테라헤르츠 대역에서 동작하는 무전압 트랜스시버
    11.
    发明授权
    테라헤르츠 대역에서 동작하는 무전압 트랜스시버 有权
    在TERAHERTZ频率中没有偏置电压的收发器

    公开(公告)号:KR101626804B1

    公开(公告)日:2016-06-09

    申请号:KR1020140088578

    申请日:2014-07-14

    CPC classification number: H01S5/10

    Abstract: 본발명은테라헤르츠(terahertz, THz) 대역에서동작하는무전압트랜스시버에대한것이다. 본발명에따른 THz 대역에서동작하는무전압트랜스시버는, 기판; 상기기판상에위치하고, THz파는전송하고바이어스전압을사용하지않는송신기(Tx); 및상기 Tx와일정간격이격되게위치하고 THz파를검출하는수신기(Rx)를포함하되, 상기 Tx는일정한두께및 선폭을가지는금속선로로구성되고, 상기 Rx는, 상기기판상에위치하는제2 활성층; 및상기제2 활성층상에위치하는광전도안테나를포함한다. 상기한구성에의해본 발명에따른 THz 대역에서동작하는무전압트랜스시버는바이어스전압을사용하지않아신호대잡음비가현저히개선되고, 피크전력이낮은레이저펄스를사용할수 있으며, 인체를대상으로해야하는의료진단용장비에적용되는경우에도안전하게사용될수 있다.

    적외선 발광 다이오드 및 적외선 가스 센서

    公开(公告)号:KR101918602B1

    公开(公告)日:2018-11-14

    申请号:KR1020170049846

    申请日:2017-04-18

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른적외선발광다이오드소자는, n-도전형의 GaSb 기판; 상기 GaSb 기판상에배치된 n-도전형의 GaSb 버퍼층; 상기 GaSb 버퍼층상에배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 하부크레딩층; 상기 AlGaAsSb 하부크레딩층상에배치된 n-도전형의 AlGaAsSb제1 장벽층 (barrier layer); 제1 두께를가지고상기 AlGaAsSb제1 장벽층상에배치된 n-도전형의 InGaAsSb 제1 양자우물층; 상기제1 양자우물층상에배치된 n-도전형의 AlGaAsSb제2 장벽층 (barrier layer); 제2 두께를가지고상기제2 장벽층상에배치된 n-도전형의 InGaAsSb 제2 양자우물층; 상기 InGaAsSb 제2 양자우물층상에배치된 n-도전형의 AlGaAsSb제3 장벽층 (barrier layer); 상기 AlGaAsSb제3 장벽층상에배치된 p-도전형의 AlGaAsSb 상부크레딩층; 및상기 AlGaAsSb 상부크레딩층상에배치된 p-도전형의 GaSb 콘택층;을포함한다.

    무반사층이 결합된 플라즈마모닉 적외선 소자
    14.
    发明授权
    무반사층이 결합된 플라즈마모닉 적외선 소자 有权
    抗反射涂层层状红外线设备

    公开(公告)号:KR101624487B1

    公开(公告)日:2016-05-26

    申请号:KR1020140163619

    申请日:2014-11-21

    CPC classification number: H01L31/10 G01J1/42 Y02E10/50

    Abstract: 본발명의적외선검출기를제공한다. 이적외선광검출기는하부컨택층; 상기하부컨택층상에적층된광 흡수층; 상기광 흡수층상에적층된상부컨택층; 표면플라즈몬공명을유발하고상기상부컨택층상에적층되어복수의구멍을포함하는금속층; 및표면플라즈몬공명주파수에서외부에서입사하는광에대하여무반사조건을충족시키도록상기금속층상에적층된유전체층을포함한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种红外检测器。 红外检测器包括:下接触层; 层叠在下接触层上的光吸收层; 层叠在光吸收层上的上接触层; 诱发表面等离子体共振并包括多个孔的金属层,其中金属层层压在上接触层上; 以及层叠在金属层上的电介质层,使得对于来自表面等离子共振频率的外部的入射光,满足防反射条件。 本发明的目的是提高具有量子阱结构的红外光电探测器或具有量子点结构的红外光电探测器的量子效率。

    주파수 변조가 가능한 고효율 테라헤르츠 트랜스시버
    15.
    发明公开
    주파수 변조가 가능한 고효율 테라헤르츠 트랜스시버 有权
    频率调制高效率TERAHERTZ收发器

    公开(公告)号:KR1020160013423A

    公开(公告)日:2016-02-04

    申请号:KR1020140094768

    申请日:2014-07-25

    CPC classification number: H01S3/10

    Abstract: 본발명은주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버에대한것이다. 본발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는, 활성층(active layer); 상기활성층의일측상부에위치하는광전도안테나; 상기광전도안테나상에형성된나노격자안테나(NGA); 상기활성층의타측하부에위치하는반도체기판; 및상기기판상부면과활성층사이의경계면에위치하는표면플라즈몬결합기(SPC)를포함하되, 상기활성층은인듐갈륨비소(InGaAs) 박막또는 InGaAs/InAlAs 다층양자우물층(MQW layer)을포함하는이종적층박막으로형성되고, 상기광전도안테나는, 일정길이평행하게연장형성된금속평행전송선로; 상기금속평행전송선로의중앙영역에서내측으로마주보도록대칭되게돌출된중앙돌출부; 및상기금속평행전송선로의양단에대칭되게연장형성된전극패드를포함하여형성된다. 상기 NGA는상기광전도안테나의중앙돌출부에위치하고, 적어도하나이상의패턴이패터닝되어연속적으로배열될수 있다. 상기 SPC는상기활성층하부면에위치할수도있으며다수개의패턴들이동심원을이루도록주기적으로패터닝하여형성될수 있으며, 다른형태로도가능하며, 금속재질로형성될수 있다. 또한, 본발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는개별소자로구성된 THz파송신기(Tx) 또는수신기(Rx)에적용하거나, 단일기판상의하나의광전도안테나로 THz파를발생및 검출하는 THz 트랜스시버에적용할수 있으며단일기판상에일정간격이격되어집적된 Tx 및 Rx에적용될수 있도록구성함으로써, 개별소자또는단일소자내에서 THz파를전송하고검출할수 있다. 상기한구성에의해본 발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는 NGA 및 SPC를집적하여 THz파의생성출력과측정감도를높일수 있고, 동시에일정한밴드폭으로발생된 THz파가표면플라즈몬공명구조를통과하면서주파수가변조될수 있도록구성함으로써주파수선택성을가질수 있는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种能够进行频率调制的高效率THz接收机。 根据本发明的能够进行频率调制的高效率THz接收机包括:有源层; 位于有源层一侧的上部的感光天线; 在光电导天线上形成的纳米光栅天线(NGA); 位于有源层的另一侧的下部的半导体衬底; 以及位于基板上表面和有源层之间的边界表面上的表面等离子体激元耦合器(SPC)。 高效率的THz收发器可以通过累积NGA和SPC来增加HTZ波的发生输出和测量灵敏度,并具有频率选择性的作用。

    공기와 표면플라즈마 공명기 사이의 임피던스를 정합시키기 위하여 메타물질에 기반한 무반사코팅을 이용한 적외선 광검출기
    17.
    发明授权
    공기와 표면플라즈마 공명기 사이의 임피던스를 정합시키기 위하여 메타물질에 기반한 무반사코팅을 이용한 적외선 광검출기 有权
    红外光电检测器使用基于抗反射涂层的元件来匹配空气和SP谐振器之间的阻抗

    公开(公告)号:KR101624489B1

    公开(公告)日:2016-05-26

    申请号:KR1020150084502

    申请日:2015-06-15

    Abstract: 본발명은적외선광검출기및 그제조방법을제공한다. 이적외선광검출기는하부컨택층; 상기하부컨택층상에적층된광 흡수층; 상기광 흡수층상에적층된상부컨택층; 표면플라즈몬공명을유발하고상기상부컨택층상에적층되어복수의구멍을포함하는금속층; 및표면플라즈몬공명주파수에서외부에서입사하는광에대하여무반사조건을충족시키도록상기금속층상에적층된유전체층을포함한다. 상기유전체층은벤조사이틀로부테인(Benzocyclobutene; BCB)이다.

    Abstract translation: 本发明提供一种红外光电检测器及其制造方法。 红外光电检测器包括:下接触层; 层叠在下接触层上的光吸收层; 层叠在所述光吸收层上的上接触层; 导致表面等离子体共振的金属层堆叠在上接触层上,并且包括多个孔; 以及层叠在金属层上的电介质层,以满足表面等离子共振频率中从外部透射的光的抗反射条件。 介电层是苯并环丁烯(BCB)。

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