Abstract:
감광성 도전 필름(10)은, 필름 지지체(1), 유기 도전재료를 함유하는 도전층(2), 및 감광성 수지층(3)이 이 순서로 적층된 구조를 가진다. 감광성 도전 필름(10)에 있어서, 유기 도전재료는 티오펜 유도체의 폴리머이면 바람직하고, 감광성 수지층(3)은, 바인더 폴리머, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것이면 바람직하다.
Abstract:
A negative photosensitive resin composition that can be formed into projections for control of liquid crystal alignment capable of realizing precision higher than that attained by the use of positive photosensitive resin compositions; and a photosensitive element produced from the above negative photosensitive resin composition, which can be employed in a transfer method (laminate system) and can be easily stored to thereby enable use without wasting, excelling in film thickness stability. In particular, a negative photosensitive resin composition comprising an alkali soluble resin (a), a reactive monomer (b) and a photoreaction initiator (c) characterized in that 50% or more of the total mass of mixed reactive monomer (b) is occupied by a monofunctional reactive monomer; and a negative photosensitive element comprising a support and, superimposed thereon, a negative photosensitive resin composition layer consisting of the above negative photosensitive resin composition.
Abstract:
본 발명의 수지 경화막 패턴의 형성 방법은, 기재 위에, 산가가 75mgKOH/g 이상인 카르복실기를 갖는 바인더 폴리머와, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지고, 두께가 10㎛ 이하인 감광층을 설치하는 제1 공정과, 감광층의 소정 부분을 활성 광선의 조사에 의해 경화시키는 제2 공정과, 상기 감광층의 소정 부분 이외를 제거하고, 상기 감광층의 소정 부분의 경화막 패턴을 형성하는 제3 공정을 구비하고, 상기 감광성 수지 조성물이 상기 광중합 개시제로서 옥심에스테르 화합물 및/또는 포스핀옥사이드 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명의 수지 경화막 패턴의 형성 방법은, 기재 위에, 바인더 폴리머와, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제와, 티올 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광층을 설치하는 제1 공정과, 감광층의 소정 부분을 활성 광선의 조사에 의해 경화시키는 제2 공정과, 상기 감광층의 소정 부분 이외를 제거하고, 상기 감광층의 소정 부분의 경화막 패턴을 형성하는 제3 공정을 구비하고, 상기 감광성 수지 조성물이 상기 광중합 개시제로서 옥심에스테르 화합물 및/또는 포스핀옥사이드 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명의 도전 패턴의 형성 방법은, 기판 상에 형성된 감광성 수지층과, 감광성 수지층의 기판과는 반대측의 면에 형성된 도전막을 포함하는 감광층에, 패턴상으로 활성 광선을 조사하는 제 1 노광 공정과, 산소 존재하에서, 감광층의 적어도 제 1 노광 공정에서의 미노광부의 일부 또는 전부에 활성 광선을 조사하는 제 2 노광 공정과, 제 2 노광 공정 후에 감광층을 현상함으로써 도전 패턴을 형성하는 현상 공정을 구비한다.