Abstract:
Auf einem Träger (1) werden übereinander eine Haftschicht (4), ein ASIC-Chip (2) und ein Sensorchip (3) angeordnet. Eine Interchipverbindung (5) ist für einen elektrischen Anschluss der Chips untereinander vorgesehen und ein ASIC-Anschluss (6) für einen elektrischen Anschluss der in dem ASIC-Chip integrierten Schaltung nach außen.
Abstract:
Das erfindungsgemäße MEMS-Package ist auf einem mechanisch stabilen Trägersubstrat (TS) aufgebaut. Auf dessen Oberseite ist ein MEMS-Chip (MC) montiert. Ebenfalls auf oder über der Oberseite des Trägersubstrats ist zumindest ein Chipbauelement (CB) angeordnet. Eine metallische Schirmungsschicht (SL) überdeckt den MEMS-Chip und das Chipbauelement und schließt mit der Oberseite des Trägersubstrats ab.
Abstract:
Es wird ein MEMS-Bauelement vorgeschlagen, welches als Chipbauelement auf einem Panel angeordnet ist. Jeder Einbauplatz für einen Chip ist eng von einer Rahmenstruktur, die auf dem Panel aufsitzt umschlossen. Die Trennfuge zwischen Rahmenstruktur und Chip ist mit einer Jetdruckstruktur verschlossen.
Abstract:
Zur Verkapselung eines elektrischen Bauelements wird vorgeschlagen, den Bauelementchip auf einer Trägerplatte aufzukleben und ihn elektrisch leitend mit auf der Oberfläche der Trägerplatte vorgesehenen metallischen Anschlussflächen zu verbinden, die wiederum mit metallischen Anschlusskontakten auf der Unterseite der Trägerplatte verbunden sind. Über dem Chip wird eine eine Ausnehmung aufweisende Kappe auf der Trägerplatte so aufgeklebt, dass im Inneren ein Hohlraum verbleibt. Mit Hilfe einer nachträglich verschliessbaren Ausgleichsöffnung wird eine sichere Verklebung ohne Verrutschen und ohne Beschädigung der Klebestellen ermöglicht.
Abstract:
Es wird ein einfach herzustellendes elektrisches Bauelement für Chips mit empfindlichen Bauelementstrukturen angegeben. Das Bauelement umfasst eine Verbindungsstruktur und eine Verschaltungsstruktur an der Unterseite des Chips und ein Trägersubstrat mit zumindest einer Polymerlage.
Abstract:
Ein Bauelement umfasst ein Substrat (S), einen Chip (CH), und einen Rahmen (MF), wobei der Rahmen (MF), das Substrat (S) und der Chip (CH) ein Volumen (V) umschließen. Eine metallische Verschlussschicht (SL) ist vorgesehen und eingerichtet, das Volumen (V) hermetisch abzudichten, wobei die metallische Verschlussschicht (SL) ein erhärtetes flüssiges Metall oder eine erhärtete flüssige Metalllegierung aufweist.
Abstract:
Zur Vermeidung störender Reflexionen und akustischer Volumenwellen wird bei einem MEMS-Bauelement, welches einen die Bauelementstruktur tragenden Chip umfasst, auf der den Bauelementstrukturen entgegengesetzten Rückseite des Chips eine Metallstruktur zur Streuung von akustischen Volumenwellen vorgesehen. Die Metallstrukturen umfassen ein akustisch an das Material des Chips angepasstes Metall.
Abstract:
Es wird ein oberflächenmontierbares elektrisches Bauelement mit empfindlichen Bauelementstrukturen (B51,B52) vorgeschlagen, welches auf der Vorderseite zweiter Substrate (51, 52) realisiert ist. Die Substrate sind mit ihrer Vorderseite zueinanderweisend so miteinander verbunden, dass für die Bauelementstrukturen (B51,B52) ein Hohlraum (AN) verbleibt. Die elektrischen Außenanschlüsse (AA) für alle Bauelementstrukturen (B51, B52) sind auf der Oberfläche eines der beiden Substrate, insbesondere auf der Rückseite des oberen oder auf der Vorderseite des unteren Substrats vorgesehen. Zwischen den beiden Substraten ist eine geeignet strukturierte Zwischenschicht (ZS) angeordnet, die sowohl als Abstandshalter als auch zur Abdichtung der Hohlraumgehäuse dient .
Abstract:
Es wird ein verbessertes Package für ein MEMS-Mikrofon (MM) und ein erleichtertes Verfahren zur Herstellung vorgeschlagen, bei dem ein MEMS Wafer und ein Basiswafer, in denen jeweils eine Vielzal von MEMS Chips bzw. Basischips mit MEMS Mikrofonen (MM) und ASICs (AS) realisiert sind, miteinander verbunden werden. In zum Vereinzeln der Bauelemente geführten Einschnitten (ES1) in MEMS- und ggfs. Basiswafer wird in einem integrierten Verfahren eine schirmende Metallsisierung (SD) erzeugt. Die Anschlusskontakte (AK) des Packages werden abschließend auf der Unterseite des Basiswafers erzeugt.
Abstract:
Auf einem Wafer (1) aufgebrachte Rahmen (3) werden eingeebnet und mit einer Deckfolie abgedeckt, sodass gasdichte Gehäuse für Bauelementstrukturen (5), insbesondere für Filter- oder MEMS-Strukturen, gebildet werden. Innere Säulen (4) können zum Abstützen des Gehäuses und für den Masseanschluss vorgesehen sein; äußere Säulen (4) können für den elektrischen Anschluss vorgesehen und über Leiterbahnen (6), die vonden Rahmen (3)elektrisch isoliert sind, mit den Bauelementstrukturen verbunden sein.