Abstract:
기판(230)과, 도전성 섬유(221)와, 수지층을 포함하는 적층체로서, 상기 적층체에 있어서, 크세논 램프로부터 60W/m 2 (파장 300nm∼400nm의 분광 방사 조도의 적산값)의 조사 강도로 조사를 300시간 받은 후의 저항 상승률이 20% 이하인 적층체.
Abstract translation:一种层压体,包括基底230,导电纤维221和树脂层,其中在所述层压体中,照射后的强度为60W / m 2的氙灯发出的光的照射后的电阻的增加率(光谱的积分值 波长300nm〜400nm的照射300小时)为20%以下。
Abstract:
(A)성분 : 페놀성 수산기를 가지는 수지, (B)성분 : 2개 이상의 옥시란환을 가지는, 지방족 또는 지환식 에폭시 화합물, (C)성분 : 감광응성 산발생제, 및 (D)성분 : 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물로, 상기 (A)성분 100질량부에 대하여, 상기 (B)성분 20~70질량부를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.
Abstract:
본 발명의 터치패널용 전극의 보호막의 형성 방법은, 터치패널용 전극을 가지는 기재 위에, 카르복실기를 갖고, 산가가 30∼120mgKOH/g인 바인더 폴리머와, 적어도 3개의 에틸렌성 불포화기를 가지는 광중합성 화합물과, 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광층을 설치하고, 이 감광층의 소정 부분을 활성 광선의 조사에 의해 경화시킨 후에 소정 부분 이외를 제거하고, 상기 전극의 일부 또는 전부를 피복하는 상기 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 보호막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명의 터치패널용 전극의 보호막의 형성방법은, 터치패널용 전극을 갖는 기재 위에, 바인더 폴리머와, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광층을 설치하는 제1 공정과, 감광층의 소정 부분을 활성 광선의 조사에 의해 경화시키는 제2 공정과, 감광층의 소정 부분 이외를 제거하고, 전극의 일부 또는 전부를 피복하는 감광층의 소정 부분의 경화물로 이루어지는 보호막을 형성하는 제3 공정을, 구비하고, 감광성 수지 조성물의 수산기가가 40mgKOH/g 이하이다.
Abstract:
본 발명의 수지 경화막 패턴의 형성 방법은, 기재 위에, 산가가 75mgKOH/g 이상인 카르복실기를 갖는 바인더 폴리머와, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지고, 두께가 10㎛ 이하인 감광층을 설치하는 제1 공정과, 감광층의 소정 부분을 활성 광선의 조사에 의해 경화시키는 제2 공정과, 상기 감광층의 소정 부분 이외를 제거하고, 상기 감광층의 소정 부분의 경화막 패턴을 형성하는 제3 공정을 구비하고, 상기 감광성 수지 조성물이 상기 광중합 개시제로서 옥심에스테르 화합물 및/또는 포스핀옥사이드 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명의 수지 경화막 패턴의 형성 방법은, 기재 위에, 바인더 폴리머와, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제와, 티올 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광층을 설치하는 제1 공정과, 감광층의 소정 부분을 활성 광선의 조사에 의해 경화시키는 제2 공정과, 상기 감광층의 소정 부분 이외를 제거하고, 상기 감광층의 소정 부분의 경화막 패턴을 형성하는 제3 공정을 구비하고, 상기 감광성 수지 조성물이 상기 광중합 개시제로서 옥심에스테르 화합물 및/또는 포스핀옥사이드 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은, 감광성 수지조성물의 고압 수은등 전파장의 활성광선 조사에 의해, 농도영역 0.00∼2.00, 농도스텝 0.05, 타블렛의 크기 20mm×187mm, 각 스텝의 크기가 3mm×12mm인 41단 스텝 타블렛의, 농도 1.00의 21단이 경화하는 노광량을 E 0 mJ/cm 2 로 하고, 상기 감광성 수지조성물을 40W의 무자외 백색등하에서 2시간 방치한 후의 감광성 수지조성물의, 고압 수은등 전파장의 활성광선 조사에 의해 상기 41단 스텝 타블렛의 21단이 경화하는 노광량을 E 1 mJ/cm 2 로 한 때에 하기식 (1)