-
公开(公告)号：BG66488B1
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：BG11109511
申请日：2011-12-01
Applicant: STAVROV VLADIMIR , AMG TEHNOLODZHI OOD
Inventor： STAVROV VLADIMIR
IPC: B81C1/00
Abstract: Методътзаизработваненаприборизамикроелектромеханичнисистеми (МЕМС) селектрическиелементивърхустраничнитеимстение приложимзаизработваненамикроструктурис разнообразниелектрическии механичнисвойства, коитомогатдабъдатизползванизаизвършваненаизмерванияв различниобластинатехниката. Методътвключватриетапаи чрезнееднократноповторениенапроцесинасъздаваненамаскии изгражданеназащитнислоеве, структурираненамаските, легиранес високотемпературнайоннадифузияи последващипроцесинаецване, изпълняванивърхунедеформируемиполупроводниковиосновниструктури, напримермонокристалнисилициевиосновниструктури, дававъзможностзаизгражданенаелектрическиелементивърхустраничнитестенинаприборизаМЕМС. Полученитепометодаелектрическиелементимогатдабъдатеднаквиилиразлични, имогатдабъдатразположенипоцелитеиличастотстраничнитестенинаприборите. СМЕМСустройства, реализиранисъгласнометода, могатдасеизвършватизмерваниясъсзначителноувеличенаточност, прецизности чувствителност.@
-
公开(公告)号：BG67030B1
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：BG11223616
申请日：2016-03-08
Applicant: AMG TEHNOLODZHI OOD , STAVROV VLADIMIR
Inventor： STAVROV VLADIMIR
IPC: H01L21/768
Abstract: ИзобретениетосеотнасядоприборотгрупатанамикроелектромеханичнитесистемиилиМЕМСприбор, свграденифункционалниелементиотграфенс дебелинаотединдостоатомнислоя. По-конкретно, МЕМСприборът, съгласноизобретението, сесъстоиоттялои еластиченелемент-конзолаилимембрана, свграденикъмеластичнияелементосвободенифункционалниелементиотултратънкиграфеновислоеве, разположенинадотвор, обхванатиотподходящиконтури, пожеланиесвързанис проводящивръзкии снабденис контакти. Връзкитеи контактитесаотдвуслойнаструктура, представляващаполиранслойотметал, напримермед, върхукойтоимаслойотграфен. Приборъте сразнообразниприложения, напримерфилтър, сензори др., каточрезсъздаденитеспецифичниелектропроводящи, механичнии/илитоплопроводящиконтактии връзкие осигуренавъзможностзанеговотопрактическопромишленоизползване. Изобретениетощенамериприложениев областтанасъздаваненасредствазаизмерване, анализи контролнаразличнивеличинии параметринаоколнатасреда, сприложениев научнитеизследвания, наукитезаживота, материалознанието, индустрията, битаи др.
-
公开(公告)号：BG112337A
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：BG11233716
申请日：2016-07-21
Applicant: AMG TEHNOLODZHI OOD , STAVROV VLADIMIR
Inventor： STAVROV VLADIMIR
Abstract: Изобретениетосеотнасядомикроконзолнисензоризаатомносиловамикроскопия, коитосаособеноподходящизаизползванев комбиниранисистеми, използващиедновременнокактоатомносиловмикроскоп, такаи оптическа, електроннаилидругвидмикроскопия, илиметодзалокалнамикро/нанообработка. Зацелтамикроконзолниятсензоротизобретението, състоящсеоттялос разпростиращасеотнегомикроконзола, съставенаотеластичниосновнаи сондовачасти, съдържав сондоватасичастотворсъссиметричниоколнисвързващиеластичниелементи. Заосигуряваненавидимостпрезотворакъмобласттанавзаимодействиенасондатас образецаи къмнейниявръх, основатанасондатазавършвав отвораи размеритенарадиуса r наосноватаи височината h насондатаудовлетворяватотношението: arctg(r/h)
-
公开(公告)号：BG112236A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：BG11223616
申请日：2016-03-08
Applicant: AMG TEHNOLODZHI OOD , STAVROV VLADIMIR
Inventor： STAVROV VLADIMIR
IPC: H01L21/768
Abstract: ИзобретениетосеотнасядоприборотгрупатанамикроелектромеханичнитесистемиилиМЕМСприбор, свграденифункционалниелементиотграфенс дебелинаотединдостоатомнислоя. По-конкретно, МЕМСприборът, съгласноизобретението, сесъстоиоттялои еластиченелемент-конзолаилимембрана, свграденикъмеластичнияелементосвободенифункционалниелементиотултратънкиграфеновислоеве, разположенинадотвор, обхванатиотподходящиконтури, пожеланиесвързанис проводящивръзкии снабденис контакти. Връзкитеи контактитесаотдвуслойнаструктура, представляващаполиранслойотметал, напримермед, върхукойтоимаслойотграфен. Приборъте сразнообразниприложения, напримерфилтър, сензори др., каточрезсъздаденитеспецифичниелектропроводящи, механичнии/илитоплопроводящиконтактии връзкие осигуренавъзможностзанеговотопрактическопромишленоизползване. Изобретениетощенамериприложениев областтанасъздаваненасредствазаизмерване, анализи контролнаразличнивеличинии параметринаоколнатасреда, сприложениев научнитеизследвания, наукитезаживота, материалознанието, индустрията, битаи др.
-
公开(公告)号：BG111095A
公开(公告)日：2012-07-31
申请号：BG11109511
申请日：2011-12-01
Applicant: AMG TEHNOLODZHI OOD , STAVROV VLADIMIR
Inventor： STAVROV VLADIMIR
IPC: B81C1/00
Abstract: Методътзаизработваненаприборизамикроелектромеханичнисистеми (МЕМС) селектрическиелементивърхустраничнитеимстение приложимзаизработваненамикроструктурис разнообразниелектрическии механичнисвойства, коитомогатдабъдатизползванизаизвършваненаизмерванияв различниобластинатехниката. Методътвключватриетапаи чрезнееднократноповторениенапроцесинасъздаваненамаскии изгражданеназащитнислоеве, структурираненамаските, легиранес високотемпературнайоннадифузияи последващипроцесинаецване, изпълняванивърхунедеформируемиполупроводниковиосновниструктури, напримермонокристалнисилициевиосновниструктури, дававъзможностзаизгражданенаелектрическиелементивърхустраничнитестенинаприборизаМЕМС. Полученитепометодаелектрическиелементимогатдабъдатеднаквиилиразлични, имогатдабъдатразположенипоцелитеиличастотстраничнитестенинаприборите. СМЕМСустройства, реализиранисъгласнометода, могатдасеизвършватизмерваниясъсзначителноувеличенаточност, прецизности чувствителност.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：BG110480A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：BG11048009
申请日：2009-09-29
Applicant: AMG TEHNOLODZHI OOD , STAVROV VLADIMIR
Inventor： STAVROV VLADIMIR
Abstract: The invention refers to sensors for scanning probing microscopy (SPM), which offer high precision and resolution of measurement, a method for three-dimensional measurement with such sensors and a method for their production, which, by measuring the variations of the amplitude, the frequency, of the phase difference or of the tunnel current, find an application for the determination of the topography, the geometrical size or some other characteristic of objects in various fields of engineering. The sensors consist of a body, a micro bracket and a probing part, which have a common plane surfacewithin which at least one element is structured for functioning in the form of an orifice and/or a gutter, in which a heterogeneous probing element is positioned in the form of a carbon nanotube (CNT), a boron or boron nitride nanotube, a nanothread, a nanocrystal, etc., including such with a complex form, e.g. a cylinder with a sphere. The method of three dimensional measurement offers the possibility, by using sensors with elasticity in the three directions, with the usual technology of scanning probe microscopy , by measuring in a given point, to determine the characteristics of the samplein the three directions without rotating the sensor and/or the sample under study. The invention involves also a method for obtaining the sensors described in a reproducible and precise manner.
-
公开(公告)号：BG66958B1
公开(公告)日：2019-09-16
申请号：BG11233716
申请日：2016-07-21
Applicant: AMG TEHNOLODZHI OOD , STAVROV VLADIMIR
Inventor： STAVROV VLADIMIR
Abstract: Изобретениетосеотнасядомикроконзолнисензоризаатомносиловамикроскопия, коитосаособеноподходящизаизползванев комбиниранисистеми, използващиедновременнокактоатомносиловмикроскоп, такаи оптическа, електроннаилидругвидмикроскопия, илиметодзалокалнамикро/нанообработка. Зацелтамикроконзолниятсензоротизобретението, състоящсеоттялос разпростиращасеотнегомикроконзола, съставенаотеластичниосновнаи сондовачасти, съдържав сондоватасичастотворсъссиметричниоколнисвързващиеластичниелементи. Заосигуряваненавидимостпрезотворакъмобласттанавзаимодействиенасондатас образецаи къмнейниявръх, основатанасондатазавършвав отвораи размеритенарадиуса r наосноватаи височината h насондатаудовлетворяватотношението: arctg(r/h)
-
公开(公告)号：BG110397A
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：BG11039709
申请日：2009-06-05
Applicant: AMG TEHNOLODZHI OOD , STAVROV VLADIMIR
Inventor： STAVROV VLADIMIR
Abstract: The invention relates to a method for receiving devices for Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS) with electric elements on their sidewalls, which finds application in the preparation of microstructures with diverse electric and mechanical properties that may be used for performing measurements in various technical fields. The method is a three-phase one, and with reiterated repetition of processes of masks creation and building protective layers, structuring the masks, ligating by high-temperature ion diffusion and following pickling, performed on unyielding semiconductor basic structures,e.g. monocrystal silicon basic structures, provides possibility for building electric elements on the sidewalls of devices for MEMC. The obtained by the method electric elements may be equal or different, and may be situated on the entire sidewalls of the devices or on part of them. With them may be performed measurements with considerably increased accuracy and sensitivity to impacts in sidewiseand vertical to the device directions, and in some cases may be made direct measurements of absolute values.
-
公开(公告)号：BG66593B1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：BG11114312
申请日：2012-02-16
Applicant: STAVROV VLADIMIR , AMG TEHNOLODZHI OOD
Inventor： STAVROV VLADIMIR
Abstract: Приборъте предназначензасканиращасондовамикроскопия (ССМ), включителносканиращаатомно-силовамикрскопия (АСМ). Тойсесъстоиотносещопасивнотяло (6) сразмери, обичайнизасензоритезаССМ, снабденос канавка (10), разположенакъмтяснатамустрана. Приборътсъдържаи умаленмонолитенсъщинскисензор (7) смикроконзола (3') исондовелемент, прикоетосензорът (7) емонтираннеподвижно, конзолнов канавката (10) наносещотопасивнотяло (6). Вдругоизпълнениеприборътсъдържаприсвободниякрайнатялотонасъщинскиясензорощеедна, втораконзолнаструктура (11). Сприборасепостигасъотношениенадължинатанамикроконзолатакъмдължинатанастранатанатялотонасъщинскиясензор, откоятотясеразпростира, вдиапазонаот 1:10 до 5:1. Стакаописанияприборсепреодоляваттехнологичнитезатрудненияприпроизводствотои работатасъссензоризаССМ, дължащисенаголяматаразликамеждудължинатанамикроконзолатаи размеранастраната, откоятотясеразпростира, припроизвежданитепонастоящемсензори.
-
公开(公告)号：BG66424B1
公开(公告)日：2014-03-31
申请号：BG11048009
申请日：2009-09-29
Applicant: AMG TEHNOLODZHI OOD , STAVROV VLADIMIR
Inventor： STAVROV VLADIMIR
Abstract: Изобретениетосеотнасядосензоризасканиращасондовамикроскопия (SРМ), коитоосигуряватвисокаточности разделителнаспособностприизмерване, методзатримерноизмерванес подобнисензории методзаполучаванетоим, които, чрезизмерваненаизмененияв амплитудата, честотата, фазоватаразликаилинатунеленток, намиратприложениезаопределяненатопографскирелеф, геометриченразмерилидругахарактеристиканаобектив различниобластинатехниката. Сензоритесесъстоятоттяло, микроконзолаи сондовачаст, коитоиматобщаплоскаповърхност, вкоятое формиранпонеединелементзафункционализираневъввиднаотвори/иликанавка, вкойтое поместенхетерогененсондовелементкатовъглероднананотръба (СNТ), борнаилиборнитриднананотръба, нанонишка, нанокристали др., включителносъссложнаформа, напримерцилиндърсъссфера. Методътнатримерноизмерванедававъзможност, катосеизползватсензори, притежаващиеластичностпотринаправления, собичайнататехниказасканиращасондовамикроскопия, приизмерванев даденаточка, дасеопределятхарактеристикитенаобразецав тритенаправлениябеззавъртаненасензораи/илинаизследванияобразец. Изобретениетосеотнасяи дометодзаполучаваненаописанитесензориповъзпроизводими точенначин.@
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.069 seconds)
