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公开(公告)号：WO2019009456A1
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：PCT/KR2017/007455
申请日：2017-07-13
Applicant: 한국해양대학교 산학협력단 , 연세대학교 산학협력단 , 한국표준과학연구원
IPC: A61B5/05
Abstract: 암 수술용 테라헤르츠 프로브 도파로가 제시된다. 일 실시예에 따른 테라헤르츠 프로브 도파로는, 내부 공간부가 형성되는 튜브; 상기 튜브의 내부 공간부에 수용되며, 상기 튜브와 소정간격 이격되어 축 방향으로 배치되는 코어부; 및 상기 코어부의 후측에 구성되며, 기판 상에 THz파 송신기(Transmitter; Tx) 및 수신기(Receiver; Rx)가 형성되어 THz파를 전송하고 검출하는 트랜시버 칩을 포함하고, 상기 코어부의 전단은, 상기 튜브의 전단의 외측으로 안내되며 상기 트랜시버 칩으로부터 전송된 THz파가 전달될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019107718A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：PCT/KR2018/010932
申请日：2018-09-17
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0725 , H01L31/05 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 이중접합 태양전지는, 하부 전극층을 포함하는 유연성 기판; 상기 유연성 기판의 상기 하부 전극층과 접촉하는 InGaAs 태양 전지; 및 상기 InGaAs 태양 전지 상에 배치되고 상기 InGaAs 태양 전지와 직렬 연결된 GaAs 태양 전지;를 포함한다. 상기 GaAs 태양 전지는 그 하부면에 형성된 금속 나노디스크 어레이를 포함하고, 상기 금속 나노디스크 어레이의 하부에는 상기 금속 나노디스크 어레이와 정렬된 빈공간 어레이가 배치된다.
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公开(公告)号：WO2016010345A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/KR2015/007307
申请日：2015-07-14
Applicant: 한국해양대학교 산학협력단 , 연세대학교 산학협력단 , 한국표준과학연구원
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 테라헤르츠(terahertz, THz) 대역에서 동작하는 무전압 트랜스시버에 대한 것이다. 본 발명에 따른 THz 대역에서 동작하는 무전압 트랜스시버는, 기판; 상기 기판상에 위치하고, THz파는 전송하고 바이어스 전압을 사용하지 않는 송신기(Tx); 및 상기 Tx와 일정 간격 이격되게 위치하고 THz파를 검출하는 수신기(Rx)를 포함하되, 상기 Tx는 일정한 두께 및 선폭을 가지는 금속 선로로 구성되고, 상기 Rx는, 상기 기판 상에 위치하는 제2 활성층; 및 상기 제2 활성층 상에 위치하는 광전도 안테나를 포함한다. 상기한 구성에 의해 본 발명에 따른 THz 대역에서 동작하는 무전압 트랜스시버는 바이어스 전압을 사용하지 않아 신호대 잡음비가 현저히 개선되고, 피크전력이 낮은 레이저 펄스를 사용할 수 있으며, 인체를 대상으로 해야 하는 의료진단용 장비에 적용되는 경우에도 안전하게 사용될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及在太赫兹（THz）频带中操作的零电压收发器。 根据本发明的在THz频带工作的零电压收发器包括：基板; 设置在基板上的发射机Tx，发射THz波而不使用偏置电压; 接收机Rx，其以发射机Tx的一定间隔设置并检测太赫兹波，其中发射机Tx包括具有一定厚度和线宽的金属线，并且接收机Rx包括设置在衬底上的第二有源层; 以及设置在第二有源层上的光电导天线。 通过这样的结构，根据本发明的工作在THz频带的零电压收发器不使用偏置电压，从而显着提高信噪比，可以使用具有低峰值功率的激光脉冲，并且可以安全地使用 即使适用于人体使用的医疗诊断设备。
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公开(公告)号：WO2018097531A1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：PCT/KR2017/012824
申请日：2017-11-14
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L31/046 , H01L31/05 , H01L31/054 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 적층형 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 태양전지는, 기판; 상기 기판 상에 서로 적층되어 배치되고 순차적으로 서로 다른 파장 대역을 가지고 광전 변환을 수행하는 수행하는 복수의 서브 셀들; 및 서로 이웃한 서브 셀들 사이 계면 중에서 적어도 하나에 배치된 금속 디스크 어레이을 포함한다. 상기 서브 셀들에 대응하는 파장 대역들의 중심 파장은 최상위층을 기준으로 점차 하부로 진행함에 따라 순차적으로 감소한다. 상기 금속 디스크 어레이는 상기 금속 디스크 어레이의 상부에 배치된 서브 셀에서 흡수되지 못하고 투과한 광을 반사시킨다. 상기 금속 디스크 어레이는 웨이퍼 본딩 기법에 의하여 삽입된다.
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公开(公告)号：WO2016013898A1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：PCT/KR2015/007709
申请日：2015-07-24
Applicant: 한국해양대학교 산학협력단 , 한국표준과학연구원 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S3/10
Abstract: 본 발명은 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버에 대한 것이다. 본 발명에 따른 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버는, 활성층(active layer); 상기 활성층의 일측 상부에 위치하는 광전도 안테나; 상기 광전도 안테나 상에 형성된 나노격자안테나(NGA); 상기 활성층의 타측 하부에 위치하는 반도체 기판; 및 상기 기판 상부면과 활성층 사이의 경계면에 위치하는 표면 플라즈몬 결합기(SPC)를 포함하되, 상기 활성층은 인듐 갈륨비소(InGaAs) 박막 또는 InGaAs/InAlAs 다층양자우물층(MQW layer)을 포함하는 이종적층박막으로 형성되고, 상기 광전도 안테나는, 일정 길이 평행하게 연장 형성된 금속 평행 전송선로; 상기 금속 평행 전송선로의 중앙 영역에서 내측으로 마주보도록 대칭되게 돌출된 중앙돌출부; 및 상기 금속 평행 전송선로의 양단에 대칭되게 연장 형성된 전극패드를 포함하여 형성된다. 상기 NGA는 상기 광전도 안테나의 중앙돌출부에 위치하고, 적어도 하나 이상의 패턴이 패터닝되어 연속적으로 배열될 수 있다. 상기 SPC는 상기 활성층 하부면에 위치할 수도 있으며 다수개의 패턴들이 동심원을 이루도록 주기적으로 패터닝하여 형성될 수 있으며, 다른 형태로도 가능하며, 금속재질로 형성될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버는 개별 소자로 구성된 THz파 송신기(Tx) 또는 수신기(Rx)에 적용하거나, 단일기판 상의 하나의 광전도 안테나로 THz파를 발생 및 검출하는 THz 트랜스시버에 적용할 수 있으며 단일기판 상에 일정간격 이격되어 집적된 Tx 및 Rx에 적용될 수 있도록 구성함으로써, 개별소자 또는 단일소자 내에서 THz파를 전송하고 검출할 수 있다. 상기한 구성에 의해 본 발명에 따른 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버는 NGA 및 SPC를 집적하여 THz파의 생성 출력과 측정 감도를 높일 수 있고, 동시에 일정한 밴드폭으로 발생된 THz파가 표면 플라즈몬 공명 구조를 통과하면서 주파수가 변조될 수 있도록 구성함으로써 주파수 선택성을 가질 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够进行频率调制的高效率THz接收机。 根据本发明的能够进行频率调制的高效率THz接收机包括：有源层; 位于有源层一侧的上部的感光天线; 在光电导天线上形成的纳米光栅天线（NGA）; 位于有源层的另一侧的下部的半导体衬底; 以及位于基板上表面和有源层之间的边界表面上的表面等离子体激元耦合器（SPC），其中有源层形成为铟镓砷（InGaAs）薄膜或包含InGaAs / InAlAs的不同层叠薄膜 多量子阱（MQW）层，光电导天线包括：以一定长度平行延伸的平行金属传输线; 对称地突出以在平行金属传输线的中心区域面向内的中心突起; 以及在平行金属传输线的两端对称延伸的电极焊盘。 NGA定位在光电导天线的中心突起上，并且可以具有图案化并连续地布置在其上的至少一个图案。 SPC可以位于有源层的下表面上，可以通过周期性地图案化形成其中的多个图案以形成同心圆，可以具有其它形式的图案，并且可以由金属材料形成。 此外，根据本发明的能够进行频率调制的高效率THz接收机被配置为被应用于包括分立器件的THz波接收器（Tx）或接收器（Rx），或被应用于THz收发器 用于在单个衬底上使用单个光电导天线产生和检测THz波，并将其施加到以一定间隔间隔并集成在单个衬底上的Tx和Rx，从而能够传输和检测在 分立设备或单个设备。 由于所述结构，根据本发明的能够进行频率调制的高效率THz接收机可以通过集成NGA和SPC来增加THz波的产生和输出和测量灵敏度。 同时，高效率的THz接收机被配置为使得可以调制频率，同时在一定带宽上产生的太赫兹波通过表面等离子体共振结构，从而能够具有频率选择性。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020180116923A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：KR1020170049846
申请日：2017-04-18
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본발명의일 실시예에따른적외선발광다이오드소자는, n-도전형의 GaSb 기판; 상기 GaSb 기판상에배치된 n-도전형의 GaSb 버퍼층; 상기 GaSb 버퍼층상에배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 하부크레딩층; 상기 AlGaAsSb 하부크레딩층상에배치된 n-도전형의 AlGaAsSb제1 장벽층 (barrier layer); 제1 두께를가지고상기 AlGaAsSb제1 장벽층상에배치된 n-도전형의 InGaAsSb 제1 양자우물층; 상기제1 양자우물층상에배치된 n-도전형의 AlGaAsSb제2 장벽층 (barrier layer); 제2 두께를가지고상기제2 장벽층상에배치된 n-도전형의 InGaAsSb 제2 양자우물층; 상기 InGaAsSb 제2 양자우물층상에배치된 n-도전형의 AlGaAsSb제3 장벽층 (barrier layer); 상기 AlGaAsSb제3 장벽층상에배치된 p-도전형의 AlGaAsSb 상부크레딩층; 및상기 AlGaAsSb 상부크레딩층상에배치된 p-도전형의 GaSb 콘택층;을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160008709A
公开(公告)日：2016-01-25
申请号：KR1020140088578
申请日：2014-07-14
Applicant: 한국해양대학교 산학협력단 , 한국표준과학연구원 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/10
Abstract: 본발명은테라헤르츠(terahertz, THz) 대역에서동작하는무전압트랜스시버에대한것이다. 본발명에따른 THz 대역에서동작하는무전압트랜스시버는, 기판; 상기기판상에위치하고, THz파는전송하고바이어스전압을사용하지않는송신기(Tx); 및상기 Tx와일정간격이격되게위치하고 THz파를검출하는수신기(Rx)를포함하되, 상기 Tx는일정한두께및 선폭을가지는금속선로로구성되고, 상기 Rx는, 상기기판상에위치하는제2 활성층; 및상기제2 활성층상에위치하는광전도안테나를포함한다. 상기한구성에의해본 발명에따른 THz 대역에서동작하는무전압트랜스시버는바이어스전압을사용하지않아신호대잡음비가현저히개선되고, 피크전력이낮은레이저펄스를사용할수 있으며, 인체를대상으로해야하는의료진단용장비에적용되는경우에도안전하게사용될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及在太赫兹（THz）频带中操作的零电压收发器。 根据本发明的在THz频带工作的零电压收发器包括：基板; 位于基板上的发射器（Tx）发射太赫兹波，不使用偏置电压; 以及接收器（Rx），其被定位成在一定距离处与Tx分离并且检测太赫兹波。 Tx包括具有一定厚度和线宽的金属线。 Rx包括位于衬底上的第二有源层; 以及位于第二有源层上的感光天线。 根据本发明的在THz频带工作的零电压收发器不使用偏置电压，从而显着提高信号与噪声的比率，可以使用具有低峰值功率的激光脉冲，并且即使应用于 用于人体的医疗诊断设备。
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公开(公告)号：KR101957801B1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：KR1020170159784
申请日：2017-11-28
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0725 , H01L31/05 , H01L31/0304 , H01L31/18
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公开(公告)号：KR101626806B1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：KR1020140094768
申请日：2014-07-25
Applicant: 한국해양대학교 산학협력단 , 한국표준과학연구원 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S3/10
Abstract: 본발명은주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버에대한것이다. 본발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는, 활성층(active layer); 상기활성층의일측상부에위치하는광전도안테나; 상기광전도안테나상에형성된나노격자안테나(NGA); 상기활성층의타측하부에위치하는반도체기판; 및상기기판상부면과활성층사이의경계면에위치하는표면플라즈몬결합기(SPC)를포함하되, 상기활성층은인듐갈륨비소(InGaAs) 박막또는 InGaAs/InAlAs 다층양자우물층(MQW layer)을포함하는이종적층박막으로형성되고, 상기광전도안테나는, 일정길이평행하게연장형성된금속평행전송선로; 상기금속평행전송선로의중앙영역에서내측으로마주보도록대칭되게돌출된중앙돌출부; 및상기금속평행전송선로의양단에대칭되게연장형성된전극패드를포함하여형성된다. 상기 NGA는상기광전도안테나의중앙돌출부에위치하고, 적어도하나이상의패턴이패터닝되어연속적으로배열될수 있다. 상기 SPC는상기활성층하부면에위치할수도있으며다수개의패턴들이동심원을이루도록주기적으로패터닝하여형성될수 있으며, 다른형태로도가능하며, 금속재질로형성될수 있다. 또한, 본발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는개별소자로구성된 THz파송신기(Tx) 또는수신기(Rx)에적용하거나, 단일기판상의하나의광전도안테나로 THz파를발생및 검출하는 THz 트랜스시버에적용할수 있으며단일기판상에일정간격이격되어집적된 Tx 및 Rx에적용될수 있도록구성함으로써, 개별소자또는단일소자내에서 THz파를전송하고검출할수 있다. 상기한구성에의해본 발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는 NGA 및 SPC를집적하여 THz파의생성출력과측정감도를높일수 있고, 동시에일정한밴드폭으로발생된 THz파가표면플라즈몬공명구조를통과하면서주파수가변조될수 있도록구성함으로써주파수선택성을가질수 있는효과가있다.
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