR1019960027587A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940033891
申请日：1994-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00
Abstract: 본 발명은 광섬유를 이용한 장거리 통신에 쓰일 수 있는 장파장용 광 스위치 소자를 구현하는 방법에 있어서 다중양자우물의 물질로 InGaAsP/InP 혼성구조의 구성 성분비 및 구조를 조정하여 광섬유에서 손실 최소치를 갖는 파장영역에서 작용하며 광 출력 강도비 및 광흡수 최대치를 극대화하는 최적화된 구조를 얻기 위한 산출방법을 제안한 것이다.
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