ELEKTRISCHES BAUELEMENT MIT VERKAPSELUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    4.
    发明申请
    ELEKTRISCHES BAUELEMENT MIT VERKAPSELUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
    根据上述制造封装和方式电COMPONENT

    公开(公告)号:WO2005048452A1

    公开(公告)日:2005-05-26

    申请号:PCT/EP2004/011830

    申请日:2004-10-19

    CPC classification number: H03H9/1071 H03H9/02866

    Abstract: Zur Verkapselung eines elektrischen Bauelements wird vorgeschlagen, den Bauelementchip auf einer Trägerplatte aufzukleben und ihn elektrisch leitend mit auf der Oberfläche der Trägerplatte vorgesehenen metallischen Anschlussflächen zu verbinden, die wiederum mit metallischen Anschlusskontakten auf der Unterseite der Trägerplatte verbunden sind. Über dem Chip wird eine eine Ausnehmung aufweisende Kappe auf der Trägerplatte so aufgeklebt, dass im Inneren ein Hohlraum verbleibt. Mit Hilfe einer nachträglich verschliessbaren Ausgleichsöffnung wird eine sichere Verklebung ohne Verrutschen und ohne Beschädigung der Klebestellen ermöglicht.

    Abstract translation: 用于电气部件的封装建议胶合在载体板的元件芯片和连接它导电连接设置在支撑板的金属焊盘,它们又连接到承载板的下侧上的金属连接接触的表面上。 具有在承载板的凹部的盖被如此接合,有残留在内部在芯片的空腔。 使用后可密封的补偿打开一个安全的粘接不打滑,不损坏接头成为可能。

    MEMS BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    7.
    发明申请
    MEMS BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
    MEMS组件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2008155297A2

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:PCT/EP2008/057502

    申请日:2008-06-13

    CPC classification number: H03H9/02866 H03H9/14538

    Abstract: Zur Vermeidung störender Reflexionen und akustischer Volumenwellen wird bei einem MEMS-Bauelement, welches einen die Bauelementstruktur tragenden Chip umfasst, auf der den Bauelementstrukturen entgegengesetzten Rückseite des Chips eine Metallstruktur zur Streuung von akustischen Volumenwellen vorgesehen. Die Metallstrukturen umfassen ein akustisch an das Material des Chips angepasstes Metall.

    Abstract translation: 为了避免干扰反射和体声波,是在对置用于在MEMS装置,该装置包括一个芯片支撑构件结构散射体声波提供了一种金属结构中的芯片元件的结构的背面。 所述金属结构包括一个声学到芯片匹配金属的材料。

    ELEKTRISCHES BAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
    8.
    发明申请
    ELEKTRISCHES BAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
    电子器材和方法

    公开(公告)号:WO2006131216A1

    公开(公告)日:2006-12-14

    申请号:PCT/EP2006/004978

    申请日:2006-05-24

    CPC classification number: H03H9/105 H01L2224/94 H03H9/059 H03H9/1092 Y10T29/42

    Abstract: Es wird ein oberflächenmontierbares elektrisches Bauelement mit empfindlichen Bauelementstrukturen (B51,B52) vorgeschlagen, welches auf der Vorderseite zweiter Substrate (51, 52) realisiert ist. Die Substrate sind mit ihrer Vorderseite zueinanderweisend so miteinander verbunden, dass für die Bauelementstrukturen (B51,B52) ein Hohlraum (AN) verbleibt. Die elektrischen Außenanschlüsse (AA) für alle Bauelementstrukturen (B51, B52) sind auf der Oberfläche eines der beiden Substrate, insbesondere auf der Rückseite des oberen oder auf der Vorderseite des unteren Substrats vorgesehen. Zwischen den beiden Substraten ist eine geeignet strukturierte Zwischenschicht (ZS) angeordnet, die sowohl als Abstandshalter als auch zur Abdichtung der Hohlraumgehäuse dient .

    Abstract translation: 它是可表面安装的电气元件与感光元件的结构(B51,B52)已经提出,其上的第二基板的前侧(51,52)被实现。 基板与它们的前侧彼此面对的接合在一起,以便保持该设备结构(B51,B52),腔(AN)。 电的外部连接(AA)对所有的器件结构(B51,B52)被提供在两个衬底的表面上,特别是在上或在下基板的前侧的背面。 两个基板适当的结构化中间层(ZS)布置,其既用作间隔物,并密封空腔壳体之间。

    GESCHIRMTES WAFER-LEVEL-PACKAGE FÜR EIN MEMS-MIKROFON UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    9.
    发明申请
    GESCHIRMTES WAFER-LEVEL-PACKAGE FÜR EIN MEMS-MIKROFON UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
    选择屏蔽晶圆级封装的MEMS麦克风及其制造方法

    公开(公告)号:WO2016091592A1

    公开(公告)日:2016-06-16

    申请号:PCT/EP2015/077656

    申请日:2015-11-25

    Applicant: EPCOS AG

    Abstract: Es wird ein verbessertes Package für ein MEMS-Mikrofon (MM) und ein erleichtertes Verfahren zur Herstellung vorgeschlagen, bei dem ein MEMS Wafer und ein Basiswafer, in denen jeweils eine Vielzal von MEMS Chips bzw. Basischips mit MEMS Mikrofonen (MM) und ASICs (AS) realisiert sind, miteinander verbunden werden. In zum Vereinzeln der Bauelemente geführten Einschnitten (ES1) in MEMS- und ggfs. Basiswafer wird in einem integrierten Verfahren eine schirmende Metallsisierung (SD) erzeugt. Die Anschlusskontakte (AK) des Packages werden abschließend auf der Unterseite des Basiswafers erzeugt.

    Abstract translation: 一种改进的封装的MEMS麦克风(MM),并提议用于制备的简化方法,其中的MEMS晶片和基底晶片,在其中的每一个MEMS芯片的Vielzal并与MEMS麦克风的基片(MM)和ASIC( AS)被实现,被接合在一起。 在用于在MEMS分离部件引导切口(ES1)和任选的。依据晶片在一个集成的过程中产生的,屏蔽结束Metallsisierung(SD)。 包装的端子(AK)最终形成在基底晶片的下侧。

Patent Agency Ranking