公开(公告)号：BG66958B1

公开(公告)日：2019-09-16

申请号：BG11233716

申请日：2016-07-21

Applicant: AMG TEHNOLODZHI OOD ,  STAVROV VLADIMIR

Inventor： STAVROV VLADIMIR

IPC: G01Q10/04 ,  G01Q20/00

Abstract: Изобретениетосеотнасядомикроконзолнисензоризаатомносиловамикроскопия, коитосаособеноподходящизаизползванев комбиниранисистеми, използващиедновременнокактоатомносиловмикроскоп, такаи оптическа, електроннаилидругвидмикроскопия, илиметодзалокалнамикро/нанообработка. Зацелтамикроконзолниятсензоротизобретението, състоящсеоттялос разпростиращасеотнегомикроконзола, съставенаотеластичниосновнаи сондовачасти, съдържав сондоватасичастотворсъссиметричниоколнисвързващиеластичниелементи. Заосигуряваненавидимостпрезотворакъмобласттанавзаимодействиенасондатас образецаи къмнейниявръх, основатанасондатазавършвав отвораи размеритенарадиуса r наосноватаи височината h насондатаудовлетворяватотношението: arctg(r/h)

公开(公告)号：BG110397A

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：BG11039709

申请日：2009-06-05

Applicant: AMG TEHNOLODZHI OOD ,  STAVROV VLADIMIR

Inventor： STAVROV VLADIMIR

IPC: B81B3/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/06

Abstract: The invention relates to a method for receiving devices for Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS) with electric elements on their sidewalls, which finds application in the preparation of microstructures with diverse electric and mechanical properties that may be used for performing measurements in various technical fields. The method is a three-phase one, and with reiterated repetition of processes of masks creation and building protective layers, structuring the masks, ligating by high-temperature ion diffusion and following pickling, performed on unyielding semiconductor basic structures,e.g. monocrystal silicon basic structures, provides possibility for building electric elements on the sidewalls of devices for MEMC. The obtained by the method electric elements may be equal or different, and may be situated on the entire sidewalls of the devices or on part of them. With them may be performed measurements with considerably increased accuracy and sensitivity to impacts in sidewiseand vertical to the device directions, and in some cases may be made direct measurements of absolute values.

公开(公告)号：BG66593B1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：BG11114312

申请日：2012-02-16

Applicant: STAVROV VLADIMIR ,  AMG TEHNOLODZHI OOD

Inventor： STAVROV VLADIMIR

IPC: B81B7/00 ,  G01Q60/38

Abstract: Приборъте предназначензасканиращасондовамикроскопия (ССМ), включителносканиращаатомно-силовамикрскопия (АСМ). Тойсесъстоиотносещопасивнотяло (6) сразмери, обичайнизасензоритезаССМ, снабденос канавка (10), разположенакъмтяснатамустрана. Приборътсъдържаи умаленмонолитенсъщинскисензор (7) смикроконзола (3') исондовелемент, прикоетосензорът (7) емонтираннеподвижно, конзолнов канавката (10) наносещотопасивнотяло (6). Вдругоизпълнениеприборътсъдържаприсвободниякрайнатялотонасъщинскиясензорощеедна, втораконзолнаструктура (11). Сприборасепостигасъотношениенадължинатанамикроконзолатакъмдължинатанастранатанатялотонасъщинскиясензор, откоятотясеразпростира, вдиапазонаот 1:10 до 5:1. Стакаописанияприборсепреодоляваттехнологичнитезатрудненияприпроизводствотои работатасъссензоризаССМ, дължащисенаголяматаразликамеждудължинатанамикроконзолатаи размеранастраната, откоятотясеразпростира, припроизвежданитепонастоящемсензори.

公开(公告)号：BG66424B1

公开(公告)日：2014-03-31

申请号：BG11048009

申请日：2009-09-29

Applicant: AMG TEHNOLODZHI OOD ,  STAVROV VLADIMIR

Inventor： STAVROV VLADIMIR

IPC: G01Q30/02 ,  G01Q70/02

Abstract: Изобретениетосеотнасядосензоризасканиращасондовамикроскопия (SРМ), коитоосигуряватвисокаточности разделителнаспособностприизмерване, методзатримерноизмерванес подобнисензории методзаполучаванетоим, които, чрезизмерваненаизмененияв амплитудата, честотата, фазоватаразликаилинатунеленток, намиратприложениезаопределяненатопографскирелеф, геометриченразмерилидругахарактеристиканаобектив различниобластинатехниката. Сензоритесесъстоятоттяло, микроконзолаи сондовачаст, коитоиматобщаплоскаповърхност, вкоятое формиранпонеединелементзафункционализираневъввиднаотвори/иликанавка, вкойтое поместенхетерогененсондовелементкатовъглероднананотръба (СNТ), борнаилиборнитриднананотръба, нанонишка, нанокристали др., включителносъссложнаформа, напримерцилиндърсъссфера. Методътнатримерноизмерванедававъзможност, катосеизползватсензори, притежаващиеластичностпотринаправления, собичайнататехниказасканиращасондовамикроскопия, приизмерванев даденаточка, дасеопределятхарактеристикитенаобразецав тритенаправлениябеззавъртаненасензораи/илинаизследванияобразец. Изобретениетосеотнасяи дометодзаполучаваненаописанитесензориповъзпроизводими точенначин.@

公开(公告)号：BG111143A

公开(公告)日：2013-08-30

申请号：BG11114312

申请日：2012-02-16

Applicant: AMG TEHNOLODZHI OOD ,  STAVROV VLADIMIR

Inventor： STAVROV VLADIMIR

IPC: B81B7/00

Abstract: The device is intended for scanning probe microscopy (SPM), including scanning atomic force microscopy (AFM). It consists of a passive holder body (6) having dimensions, which are usual for scanning probe microscopy SPM sensors, and provided with a trench (10), disposed towards its narrow side. The device further comprises a monolithic actual sensor (7) of reduced dimensions, consisting of a micro cantilever (3') and a probe element, said sensor (7) being inserted and rigidly cantilevered in the trench (10) of the passive holder body (6). In an embodiment, the device comprises a second, cantilevered structure (11) at the free end of the actual sensor body. In other embodiments a ratio of the micro cantilever length to the length of the side of the actual sensor body, wherefrom the micro cantilever extends, is in the range from 1:10 to 5:1. With the described device to overcome the technological difficulties in production and operation of sensors SPM due to the large difference betweenthe micro cantilever length of and size of the country wherefrom the micro cantilever extends in currently manufactured sensors.