公开(公告)号：CN105103270A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201380074003.3

申请日：2013-12-30

Applicant: FEI公司

Inventor： M.施米特 ,  J.布拉克伍德 ,  S.斯通 ,  S.H.李 ,  R.凯利 ,  T.兰丁

IPC: H01L21/205

CPC classification number: G01N1/32 ,  G01N1/28 ,  H01L21/30655

Abstract: 提供了一种用于以减少或防止人造产物的方式准备用于在带电粒子束系统中观察的样本的方法和装置。离子束研磨使用块体研磨工艺暴露工件的横截面。当从暴露的横截面移除小量的材料的时,将沉积前驱体气体引导向样本表面，沉积前驱体产生更均匀的横截面。实施例对于准备用于具有不同硬度的材料的层的样本的SEM观察的横截面是有用的。实施例对于薄TEM样本的准备是有用的。

公开(公告)号：CN103913363A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310747134.5

申请日：2013-12-31

Applicant: FEI公司

Inventor： M.施米特 ,  J.布拉克伍德 ,  S.斯通 ,  S.H.李 ,  R.凯利

IPC: G01N1/32

CPC classification number: G01N1/32 ,  G01N1/28 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明涉及一种用于制备用于成像的样本的方法。提供用于以降低或防止人造产物的方式制备用于在带电粒子束系统中观察的样本的方法和装置。仅在最终研磨之前或在其期间，使用带电粒子束沉积将材料沉积在样本上，这导致无人造产物的表面。实施例对于制备用于具有不同硬度的材料层的样本的SEM观察的横断面是有用的。实施例对于制备薄TEM样本是有用的。