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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105264635A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380074020.7
申请日：2013-12-30
Applicant: FEI公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/221 , H01J2237/226 , H01J2237/2814 , H01J2237/31745
Abstract: 一种用于利用带电粒子束分析样本的方法，所述方法包括将束引导向样本表面；研磨表面以暴露在样本中的第二表面，其中研磨在离子源远侧的第二表面的端部到比在离子源近侧的第一表面的端部大的相对于参考深度的深度；将带电粒子束引导向第二表面以形成第二表面的一个或多个图像；通过检测电子束与第二表面的相互作用,形成感兴趣的多个相邻特征的横截面的图像；将横截面的图像装配成感兴趣的特征中的一个或多个的三维模型。提供了一种用于改进的基准和在纳米级三维结构中形成确定暴露的特征的深度的方法。
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公开(公告)号：CN107084869A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710041560.5
申请日：2012-11-30
Applicant: FEI 公司
Abstract: 一种用于TEM样品制备和分析的方法，该方法可以用于FIB‑SEM系统中，而不需要对薄层或机动化的翻转台进行重焊、卸载、用户处理。该方法允许具有典型倾斜台的双束FIB‑SEM系统用于提取样品以形成衬底、将样品安装至能够倾斜的TEM样品支座上、用FIB铣削将该样品打薄、以及旋转样品从而使得样品面垂直于用于STEM成像的电子柱。
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公开(公告)号：CN105103270A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201380074003.3
申请日：2013-12-30
Applicant: FEI公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: G01N1/32 , G01N1/28 , H01L21/30655
Abstract: 提供了一种用于以减少或防止人造产物的方式准备用于在带电粒子束系统中观察的样本的方法和装置。离子束研磨使用块体研磨工艺暴露工件的横截面。当从暴露的横截面移除小量的材料的时,将沉积前驱体气体引导向样本表面，沉积前驱体产生更均匀的横截面。实施例对于准备用于具有不同硬度的材料的层的样本的SEM观察的横截面是有用的。实施例对于薄TEM样本的准备是有用的。
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公开(公告)号：CN104813459A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380063643.4
申请日：2013-10-04
Applicant: FEI公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 从单个视角暴露样本内的多个平面以供电气探测器接触。可以以非正交角度铣削样本以暴露不同层作为有斜率的表面。多个平行导体平面的有斜率的边缘提供从上方对多个层级的访问。可以访问平面例如以用于与用于施加或感测电压的电气探测器接触。可以例如通过从样本表面对暴露层向下计数来识别要接触的暴露层的层级，由于非正交铣削使所有层从上方可见。可替换地，可以与表面正交地铣削样本，并然后使样本倾斜和/或旋转，以提供对器件的多个层级的访问。优选地与感兴趣的区域远离地执行铣削以在最小化对所述区域的损害的同时提供对所述区域的电气访问。
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公开(公告)号：CN103913363A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310747134.5
申请日：2013-12-31
Applicant: FEI公司
IPC: G01N1/32
CPC classification number: G01N1/32 , G01N1/28 , H01L21/30655
Abstract: 本发明涉及一种用于制备用于成像的样本的方法。提供用于以降低或防止人造产物的方式制备用于在带电粒子束系统中观察的样本的方法和装置。仅在最终研磨之前或在其期间，使用带电粒子束沉积将材料沉积在样本上，这导致无人造产物的表面。实施例对于制备用于具有不同硬度的材料层的样本的SEM观察的横断面是有用的。实施例对于制备薄TEM样本是有用的。
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