Abstract:
Zur elektromagnetischen Abschirmung von Modulen wird vorgeschlagen, auf eine Verkapselungsschicht eine abschirmende Metallschicht aufzubringen. Der Anschluss der Metallschicht an Masseanschlussflächen auf der Oberfläche des Modulträgers wird über Kontaktelemente gewährleistet, die vor der Herstellung der Verkapselung auf dem Modulträger aufgebracht sind. Durch selektives Entfernen der Verkapselung nur bis zur Tiefe der Kontaktelemente vor oder nach der Herstellung der Metallschicht kann so ein leichterer und schnellerer Masseanschluss der Metallschicht erfolgen.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Bauelement, das einen in Flip-Chip Technik auf ein Trägersubstrat aufgebrachten Bauelementchip und ein Verfahren zur Herstellung. Die elektrische und mechanische Verbindung zwischen Bauelementchip und dem eine elektrische Verdrahtung aufweisenden Trägersubstrat erfolgt mittels Bumps. Zwischen Trägersubstrat und Bauelementchip ist ein Stützrahmen angeordnet, der in seiner Höhe an die Höhe der Bumps angepasst ist und eine plane oder planarisierte Oberfläche aufweist, so dass er eng an der Unterseite des Bauelementchips anliegt. Verschiedene Abdeckungen werden für die weitere Verkapselung vorgeschlagen.
Abstract:
Es wird ein Verkapselungsverfahren für empfindliche Bauelemente vorgeschlagen, bei welchem über eine Anordnung mit einem in Flip-Chip-Bauweise auf einem Träger montierten Bauelement ganzflächig eine Folie, insbesondere eine Kunststofffolie auflaminiert wird. Zur weiteren Abdichtung und mechanischen Stabilisierung wird anschließend den Chip umschließend eine Kunststoffmasse flüssiger Form aufgebracht und gehärtet. Wahlweise kann vor dem Aufbringen der Kunststoffmasse die Folie im Bereich von Strukturierungslinien so entfernt werden, daß die Kunststoffmasse in Kontakt sowohl mit dem Träger als auch mit der Chipoberfläche treten kann.
Abstract:
Zur hermetischen Verkapselung eines in Flip-Chip-Bauweise auf einem Träger (4) aufgebrachten Bauelements (1) wird vorgeschlagen, dieses zunächst mit einer dicht auf dem Bauelement und dem Träger aufliegenden Folie (8) abzudecken, diese zu strukturieren und darüber eine hermetisch abdichtende Schicht (14), insbesondere eine Metallschicht aufzubringen, die hermetisch mit dem Träger abschließt.
Abstract:
Es wird ein MEMS-Bauelement vorgeschlagen, welches auf einem Substrat Bauelementstrukturen, mit den Bauelementstrukturen verbundene Kontaktflächen, metallische Säulenstrukturen, die auf den Kontaktflächen aufsitzen und metallische Rahmenstrukturen, die die Bauelementstrukturen umgeben, aufweist. Eine gehärtete Resistschicht sitzt so auf Rahmenstruktur und Säulenstrukturen auf, dass ein Hohlraum zwischen Substrat, Rahmenstruktur und Resistschicht eingeschlossen ist. Direkt auf der Resistschicht oder auf einer auf der Resistschicht aufsitzenden Trägerschicht ist eine strukturierte Metallisierung vorgesehen, die zumindest Außenkontakte des Bauelements umfasst und sowohl mit metallischen Strukturen als auch den Kontaktflächen der Bauelementstrukturen elektrisch leitend verbunden ist.
Abstract:
Es wird ein hermetisches Waferlevelpackage aus zwei vorzugsweise materialgleichen piezoelektrischen Wafern und ein Herstellungsverfahren dafür vorgestellt. Die elektrisch und mechanische Verbindung zwischen den beiden Wafern gelingt mit Rahmenstrukturen und Pillars, deren auf zwei Wafer verteilte Teilstrukturen mit Hilfe von Verbindungsschichten wafergebondet werden.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Bauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Bauelement umfasst ein Substrat (S), einen Chip (CH), einen Rahmen (MF), der mit dem Substrat (S) verbunden ist und auf dem der Chip (CH) aufliegt. Eine metallische Verschlussschicht (ML), umfasst den Rahmen (MF), das Substrat (S) und den Chip (CH) so, dass ein von dem Substrat (S), dem Chip (CH) und dem Rahmen (MF) umschlossenes Volumen hermetisch abgedichtet ist.
Abstract:
Zur Verkapselung eines MEMS-Chips wird vorgeschlagen, diesen auf einen planarisierten Metallrahmen aufzusetzen, der auf einem keramischen Trägersubstrat angeordnet ist. In einem thermischen Schritt wird dazu sowohl die elektrische Verbindung zwischen dem MEMS-Chip und Kontakten auf dem Trägersubstrat über Bumps vorgenommen, als auch eine ausreichend dichte und mechanisch stabile Verbindung zwischen Metallrahmen und MEMS-Chip hergestellt.
Abstract:
Insbesondere für ein miniaturisiertes elektrisches Bauelement wird eine Schichtkombination mit einer Markierung vorgeschlagen, die eine erste Schicht und eine davon verschiedene darüber aufgebrachte Abhebeschicht umfasst, in der durch einen musterförmig abgehobenen Bereich ein Muster ausgebildet ist. Die Abhebeschicht ist aus einem anorganischen, halbleitenden, isolierenden Material ausgebildet, wobei das darin erzeugte Muster maschinell lesbar ist.
Abstract:
Zur hermetischen Verkapselung eines in Flipchipbauweise auf einem Substrat (25) aufgebrachten Bauelements, das aus einem Chip (1) mit Bauelementstrukturen (5) besteht, wird vorgeschlagen ein Material (35) auf die Unterkante des Chips und an den Chip angrenzende Bereiche des Substrats aufzubringen, und darauf eine erste durchgehende Metallschicht (40) auf der Rückseite des Chips und auf das Material (35), sowie an das Material angrenzende Randbereiche des Substrats aufzubringen. Anschliessend wird zur hermetischen Verkapselung eine zweite abschliessende Metallschicht (45) zumindest auf denjenigen Bereichen der ersten Metallschicht (40) mittels eines lösungsmittelfreien Prozesses aufgebracht, die das Material (35) bedecken.